「silicon electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A lithium ion secondary battery comprises: a positive electrode including a positive electrode active material capable of adsorbing/desorbing lithium ions; a negative electrode including a negative electrode active material capable of adsorbing/desorbing lithium ions and comprising silicon and/or a silicon compound; and an electrolyte.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池は、リチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極活物質をもつ正極と、リチウムイオンを吸蔵・放出可能であって珪素又は／及び珪素化合物からなる負極活物質をもつ負極と電解液とを備えている。 - 特許庁

To provide a negative electrode for lithium secondary battery in which a negative electrode mixture layer including a negative electrode active material containing silicon and/or silicon alloy and a binder is made to be sufficiently adhered to a negative electrode current collector and cycle life of the lithium secondary battery is improved.例文帳に追加

リチウム二次電池用負極において、ケイ素及び／又はケイ素合金を含む負極活物質とバインダーとを含む負極合剤層が負極集電体に充分に密着されるようにし、リチウム二次電池におけるサイクル寿命を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon oxide film having a recess, a lower electrode formed in the recess, a silicon nitride film provided in the vicinity of the upper end of the lower electrode, the tantalum oxide film formed to cover the lower electrode, and the upper electrode formed on the tantalum oxide film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、凹部を有するシリコン酸化膜と、凹部内に形成された下部電極と、下部電極の上端近傍に設けられたシリコン窒化膜と、下部電極を覆うように形成された酸化タンタル膜と、酸化タンタル膜上に形成された上部電極とを有する。 - 特許庁

The capacitative element includes: a lower electrode formed of a silicon film of the same layer as the control gate electrode CG; a capacitative insulator film formed of the insulator film of the same layer as the insulator film 5; and an upper electrode formed of the silicon film of the same layer as the memory gate electrode MG.例文帳に追加

容量素子は、制御ゲート電極ＣＧと同層のシリコン膜で形成された下部電極と、絶縁膜５と同層の絶縁膜で形成された容量絶縁膜と、メモリゲート電極ＭＧと同層のシリコン膜で形成された上部電極とを有している。 - 特許庁

A gate electrode part 6a provided with a gate insulation film 3 comprising a silicon oxide and oxynitride film in order from below, a lower gate electrode 4a comprising polysilicon, an upper gate electrode 4b comprising a metal laminating filmand a gate electrode part 6a comprising a silicon nitride film is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、下から順にシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜３と、ポリシリコンからなる下部ゲート電極４ａと、メタル積層膜からなる上部ゲート電極４ｂと、シリコン窒化膜からなるゲート保護層５とを備えるゲート電極部６ａを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device, when a gate electrode 1 is a metal gate electrode or a gate insulating film 4 is the high dielectric gate insulating film, includes a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 in order from the side of the gate electrode 1 between the gate electrode 1 and the gate insulating film 4.例文帳に追加

半導体装置を、ゲート電極１がメタルゲート電極であるか、又は、ゲート絶縁膜４が高誘電率ゲート絶縁膜である場合に、ゲート電極１とゲート絶縁膜４との間に、ゲート電極１側から順に、シリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３を備えるものとする。 - 特許庁

The c-MUT cell 31a mainly composed of a lower electrode 37d, as a signal input/output electrode, a silicon membrane 38, and an upper electrode 37u, or a ground electrode, formed on a silicone substrate 35 and a vacuum clearance part 40 is served as a braking layer of the silicon membrane 38.例文帳に追加

ｃ−ＭＵＴセル３１ａは、シリコン基板３５上に形成された、信号入出力用電極である下部電極３７ｄ、シリコンメンブレン３８及び接地電極である上部電極３７ｕで主に構成され、真空空隙部４０はシリコンメンブレン３８の制動層になっている。 - 特許庁

Initial charging and discharging of a battery body comprising a positive electrode comprising a positive electrode active material capable of absorbing and desorbing lithium ions, a negative electrode comprising a negative electrode active material capable of absorbing and desorbing lithium ions and comprising silicon or/and a silicon compound, a separator, and an electrolytic solution, are performed at temperatures of 35-80°C.例文帳に追加

リチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極活物質をもつ正極と、リチウムイオンを吸蔵・放出可能であって珪素又は／及び珪素化合物からなる負極活物質をもつ負極と、セパレータと、電解液とからなる電池本体に、３５〜８０℃の温度条件で初期充放電を行う。 - 特許庁

The negative electrode active substance of a negative electrode active substance layer 2 contains: a negative electrode active substance particle 2A having silicon as a constituting element; and a covering film 2B that contains silicon and oxygen as constituting elements and covers at least a portion of the surface of the negative electrode active substance particle 2A.例文帳に追加

負極活物質層２の負極活物質は、ケイ素を構成元素として有する負極活物質粒子２Ａと、ケイ素および酸素を構成元素として有すると共に負極活物質粒子２Ａの表面の少なくとも一部を覆う被覆膜２Ｂとを含んでいる。 - 特許庁

This thin film silicon solar battery where at least a transparent electrode film, p-type, i-type, and n-type microcrystal silicon layers, and a back electrode film are laminated on a transparent insulating substrate is provided with a silicon layer containing carbon on a p/i interface between the p-type microcrystal silicon layer and the i-type microcrystal silicon layer and the neighborhood site.例文帳に追加

透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、ｐ型、ｉ型、ｎ型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、ｐ型微結晶シリコン層とｉ型微結晶シリコン層との間のｐ／ｉ界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 20 is formed, which has an N-silicon region 21 in a region neighboring a vertical P-channel power MOSFET and demarcated by an insulating layer, a Schottky electrode 23 Schottky-connected with the N-silicon region 21, an N+silicon region 22 formed in the surface layer part of the N-silicon region 21, and a diode electrode 24 electrically connected with the N+silicon region 22.例文帳に追加

縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴに隣接し、絶縁層により区画された領域にＮ−シリコン領域２１と、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続されるショットキー電極２３と、Ｎ−シリコン領域２１の表層部に形成されたＮ＋シリコン領域２２と、Ｎ＋シリコン領域２２と電気的に接続されたダイオード電極２４と、を有するショットキーバリアダイオード２０を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a silicon carbide substrate 10 where a vertical short key diode is formed; an anode electrode 20 that is provided on a front surface of the silicon carbide substrate 10; a cathode electrode 50 that is provided on a back surface of the silicon carbide substrate 10; and a conductive adiabatic region 40 that is provided between the silicon carbide substrate 10 and the cathode electrode 50.例文帳に追加

半導体装置は、縦型のショットキーダイオードが形成されている炭化珪素基板１０と、その炭化珪素基板１０の表面側に設けられているアノード電極２０と、その炭化珪素基板１０の裏面側に設けられているカソード電極５０と、炭化珪素基板１０とカソード電極５０の間に設けられている導電性の断熱領域４０を備えている。 - 特許庁

A Schottky barrier formed between the silicon carbide 13 and electrode 14 decreases in height and an ohmic contact is formed between the electrode 14 and silicon carbide 13 without using an alloying heat treatment.例文帳に追加

炭化珪素１３と電極１４との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極１４と炭化珪素１３との間にオーミックコンタクトが実現される。 - 特許庁

A silicon oxide film 202 containing fine silicon particles 302 and a polysilicon film 502 of second electrode are formed on a semiconductor substrate 102 of first electrode.例文帳に追加

第１電極の半導体基板１０２上に、シリコン微粒子３０２を含有するシリコン酸化膜２０２と、第２電極のポリシリコン膜５０２を形成する。 - 特許庁

The negative electrode mixture for a secondary battery contains a negative electrode active material composed of simple silicon and a silicon compound, graphite, and a polyamide-imide silica hybrid resin obtained by binding an alkoxy silyl group to a polyamide imide resin.例文帳に追加

