「silicon electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To control the progress of etching for both of a silicon oxide film for separating elements and a silicon substrate when forming a capacitor that an upper electrode is a polysilicon film on the silicon substrate, with a silicon nitride film as a dielectric.例文帳に追加

シリコン窒化膜を誘電体とし、ポリシリコン膜を上部電極とするキャパシタをシリコン基板に形成する際に、素子分離用のシリコン酸化膜とシリコン基板の両方に対するエッチングの進行を抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method for manufacturing electrode composition for nonaqueous electrolyte secondary battery, carbon precursor containing silicon and carbon precursor which does not contain silicon are combined and carbonized, to provide a silicon-containing carbon material of 3 to 25 wt.% silicon content with respect to the carbon material as a whole.例文帳に追加

ケイ素を含む炭素前駆体とケイ素を含まない炭素前駆体とを配合して炭化処理し、炭素材全体に対するケイ素含有量が３〜２５重量％であるケイ素含有炭素材を得ることを特徴とする非水電解質二次電池用電極材組成物の製造方法。 - 特許庁

The thin-film transistor comprises a silicon nitride film 12 formed on a glass substrate 10, polycrystalline silicon film 16 formed on the silicon nitride film 12, gate insulation film 18 formed on the polycrystalline silicon film 16, and a gate electrode 20 formed on the gate insulation film 18.例文帳に追加

ガラス基板１０上に形成された窒化シリコン膜１２と、窒化シリコン膜１２上に形成された多結晶シリコン膜１６と、多結晶シリコン膜１６上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成されたゲート電極２０とを有している。 - 特許庁

The method of manufacturing electrode fibers of silicon or silicon containing materials for an anode of a lithium ion battery, includes steps of: etching a silicon substrate or a silicon containing substrate to form pillars; and removing the pillars from the substrate.例文帳に追加

リチウムイオン電池のアノード用の、シリコン又はシリコン含有物質の電極繊維を製造する方法であって、該方法は、ピラーを作製するためにシリコン基板又はシリコン含有基板をエッチングする工程、及び、該基板から該ピラーを分離する工程を含む方法。 - 特許庁

First and second amorphous silicon layers 2 and 3 having different impurity concentrations are laminated, a third amorphous silicon layer 4 is formed on the side wall of the laminated structure, and an HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4, thus constituting the storage electrode 1.例文帳に追加

不純物濃度の異なる第１，第２のアモルファスシリコン層２，３が積層され、その積層構造の側壁に第３のアモルファスシリコン層４が形成され、第２，第３のアモルファスシリコン層３，４の表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて蓄積電極１が構成される。 - 特許庁

Laminated layers of a gate insulation film 4, a polycrystalline silicon film 5 having a layered structure of gate electrodes MG, SG1 and SG2, an ONO film 6, a polycrystalline silicon film 7 and a silicon nitride film are formed on a silicon substrate 1, and the laminated layers are separated into a width of each gate electrode.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート絶縁膜４、ゲート電極ＭＧ、ＳＧ１、ＳＧ２の層構造となる多結晶シリコン膜５、ＯＮＯ膜６、多結晶シリコン膜７、シリコン窒化膜を積層形成してこれを書くゲート電極の幅に分離形成する。 - 特許庁

While applying a voltage between the silicon substrate 1 and a counter electrode 5 in the processing bath 2, the oxidizing solution 3, such as nitric acid, is made to react with the silicon substrate 1 so that a silicon dioxide film 15 is formed on the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

処理槽２内に設置した、シリコン基板１と対向電極５との間で電圧を印加した状態で、シリコン基板１に硝酸等の酸化性溶液３を作用させて、前記シリコン１の表面に二酸化シリコン膜１５を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 21 is formed on a plug 30 and a silicon oxide 19, and a silicon oxide film 22 whose thickness is equal to or above the height (i.e. the height of a lower electrode) of a capacitor element C1 is deposited on the silicon nitride film 21.例文帳に追加

プラグ３０および酸化シリコン１９の上層に窒化シリコン膜２１を堆積し、この窒化シリコン膜２１の上層に、容量素子Ｃ１のキャパシタの高さ（即ち下部電極の高さ）と同じか又はそれ以上の膜厚を有する酸化シリコン膜２２を堆積する。 - 特許庁

