「silicon electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, a first electrode 6A is installed inside the magnetic body 3 via the insulating layer 3a, and a second electrode 6B is installed on the silicon substrate 1 opposed to the first electrode 6A.例文帳に追加

更に、磁性体３の内側には絶縁層３ａを介して第１の電極６Ａが設けられ、第１の電極６Ａに対向させてシリコン基板１上に第２の電極６Ｂが設けられている。 - 特許庁

In this manufacturing method of the organic EL display having at least a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode on a support substrate, the pixel separating film and the second electrode separating barrier plate are formed by a silicon compound.例文帳に追加

支持基板上に、少なくとも第一電極、有機ＥＬ層、第二電極を有する有機ＥＬディスプレイの製造方法において、画素分離膜と第二電極分離隔壁を無機のケイ素化合物により形成する。 - 特許庁

In the negative electrode 22, at least either one of silicon or tin, or a negative electrode active material layer 22B containing metal lithium is installed on a negative electrode current collector 22A.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａの上に、活物質としてケイ素およびスズのうちの少なくとも一方、または金属リチウムを含む負極活物質層２２Ｂが設けられたものである。 - 特許庁

Further, the gate electrodes 63 and 71 have laminated structures including first electrode layers 22 made of first metal, second electrode layers 26 and 34 made of second metal, and third electrode layers 62 and 70 formed of silicon layers.例文帳に追加

さらに、ゲート電極６３、７１は第１金属からなる第１電極層２２と、第２金属からなる第２電極層２６、３４と、シリコン層からなる第３電極層６２、７０と、を含む積層構造である。 - 特許庁

An n-type region 8a formed on the main surface of a p-type silicon substrate 16 constitutes one electrode, and through a drift part 6a which is a semiconductor layer made porous, a surface electrode 7 that is the other electrode is arranged.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１６の主表面に設けたｎ形領域８ａを一方の電極とし、多孔質化された半導体層であるドリフト部６ａを介して他方の電極である表面電極７が設けられる。 - 特許庁

On a surface of the active region 3 of the silicon substrate 1, a gate electrode MG is provided by laminating a first gate insulating film 5, a floating gate electrode 6, a second gate insulating film 7, and a control gate electrode 8.例文帳に追加

シリコン基板１の活性領域３の表面には第１のゲート絶縁膜５、浮遊ゲート電極６、第２のゲート絶縁膜７、制御ゲート電極８が積層形成されたゲート電極ＭＧが設けられている。 - 特許庁

The weight part 21, the spring part 22, the support part 23, the fixed electrode 24b, the fixed electrode part 24 and the movable electrode 21a are formed by etching a monocrystal silicon substrate fixed to the support substrate 1.例文帳に追加

重り部２１、ばね部２２、支持部２３、固定電極２４ｂ、固定電極部２４、可動電極２１ａは、支持基板１に固着した単結晶のシリコン基板をエッチング加工することにより形成する。 - 特許庁

The fixed electrode 7 and the sensitivity adjusting electrode 75 are arranged on the contact plane side of a glass substrate 2 (the insulating substrate), and the movable electrode is arranged on the contact plane side of a silicon substrate 1 (the semiconductor substrate).例文帳に追加

ガラス基板２（絶縁基板）の接合面側には固定電極７及び感度調整用電極７５が設けられ、シリコン基板１（半導体基板）の接合面側には可動電極が設けられている。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery is provided with an amorphous silicon vapor-deposited film on the collector surface of an negative electrode material, in a nonaqueous electrolyte secondary battery composed of a positive electrode material, the negative electrode material, electrolyte containing lithium salt, and a separator.例文帳に追加

正極材、負極材、リチウム塩を含む非水電解質、及びセパレーターからなる非水電解質二次電池における負極材の集電体表面に、アモルファス珪素蒸着膜を備える非水電解質二次電池。 - 特許庁

The silicon substrate 12 is provided with an electrode part 20, a first internal space S1 is formed between the electrode part 20 and the first glass substrate 13, and a second internal space S2 is formed between the electrode part 20 and the second glass substrate 14.例文帳に追加

シリコン基板は電極部２０を備え、電極部と第１ガラス基板の間には第１内部空間Ｓ１が形成され、電極部２０と第２ガラス基板１４の間には第２内部空間Ｓ２が形成される。 - 特許庁