二次電池用負極合材は、単体珪素及び珪素化合物からなる負極活物質と、黒鉛と、アルコキシシリル基をポリアミドイミド樹脂に結合してなるポリアミドイミド−シリカハイブリッド樹脂とを含有する。 - 特許庁

A surface gate electrode 24 is formed on a single-crystal silicon layer 22 and a buried gate electrode 20 is formed under the single-crystal silicon layer 22.例文帳に追加

単結晶シリコン層２２上に表面ゲート電極２４が形成され、単結晶シリコン層２２下に埋め込みゲート電極２０が形成されている。 - 特許庁

An electrode 40 is formed oppositely to the electrode 38 on the other principal surface of the silicon monocrystal substrate so that a current route is formed in the thickness direction of the silicon monocrystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板の他方の主面に、シリコン単結晶基板の厚み方向に電流経路が形成されるように電極３８と対向させて電極４０を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 7 includes a layered structure of a silicon carbide layer 7a and a silicon carbide layer 7b, and furthermore includes a silicide layer 7c formed on the gate electrode 7.例文帳に追加

ゲート電極７は、珪素層７ａと、炭化珪素層７ｂとの積層構造からなり、ゲート電極７上部に形成されたシリサイド層７ｃをさらに備える。 - 特許庁

A recess b is formed on a backside of the silicon wafer 51 on the pad electrode 53, and a via hole VH penetrating the silicon wafer 51 on the pad electrode 53 from the bottom is formed.例文帳に追加

パッド電極５３上のシリコンウェハー５１の裏面に凹部ｂを形成し、その底部からパッド電極５３上にシリコンウェハー５１を貫通するビアホールＶＨを形成する。 - 特許庁

To remove a surface layer by selectively etching the lower electrode made of an amorphous silicon, while preventing etching of a contact electrode made of a crystalline silicon in a stacked capacitor of cylindrical structure.例文帳に追加

シリンダ構造のスタック型キャパシタにおいて、結晶性シリコンからなるコンタクト電極のエッチングを防止しつつ、非晶質シリコンからなる下部電極を選択的にエッチングして表面層を除去する。 - 特許庁

A silicon oxide/nitride membrane 26 is formed on the back electrode 18 while both of the back electrode 18 and the silicon oxide/nitride membrane 26 compose a steam permeation preventing membrane 28.例文帳に追加

背面電極１８上に酸化窒化ケイ素膜２６が形成され、背面電極１８および酸化窒化ケイ素膜２６は水蒸気透過防止膜２８を構成する。 - 特許庁

In a gate electrode GP in a peripheral circuit region, a gate insulation film 4, a polycrystalline silicon film 9 and an electrode film 7 are laminated on the silicon substrate 1.例文帳に追加

周辺回路領域のゲート電極ＧＰは、シリコン基板１上にゲート絶縁膜４、多結晶シリコン膜９、電極膜７が積層されている。 - 特許庁

After forming a gate electrode 102 on a silicon substrate 100, the size of the gate electrode 102 is measured and then ions are injected to the silicon substrate 100 to form a drain extension area 104.例文帳に追加

シリコン基板１００上にゲート電極１０２を形成した後、ゲート電極１０２の寸法を測定し、その後、シリコン基板１００に対してイオン注入を行なってドレインエクステンション領域１０４を形成する。 - 特許庁

A fixing electrode is formed by the monocrystal silicon substrate 100, and is disposed facing opposite to the movable electrode part of the beam structure 400 on an upper face of the monocrystal silicon substrate 200.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１００により固定電極が形成され、固定電極は単結晶シリコン基板２００の上面において梁構造体４００の可動電極部に対向して配置されている。 - 特許庁

A portion existing between the source electrode 251 and the drain electrode 252 in the impurity containing amorphous silicon layer 24 is dry etched to expose the surface 26 of the intrinsic amorphous silicon layer 23.例文帳に追加

不純物含有非晶質シリコン層２４のうちソース電極２５１とドレイン電極２５２との間に存する部分をドライエッチングして真性非晶質シリコン層２３の表面２６を露出させる。 - 特許庁