In gate collective processing, the silicon oxide film 11 is used as a stopper in etching the electrode film 7, the silicon nitride film 10 is used as a stopper in processing the block film 6, the polycrystalline silicon film 9 is used as a stopper in processing the trap film 5, and thereby the silicon substrate 1 can be prevented from being damaged.例文帳に追加

ゲート一括加工時に、電極膜７をエッチングするときにシリコン酸化膜１１がストッパとなり、ブロック膜６加工時にシリコン窒化膜１０がストッパとなり、トラップ膜５加工時に多結晶シリコン膜９がストッパとなり、シリコン基板１がダメージを受けるのを防止できる。 - 特許庁

Finally, a TFT(thin-film transistor) is manufactured by forming an island-like silicon film by performing patterning through the use of the crystalline silicon film 304 as an active layer and forming a gate electrode on the island-like silicon film, and then implanting an N-type impurity into the crystalline island-like silicon film by an ion doping method.例文帳に追加

この結晶性珪素膜を活性層とし、パターニングし島上珪素膜を作製しこの上にゲート電極をつけ、前記結晶性を有する島状珪素膜にイオンドーピング法でN型不純物をいれＴＦＴを作製した。 - 特許庁

The projection 13 and the silicon thin film electrode 14 do not adhere each other because both of them are formed of silicon by this constitution, and the silicon substrate 2 can be surely prevented from sticking to the insulating layer 20 when performing anodic bonding between the silicon substrate 2 and the insulating layer 20.例文帳に追加

このような構成によれば、凸部１３とシリコン薄膜電極１４は共にシリコンにより形成されているので固着することがなく、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことをより確実に防止できる。 - 特許庁

A movable electrode 103, a fixed electrode 104 for driving the movable electrode, and a fixed electrode 105 for signal transmission are formed on a high resistance silicon substrate 101.例文帳に追加

高抵抗シリコン基板１０１上に可動電極１０３、可動電極駆動用固定電極１０４および信号伝達用固定電極１０５を形成する。 - 特許庁

The smaller one of one edge of a gate electrode which overlaps a source electrode or the other edge of the gate electrode which overlaps with a drain electrode is covered with an amorphous silicon film becoming to a channel.例文帳に追加

ソース電極をオーバーラップする、ゲート電極の一方のエッジ部分あるいは、ドレイン電極とオーバーラップする、ゲート電極の他方のエッジ部分の小さい方を、チャネル部となるアモルファスシリコン膜で覆う。 - 特許庁

The capacitance element is constituted with a lower electrode, a capacitance dielectric material film, a first upper electrode formed of silicon and a second upper electrode formed of a material having the resistivity lower than that of the first upper electrode.例文帳に追加

容量素子は、下部電極、容量誘電体膜、シリコンからなる第１の上部電極、及び該第１の上部電極よりも抵抗率の低い材料からなる第２の上部電極が構成される。 - 特許庁

A gate electrode 18a of a TFT, a gate insulation film 13, silicon films 14 and 16, a drain electrode 18b of a TFT, a source electrode 18c and a reflective electrode 19 are formed on a glass substrate 11.例文帳に追加

ガラス基板１１上に、ＴＦＴのゲート電極１８ａ、ゲート絶縁膜１３、シリコン膜１４，１６、ＴＦＴのドレイン電極１８ｂ、ソース電極１８ｃ及び反射電極１９を形成する。 - 特許庁

An positive electrode active material layer 22B of the positive electrode contains a plurality of positive electrode active material particles and the positive electrode active material particle contains silicon and a multilayer structure inside the particle.例文帳に追加

負極２２の負極活物質層２２Ｂは複数の負極活物質粒子を含み、その負極活物質粒子はケイ素を含有すると共に粒子内に多層構造を有している。 - 特許庁

When a voltage is impressed between the lower electrode 11 and the upper electrode 23, as shown in (b), an energy level occupied by electron is generated at the upper electrode 23, and the electron tunnels into the silicon-made upper electrode 23.例文帳に追加