To suppress the depletion of a gate electrode or channeling of impurities and prevent the degradation of high-frequency characteristics or an increase in parasitic resistance during making of gate electrode in the case where a polycrystalline silicon is used for gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に多結晶シリコンを用いた場合に、ゲート電極の空乏化や不純物のチャネリングを抑制するとともに、高周波特性の劣化やゲート電極加工時の問題を解決する。 - 特許庁

A gate electrode 2, a gate insulating film 3, a silicon semiconductor layer (a-Si) 4, an n+ semiconductor film 5, a source electrode 61, and a drain electrode 62 are fabricated on a glass substrate 1, and a protective film 7 is formed over the entire surface.例文帳に追加

ガラス基板１上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、シリコン半導体層（ａ-Ｓｉ）４、n+半導体膜５、ソース電極６１、ドレイン電極６２を形成し、この上の全面に保護膜７が成膜される。 - 特許庁

Each of the first capacitor electrode and the semiconductor layer includes the impurity-doped polycrystalline silicon film, and the second capacitor electrode is relatively thinner than the gate electrode.例文帳に追加

そして、前記第１キャパシタ電極及び前記半導体層は、各々不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含み、前記第２キャパシタ電極は前記ゲート電極より相対的に厚さが薄い。 - 特許庁

An electrode body 2 is integrally fixed with a porous structure 1 via a silicon carbide layer 3 formed on an interface between the electrode body 2 and the porous structure 1 by using the electrode body 2 being carbonaceous such as graphite.例文帳に追加

黒鉛など炭素質の電極体２を用い、電極体２と多孔質構造体１との界面に形成された炭化ケイ素層３を介して、電極体２を多孔質構造体１と一体に固着した。 - 特許庁

On the upper surface of the silicon substrate 28, the acoustic sensing part 29 is prepared by a vibration electrode plate 33a formed to cover one back chamber 31a and a fixed electrode plate 34a facing the vibration electrode plate 33a.例文帳に追加

シリコン基板２８の上面には、一方のバックチャンバ３１ａを覆うように形成された振動電極板３３ａと振動電極板３３ａに対向する固定電極板３４ａによって音響検知部２９が作製されている。 - 特許庁

Also, at the upper part of the horizontal hole part 31b, on the upper surface of the silicon substrate 28, the vibration sensing part 30 is prepared by a vibration electrode plate 33b and a fixed electrode plate 34b facing the vibration electrode plate 33b.例文帳に追加

また、横孔部３１ｂの上方において、シリコン基板２８の上面に、振動電極板３３ｂと振動電極板３３ｂに対向する固定電極板３４ｂによって振動検知部３０を作製する。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 includes a negative electrode active material with silicon as a constituting element, and a metallic conductive material with a metal element as a constituting element.例文帳に追加

負極２２の負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を構成元素として有する負極活物質と、金属元素を構成元素として有する金属導電物質とを含んでいる。 - 特許庁

In the semiconductor chip 50, there are provided a silicon substrate 1, an integrated circuit 2, an euphotic section 3, an interlayer insulating film 4, a resin layer 5, a front surface electrode 6, a through electrode 8, a rear surface electrode 9, a rear surface protective film 12, and a ball terminal 13.例文帳に追加

半導体チップ５０には、シリコン基板１、集積回路部２、受光部３、層間絶縁膜４、樹脂層５、表面電極６、貫通電極８、裏面電極９、裏面保護膜１２、ボール端子１３が設けられる。 - 特許庁

The lead-out electrode 3, which is formed in a self-aligned manner for forming a P+-type diffusion layer and composed of P+-type polycrystalline silicon, is laid out so that the lengths of the electrode 3 from the four sides of the opening 4 of the electrode 3 become equal to each other.例文帳に追加

Ｐ^+型拡散層を形成するためのＰ^+型多結晶シリコンからなる引き出し電極３の長さを、セルフアラインで形成した引き出し電極３の開口部４の四辺から等しくなるようにレイアウトする。 - 特許庁

A lower electrode material, a ferroelectric substance film material and an upper electrode material are successively formed on the silicon nitride film 6 and the barrier metal 5, and they are patterned so that at least the entire surface of the barrier metal is covered with the lower electrode.例文帳に追加

窒化シリコン膜６及びバリアメタル５上に下部電極材料、強誘電体膜材料及び上部電極材料を順次形成し、少なくとも、下部電極がバリアメタル上表面全面を覆うようにパターニングする。 - 特許庁