After forming a gate electrode 103 on a silicon substrate 100, impurity diffusion layers 109 to be source- drain regions are formed on both sides of the gate electrode 103 on the silicon substrate 100.例文帳に追加

シリコン基板１００上にゲート電極１０３を形成した後、シリコン基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース・ドレイン領域となる不純物拡散層１０９を形成する。 - 特許庁

The conductive layer 11 contains polycrystal silicon and an impurity having a relatively small concentration to the lower electrode 21, and the lower electrode 21 contains polycrystal silicon and the impurity having a relatively large concentration to the conductive layer 11.例文帳に追加

導電層１１は、多結晶シリコンと、濃度が相対的に小さい不純物を含み、下部電極２１は、多結晶シリコンと、濃度が相対的に大きい不純物を含む。 - 特許庁

To provide a negative electrode for the lithium secondary battery capable of achieving the lithium secondary battery using at least one of silicon and a silicon alloy as a negative electrode active material and having superior charge/discharge cycle characteristics.例文帳に追加

ケイ素及びケイ素合金のうちの少なくとも一方を負極活物質として用いたリチウム二次電池であって、優れた充放電サイクル特性を有するリチウム二次電池を実現し得るリチウム二次電池用負極を提供する。 - 特許庁

In the method, the temperature of the silicon substrate during forming of the second electrode is preferably lower than the temperature of the silicon substrate during forming of the first electrode.例文帳に追加

ここで、第２の電極の形成時におけるシリコン基板の温度が、第１の電極の形成時におけるシリコン基板の温度よりも低いことが好ましい。 - 特許庁

A silicon nitride film 60 is locally provided near the gate electrode 45 to cover the gate electrode 45 of each pixel amplifier 15 via only a thin silicon oxide film 59.例文帳に追加

シリコン窒化膜６０が、薄いシリコン酸化膜５９のみを介して各画素アンプ１５のゲート電極４５を覆うように、ゲート電極４５の付近に局所的に設けられる。 - 特許庁

For example, when the impurities are implanted into a silicon substrate, at least the extraction electrode and the ground electrode are made of silicon.例文帳に追加

例えば、シリコン基板に不純物を注入する場合は、少なくとも引き出し電極と接地電極はシリコンからなるイオン引き出し電極系とする。 - 特許庁

A diaphragm 15 and an electrode 22 are bonded through a silicon oxide film 25 containing phosphorus and/or boron and an insulation film 28 other than the silicon oxide film containing phosphorus and/or boron is formed on the electrode 22.例文帳に追加

振動板１５と電極２２とをボロン及び／又はホウ素を含むシリコン酸化膜２５を介して接合するとともに，電極２２上に燐及び／又はホウ素を含むシリコン酸化膜以外の絶縁膜２８を形成した。 - 特許庁

A first transistor comprising a first gate electrode is formed on the first silicon, and a second transistor comprising a second gate electrode is formed on the second silicon.例文帳に追加

そして、第１シリコン上に、第１ゲート電極を含む第１トランジスタを形成し、第２シリコン上に、第２ゲート電極を含む第２トランジスタを形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device has the silicon substrate 2 having a pixel electrode, a transparent substrate 1 having a transparent electrode, and a liquid crystal 2 interposed between the silicon substrate 2 and the transparent substrate 1.例文帳に追加

画素電極を有するシリコン基板２と、透明電極を有する透明基板１とを有し、シリコン基板２と透明基板１との間に液晶２を挟持する。 - 特許庁

The negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery is composed of silicon and/or silicon-containing alloy, and at least a part of the surface of the negative electrode material contains fluorine.例文帳に追加

非水電解質二次電池用負極材料が、ケイ素および／またはケイ素を含む合金で構成され、前記負極材料の表面の少なくとも一部にフッ素を含む。 - 特許庁

After the source electrode 251 and the drain electrode 252 are formed, before the impurity containing amorphous silicon layer 24 is dry etched, the surface of the impurity containing amorphous silicon layer 24 is exposed to an oxygen containing plasma.例文帳に追加