下部電極１１と上部電極２３の間に電圧を印加したときには、（ｂ）に示したように、上部電極２３に電子で占有されるエネルギー準位が生成し、電子はシリコンの上部電極２３にトンネルする。 - 特許庁

An positive electrode active material layer 14B of the positive electrode 14 contains a plurality of positive electrode active material particles and the positive electrode active material particles contains silicon and has a multilayer structure inside the particles.例文帳に追加

負極１４の負極活物質層１４Ｂは複数の負極活物質粒子を含み、その負極活物質粒子はケイ素を含有すると共に粒子内に多層構造を有している。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery having high capacity and an excellent charge-discharge cycle characteristic, in relation to a lithium secondary battery comprising a negative electrode 2 containing silicon as a negative electrode active material, a positive electrode 1 containing a positive electrode active material, and a nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

負極活物質としてケイ素を含む負極２と、正極活物質を含む正極１と、非水電解質とを備えるリチウム二次電池において、容量が高く、かつ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池を得る。 - 特許庁

In the triac 10, silicon diodes 31 and 32 are arranged in series between the T1 electrode 11 and the gate electrode 13 so that a direction running from the gate electrode 13 to the T1 electrode 11 becomes a forward direction.例文帳に追加

このトライアック１０においては、シリコンのダイオード３１、３２が、ゲート電極１３からＴ１電極１１に向かう方向が順方向となるべく、Ｔ１電極１１とゲート電極１３との間に直列に設置される。 - 特許庁

The alkaline battery comprises a positive electrode 22, a negative electrode 23, a separator, and an alkaline electrolyte that is supported by the positive electrode 22, the negative electrode 23 and the separator 24, and a silicon oxide is dissolved in the above alkaline electrolyte.例文帳に追加

正極２２と負極２３とセパレータ２４と、正極２２、負極２３およびセパレータ２４に保持されたアルカリ電解液とを備え、上記アルカリ電解液にシリコン酸化物が溶解している。 - 特許庁

The negative electrode 22 has a negative electrode active material layer 22B on a negative current collector 22A, the negative electrode active material layer 22B contains a negative electrode active material containing silicon and has two or more pores.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａ上に負極活物質層２２Ｂを有しており、その負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を含有すると共に複数の細孔を有する負極活物質を含んでいる。 - 特許庁

Dummy patterns 8, 9 for protecting an analog use poly silicon capacitor are formed in a two-layer structure consisting of a gate electrode layer and a lower electrode layer, or in a three-layer structure consisting of the gate electrode layer, a dielectric layer, and the lower electrode layer.例文帳に追加

アナログ用ポリシリコンキャパシタを保護するためのダミーパターン８，９をゲート電極層・下層電極層の２層構造またはゲート電極層・誘電体層・下部電極層の３層構造で形成した。 - 特許庁

The electric light emitting element of nano particle comprises a front electrode 20 formed of a transparent conductive substance, a back electrode 40 formed of a conductive substance, a core formed of silicon and interposed between the front electrode 20 and the back electrode 40, and a light emitting layer 30 containing nano particles 24a of core/shell structure having a shell formed of silicon oxide or silicon nitride on the surface of the core.例文帳に追加

透明導電性物質から形成された前面電極２０と、導電性物質から形成された背面電極４０と、前面電極２０と背面電極４０との間に介在されるものであって、シリコンから形成されたコアと、コアの表面に酸化ケイ素または窒化ケイ素から形成されたシェルとを持つコア／シェル構造のナノ粒子２４ａを含む発光層３０と、を備えるナノ粒子の電気発光素子。 - 特許庁

In a gate sidewall insulation film 13, its portion in contact with a gate electrode 8 is composed of a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film formed by oxidizing or oxidizing and nitriding the gate electrode including a silicon and thickness (b) on the gate electrode sidewall is less than thickness (a) of the top insulation film in the lower portion of the center of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート側壁絶縁膜１３は、ゲート電極８ に接する部分が、シリコンを含むゲート電極の酸化または酸窒化により形成されたシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなり、ゲート電極側壁上での厚さｂ は、トップ絶縁膜のゲート電極中央下部分の厚さａ よりも小さい。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery of the present invention includes: a positive electrode containing a positive electrode active material including a sulfur-containing organic compound and a lithium-containing inorganic compound; a negative electrode containing a negative electrode active material including a silicon-based material which is preliminarily doped with lithium and comprises silicon and/or a silicon compound; and a nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン二次電池は、硫黄を含む有機化合物およびリチウムを含む無機化合物を含む正極活物質を含有する正極と、リチウムが予めドープされた珪素および／または珪素化合物からなる珪素系材料を含む負極活物質を含有する負極と、非水電解質と、を備える。 - 特許庁