It is preferable that the plasma electrode 12 is used as an anode and silicon 11 being an object to be heated is used as a cathode, because the consumption of the electrode and the contamination by electrode metal are suppressed to be small, and the life time is prolonged.例文帳に追加

前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン１１を陰極とすれば、電極の消耗、電極金属による汚染を僅少に抑え、ライフタイムをより長く維持できるので望ましい。 - 特許庁

A first barrier rib 25 made of a silicon-based insulation material for demarcating the positive electrode 111 by covering the periphery of the positive electrode 111 is provided on the positive electrode 111.例文帳に追加

陽極１１１上に、その周囲を覆うことで陽極１１１を区画する珪素系絶縁材料からなる第１の隔壁２５が設けられている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a gate electrode which consists of alminum on a substrate, films which consist of alminum oxide on the gate electrode, an amorphous silicon film on the film which consists of the alminum oxide, and a silicon nitride film over the gate electrode, and an amorphous silicon film of ntype on the silicon nitride film and the amorphous silicon film.例文帳に追加

基板上のアルミニウムから成るゲイト電極と、前記ゲイト電極上のアルミニウムの酸化物から成る薄膜と、前記アルミニウムの酸化物から成る薄膜上のアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上であって、前記ゲイト電極上方の窒化珪素膜と、前記窒化珪素膜上および前記アモルファスシリコン膜上のＮ型のアモルファスシリコン膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

When the movable electrode 1 and fixed electrodes 2a and 2b are formed of silicon substrates, as the sten films 8, an insulation films having irregular binding between silicon atoms and oxygen atoms and irregular binding between silicon atoms and nitrogen atoms are used, for example.例文帳に追加

可動電極１および固定電極２ａ，２ｂをシリコン基板から形成する場合、このステン膜８には例えば、シリコン原子と酸素原子との不規則な結合およびシリコン原子と窒素原子との不規則な結合を有する絶縁膜を採用すればよい。 - 特許庁

This thin-film transistor having an amorphous silicon layer and a crystalline silicon layer as semiconductor layers is characterized in that the current rise characteristics are improved because a drain electrode is made to directly touch the crystalline silicon layer of the semiconductor layer.例文帳に追加

非晶質シリコン層及び結晶性シリコン層を半導体層とする薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電極が、半導体層の結晶性シリコン層と直接接することにより、電流の立ち上がり特性を向上させることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a silicon substrate for manufacturing a diamond thin film having extremely high adhesibility to the silicon substrate, the adhesibility being uniform and strong over the entire surface of the silicon substrate of a large diameter, and to provide a diamond thin film electrode.例文帳に追加

シリコン基板に対する密着性が極めて大で、かつその密着性が大直径のシリコン基板の全面にわたって均質な強い密着性を有するダイヤモンド薄膜を製造するためのシリコン基板およびダイヤモンド薄膜電極を提供する。 - 特許庁

A plasma etching silicon electrode plate is made by a single crystal silicon or a casted silicon material having unilaterally solidified composition, with a COP(Crystal Originated Particle) defect density of 104 pcs/cm3 or less.例文帳に追加

成長欠陥（Ａｓ−ｇｒｏｗｎｎ欠陥）の一つであるＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）欠陥の密度が１０^4個／ｃｍ^3以下の単結晶シリコンまたは一方向凝固組織を有するシリコン鋳造体からなるプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 特許庁

In a silicon microphone 1, a diaphragm 8 constituted by coating a metal electrode 10 by a diaphragm coating film 11, consisting of a prescribed resin material, is formed on one side of a silicon substrate 2 so as to face the silicon substrate 2 at intervals.例文帳に追加

シリコンマイク１において、シリコン基板２の一方側に、シリコン基板２に対して間隔を空けて対向するように、金属電極１０が、所定の樹脂材料からなるダイヤフラム被覆膜１１に被覆されてなるダイヤフラム８を形成する。 - 特許庁

The individual electrode 33 is arranged in a recess formed in a single crystal silicon substrate 31 and on a silicon oxide film 32 formed sequentially thereon and a gap spacer is composed of the silicon oxide 32 and borosilicate glass 6.例文帳に追加