上記ソース電極２５１とドレイン電極２５２を形成した後、不純物含有非晶質シリコン層２４をドライエッチングする前に、不純物含有非晶質シリコン層２４の表面を酸素含有プラズマに曝す。 - 特許庁

To improve the cycle characteristic of a lithium secondary battery using an electrode with an active substance layer containing silicon (such as amorphous silicon thin film) on a collector consisting of metal which is not alloyed with lithium (for example, copper foil), as a negative electrode.例文帳に追加

リチウムと合金化しない金属からなる集電体（例えば、銅箔）の上にシリコンを含む活物質層（例えば、非晶質シリコン薄膜）を設けた電極を負極として用いたリチウム二次電池のサイクル特性を高める。 - 特許庁

A source electrode 13 and a drain electrode 14 that are arranged opposingly are provided on a silicon oxide layer 12 formed on a silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成されたシリコン酸化層１２上において、互いに対向するように配置されたソース電極１３及びドレイン電極１４を設ける。 - 特許庁

The gate electrode 302 is formed in a silicon layer 301 on the embedded oxide layer to form a recess 305 on a silicon surface that sandwiches the gate electrode 302.例文帳に追加

埋め込み酸化物層上のシリコン層３０１にゲート電極３０２を形成し、ゲート電極３０２を挟んだシリコン面に窪んだ部分３０５を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is embedded in a surface portion of the silicon substrate, and a gate insulating film is embedded in the silicon substrate so as to cover the gate electrode.例文帳に追加

前記シリコン基板の表面部にはゲート電極が埋め込まれ、前記ゲート電極を覆うように前記シリコン基板中にはゲート絶縁膜が埋め込まれる。 - 特許庁

Alternatively, here, the height of the first gate electrode surface from the first silicon surface is made same as the height of the second gate electrode surface from the first silicon surface.例文帳に追加

あるいは、ここで、第１ゲート電極表面の第１シリコン表面からの高さは、第２ゲート電極表面の第１シリコン表面からの高さと同じであるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a silicon chip 22, electrodes 24, 26 electrically connected to both main surfaces of the silicon chip 22 by solder layers 30, 32; and an electrode 28 connected to a gate electrode by a wire 42.例文帳に追加

半導体装置１は、シリコンチップ２２と、シリコンチップ２２の両主面にそれぞれはんだ層３０、３２によって電気的に接続された電極２４，２６と、ゲート電極にワイヤ４２によって接続されている電極２８とを含む。 - 特許庁

The multilayer silicon electrode plate for plasma etching is formed by piling a plurality of thin silicon electrode plates 2, 21 and 22 having through small holes 5 and fixing them to a cooling plate 3 having the through small holes 5 by means of bolts 6.例文帳に追加

貫通細孔５を有する薄いシリコン電極板２，２１，２２を複数枚重ね合わせて貫通細孔５を有する冷却板３にボルト６で固定してなるプラズマエッチング用多層シリコン電極板。 - 特許庁

To stably form a silicon film containing germanium (1) and to form a silicide film of low resistance (2), to prevent depletion of a gate electrode in a germanium-containing silicon film used as the gate electrode.例文帳に追加

ゲルマニウム含有シリコン膜をゲート電極に用いてゲート電極の空乏化を防止するものにおいて、 ゲルマニウム含有シリコン膜を安定に形成する、 低抵抗のシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

When the structure including the silicon and/or the germanium is a gate electrode, the lanthanide element (for example, the Yb) is doped to the silicon and/or the germanium in order to model a work function of the gate electrode.例文帳に追加

当該シリコン及び／又はゲルマニウム含有構造がゲート電極である場合、ゲート電極の仕事関数をモデリングするため、上記シリコン及び／又はゲルマニウムにランタニド元素（例えばＹｂ）をドープする。 - 特許庁