To improve in adhesion of a negative electrode collector and a negative electrode active material and control diffusion of a component of the negative electrode collector and the negative electrode active material, so that a cycle characteristic is improved, in a nonaqueous electrolyte secondary battery carrying the negative electrode active material of a simple substance of silicon or tin, or a compound including silicon or tin and oxygen, as the negative electrode active material.例文帳に追加

負極活物質としてケイ素またはスズ単体、あるいはケイ素またはスズと酸素を含む化合物からなる負極活物質を担持させた非水電解質二次電池において、負極集電体と負極活物質の密着性向上と負極集電体成分と負極活物質の拡散抑制とを両立させてサイクル特性を向上させる。 - 特許庁

The lithium battery 10 includes the silicon negative electrode 1, a lithium mixing metal oxide positive electrode 3, a separator 5 for forming a reservoir range 2 by being arranged between the negative electrode 1 and the positive electrode 3, the electrolyte solution filled up in the reservoir range 2, and a sealing structure 6 for sealing the silicon negative electrode 1, the lithium mixing metal oxide positive electrode 3, the separator 5, and the electrolyte solution.例文帳に追加

本発明のリチウム電池１０は、シリコン負極１、リチウム混合金属酸化物正極３、負極１と正極３との間に配置されて貯留領域２を形成するセパレータ５、貯留領域２中に充填される電解質溶液、ならびにシリコン負極１、リチウム混合金属酸化物正極３、セパレータ５および電解質溶液を覆う封止構造６を含む。 - 特許庁

The electro-optical apparatus has on a substrate (10): a pixel electrode (9); a capacity electrode (71) disposed on the lower layer side of the pixel electrode to face the pixel electrode; and a dielectric film (72) disposed between the pixel electrode and capacity electrode and containing at least silicon nitride or nitride silicon oxide.例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極の下層側に、前記画素電極に対向するように設けられた容量電極（７１）と、画素電極と容量電極との間に介在すると共に、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンの少なくとも一方を含んでなる誘電体膜（７２）とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor device which provides a P channel transistor having a silicon germanium layer 132 in a gate electrode 115, and an N channel transistor having the silicon germanium layer 132 in a gate electrode 114, the gate electrode is composed of a laminating structure between the silicon germanium layer 132 and a silicon layer 133 formed on each silicon germanium layer, and a spread preventing layer 134 preventing the spread of germanium is formed in each silicon layer 133.例文帳に追加

ゲート電極１１５にシリコン・ゲルマニウム層１３２を有するＰチャネルトランジスタとゲート電極１１４にシリコン・ゲルマニウム層１３２を有するＮチャネルトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記ゲート電極は、前記シリコン・ゲルマニウム層１３２と、前記各シリコン・ゲルマニウム層上に形成したシリコン層１３３との積層構造からなり、前記各シリコン層１３３中にゲルマニウムの拡散を防止する拡散防止層１３４が形成されているものである。 - 特許庁

Each unit electrostatic capacity 21 is equipped with a first electrode layer of impurity diffused layer formed inside the silicon substrate, a second electrode layer of conductive polysilicon layer, and a dielectric layer of silicon oxide interposed between the first and second electrode layer.例文帳に追加

各単位静電容量部２１は、シリコン基板１０内に形成された不純物拡散層からなる第１の電極層と、導電性ポリシリコン層からなる第２の電極層と、第１の電極層および第２の電極層の間に配置された酸化シリコン層からなる誘電体層とを有する。 - 特許庁

To provide a binder capable of achieving a lithium secondary battery having excellent charge/discharge cycle characteristics, the lithium secondary battery including a negative electrode having a negative electrode active material layer containing at least one of silicon and a silicon alloy as a negative electrode active material and also a binder.例文帳に追加