個別電極３３は単結晶シリコン基板３１に形成された凹部内に配置され、かつ、前記シリコン基板３１上に順次形成した酸化シリコン膜３２上に形成されており、更に、ギャップスペーサは前記酸化シリコン３２とホウ珪酸ガラス６から構成されている。 - 特許庁

An FET 1 comprises a silicon substrate 3, a seed layer 4 formed of silicon oxide on the silicon substrate 3, a gate insulating film 5 formed of amorphous hafnium aluminate on the seed layer 4, and a gate electrode 6 formed of polysilicon on the gate insulating film 5.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、シリコン基板３と、シリコン基板３上に形成された酸化シリコンからなるシード層４と、シード層４上に形成された非晶質のハフニウムアルミネートからなるゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５上に形成されたポリシリコンからなるゲート電極６とを有している。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device, first a silicon nitride film 8 is deposited on the top surface of a gate electrode 7, and a first sidewall spacer 14 comprising silicon nitride and a second sidewall spacer 15 comprising silicon oxide on side surfaces of each of the gate electrodes.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、まず、ゲート電極７の上面に窒化シリコン膜８を形成し、その側面に窒化シリコンからなる第１サイドウォールスペーサ１４および酸化シリコンからなる第２サイドウォールスペーサ１５を形成する。 - 特許庁

Then, a via hole 81 reaching the pad electrode 53 from the rear of the silicon wafer is formed, and a groove that is extended along a dicing line center DS and penetrates the silicon wafer from the rear of the silicon wafer is formed.例文帳に追加

次に、シリコンウエハーの裏面からパッド電極５３に到達するビアホール８１を形成すると同時に、ダイシングライン中心ＤＳに沿って延び、かつシリコンウエハーの裏面からシリコンウエハーを貫通する溝を形成する。 - 特許庁

A multilayer film S is constituted of a layer structure of a silicon oxide film 7, a silicon nitride film 8, and a metal oxide film 9, and the multilayer film S is formed by being interposed between a control gate electrode CG and a silicon nitride film 6.例文帳に追加

積層膜Ｓが、シリコン酸化膜７、シリコン窒化膜８、金属酸化物膜９の積層構造によって構成されており、当該積層膜Ｓが制御ゲート電極ＣＧとシリコン窒化膜６との間に介在して形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a single crystal silicon region 6, a polycrystalline or amorphous semiconductor film 7 which is formed on the silicon region 6 and contains at least one element among silicon and germanium, the high dielectric film 8 formed on the semiconductor film 7, and an electrode 12 formed on the high dielectric film 8.例文帳に追加

単結晶のシリコン領域６と、シリコン領域６上に設けられシリコンとゲルマニウムの少なくとも１つの元素を含む多結晶又はアモルファスの半導体膜７と、半導体膜７上に設けられた高誘電体膜８と、高誘電体膜８上に設けられた電極１２を有する。 - 特許庁

Thus, heat generated in the amorphous silicon layer 106a on the gate electrode 150 is mainly used to melt and crystallize the amorphous silicon layer 106a and hence the grain diameter of the crystal of a microcrystal silicon layer 106b is increased and the mobility is increased.例文帳に追加

このため、ゲート電極１５０上の非晶質シリコン層１０６ａで発生した熱は、主に非晶質シリコン層１０６ａを溶融させて結晶化するために使われ、微結晶シリコン層１０６ｂの結晶粒径が大きくなり、移動度も大きくなる。 - 特許庁

The method of manufacturing the crystalline silicon solar battery comprises an Al baking process for forming a rear electrode by baking Al paste applied on a crystalline silicon substrate having a first conductivity type, and a growth process of a silicon nitride film which is performed after the Al baking process.例文帳に追加

第１導電型の結晶シリコン基板上に塗布されたＡｌペーストを焼成して裏面電極を形成するＡｌ焼成工程と、該Ａｌ焼成工程よりも後に設けられる、窒化シリコン膜の成長工程と、を含む結晶シリコン太陽電池の製造方法に関する。 - 特許庁

When a conductive paste 3 to which an aluminum-silicon alloy has been added in advance is used in silicon in a semiconductor substrate 1, a eutectic mixture of aluminum with silicon is not newly formed in heat treatment and, consequently, a local deeply penetrated part is not formed under an electrode 4.例文帳に追加

半導体基板１のシリコンに対して、予めアルミニウム−シリコン合金が添加された導電性ペースト３を使用することにより、熱処理で新たにアルミニウムとシリコンとの共融混合物が作られ難くなって、電極４下に局所的に深い浸透部分が形成されない。 - 特許庁

The gate electrodes G, GP of respective transistors in a memory cell region and a peripheral circuit region are constituted by successively laminating a gate insulating film 4, a polycrystal silicon film 5, an inter-electrode insulating film 6, and a polycrystal silicon film 7 on a silicon substrate 1.例文帳に追加

メモリセル領域および周辺回路領域の各トランジスタのゲート電極Ｇ、ＧＰは、シリコン基板１に、ゲート絶縁膜４、多結晶シリコン膜５、電極間絶縁膜６、多結晶シリコン膜７を順次積層して構成される。 - 特許庁

A contact hole 61 from the surface of the silicon oxide film 43 to the surface of the semiconductor substrate 1 is formed inside the silicon oxide film 43 and the silicon nitride film 42 of a logic area 102, and a second gate electrode 32 is formed inside the contact hole 61.例文帳に追加

ロジック領域１０２のシリコン酸化膜４３及びシリコン窒化膜４２内に、シリコン酸化膜４３表面から半導体基板１表面まで達するコンタクトホール６１を形成し、コンタクトホール６１内に第２のゲート電極３２を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 3a or a silicon oxynitride film 3b having the film thickness of a monoatomic layer level or 1 nm or less is formed on a high dielectric constant insulated film 2 formed on a silicon substrate 1, and a gate electrode material layer 4 is formed on it.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成した高誘電率絶縁膜２の上に、単原子層レベルないしは1ｎｍ以下の膜厚を有する、シリコン酸化膜３ａないしはシリコン酸窒化膜３ｂを形成し、その上にゲート電極材料層４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized by comprising a silicon carbide layer, a gate insulating film formed on the silicon carbide layer with silicon, oxygen, and nitrogen as principal components and the minimum concentration of nitrogen of ≥1×10^20 atoms/cm^3, and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

炭化珪素層と、炭化珪素層上に形成され、珪素、酸素、窒素を主成分とし、窒素の最低濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

Prior to a step of crushing the polycrystalline silicon rod 100, a cutting step is hence conducted, in which polycrystalline silicon parts that extend from the electrode-side ends to a distance of at least 70 mm therefrom are removed from the polycrystalline silicon rod 100 taken out of a reactor.例文帳に追加

そこで、多結晶シリコン棒１００の破砕工程に先立ち、反応炉外に取り出した多結晶シリコン棒１００の電極側端から少なくとも７０ｍｍまでの多結晶シリコン部分を除去する足切工程を設ける。 - 特許庁

A trench 61 formed to reach the n^+ type silicon substrate 1 from the principal surface 72 of the n^+ type silicon substrate 1 so as to contact with the n^- type silicon region 3 having the high resistance, is filled with a conductive body 5 through an insulating material 4, and the conductive body 5 is electrically connected to a source electrode 13.例文帳に追加

また、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３に接してｎ^＋型シリコン基板１の主面７２からｎ^＋型シリコン基板１に達するトレンチ６１内に、絶縁体４を介して導電体５を充填し、前記導電体５を電気的にソース電極１３に接続させる。 - 特許庁

As an optical sensor element structure, one electrode of a sensor element is formed by the same film as a polycrystalline silicon film which becomes an active layer for a switching element constituting a circuit, and a light reception part in which photoelectric conversion is performed is amorphous silicon or polycrystalline silicon film of an intrinsic layer.例文帳に追加

光センサ素子構造として、センサ素子の一方の電極を、回路を構成するスイッチ素子の能動層となる多結晶シリコン膜と同一の膜で作製し、かつ光電変換が行なわれる受光部は非晶質シリコンまたは真性層の多結晶シリコン膜とする。 - 特許庁

A plurality of silicon nanowires 11 having a gate insulating film 12 on a side are separated in parallel one another for arrangement, and a gate electrode 13 is provided so that the plurality of silicon nano wires 11 can be buried around the silicon nanowires 11, thus obtaining the integrated quantum thin-line transistor having a columnar structure.例文帳に追加

側面にゲート絶縁膜１２を有する複数のシリコンナノワイヤー１１を互いに平行にかつ互いに分離して配置し、これらのシリコンナノワイヤー１１の周囲にそれらを埋め込むようにゲート電極１３を設けることにより柱状構造の集積型量子細線トランジスタを得る。 - 特許庁