ケイ素及びケイ素合金のうちの少なくとも一方を負極活物質として含むと共に、バインダーを含む負極活物質層を有する負極を備えるリチウム二次電池であって、優れた充放電サイクル特性を有するリチウム二次電池を実現し得るバインダーを提供する。 - 特許庁

A cathode electrode 32 is arranged via an auxiliary cathode electrode 42 on one surface of a silicon substrate 41 where a electrostatic induction thyristor is formed, and an anode electrode 44 is arranged on the other surface of the silicon substrate, and both these electrodes are coupled with each other by insulation package 45.例文帳に追加

静電誘導サイリスタを形成したシリコン基板４１の一方の表面に、補助カソード電極４２を介してカソ−ド電極４３を配置し、シリコン基板の他方の表面にはアノード電極４４を配置し、これら両電極の間を絶縁パッケージ４５で連結する。 - 特許庁

Between the Shottky electrode and the pad electrode, an intermediate metal film is provided in which the height of the Shottky barrier with the silicon carbide epitaxial film is equal to or higher than that of the shottky barrier with the Shottky electrode and the silicon carbide epitaxial film.例文帳に追加

ショットキー電極とパッド電極との間に、炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さが、ショットキー電極と炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さ以上である中間金属膜を設けた。 - 特許庁

To provide a negative electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery using at least one kind of negative electrode active material particles selected from silicon and silicon alloy which is excellent in cycle characteristics, and to provide the nonaqueous electrolyte secondary battery using that negative electrode plate.例文帳に追加

ケイ素及びケイ素合金から選択された少なくとも１種の負極活物質粒子を用いた、サイクル特性に優れた非水電解質二次電池用負極極板及びその負極極板を用いた非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁

Then, the polycrystalline silicon film is patterned and a capacitative upper electrode 16a can be formed, and the silicon oxide film is patterned, forming a capacitative dielectric film 15a in a larger shape than that of the capacitative upper electrode 16a on the capacitative upper electrode 16a.例文帳に追加

そして、多結晶シリコン膜をパターニングして容量上部電極１６ａを形成した後、シリコン酸化膜をパターニングして、容量上部電極１６ａの下に容量上部電極１６ａよりも大きい形状の容量誘電体膜１５ａを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1, a second electrode layer 7 which is connected directly to the substrate 1 and a plurality of capacitors having a first insulation layer 8 and a second insulation layer 6 inserted between a first electrode layer 5, the second electrode layer 7 and the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１と第２の電極層７が直接接続され、第１の電極層５と第２の電極層７及びシリコン基板１との間に、第１の絶縁層８及び第２の絶縁層６が介在した複数個のキャパシタを有する半導体装置。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming the lower electrode 17 containing silicon on a silicon substrate 11, forming a capacitance insulating film 21 covering the surface of the lower electrode 17, and forming an upper electrode 22 covering the surface of the capacitance insulating film 21.例文帳に追加

シリコン基板１１の上部にシリコンを含む下部電極１７を形成する工程と、下部電極１７の表面を覆って容量絶縁膜２１を形成する工程と、容量絶縁膜２１の表面を覆って上部電極２２を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A hetero-junction field-effect semiconductor device includes an electron transit layer 4, an electron supply layer 5, a source electrode 6, a drain electrode 7, a gate electrode 8, a first insulating film 9 made of silicon oxide, and a second insulating film 10 made of silicon nitride.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層４と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、シリコン酸化物から成る第１の絶縁膜９と、シリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０とを有している。 - 特許庁

In this case, when a distance between the electrode terminal pad of the silicon substrate and the electrode terminal pad of the flexible circuit substrate is represented by d1, and a distance between the silicon substrate surface and the electrode terminal pad of the flexible circuit substrate is represented by d2, inequality d2>d1 holds with respect to the distance d1 and the distance d2.例文帳に追加

その際、シリコン基板の電極端子パッドとフレキシブル回路基板の電極端子パッドとの間隔をｄ１、シリコン基板表面とフレキシブル回路基板の電極端子パッドとの間隔をｄ２とする場合、間隔ｄ１と間隔ｄ２とが、ｄ２＞ｄ１の関係とする。 - 特許庁

A fixed electrode 23 and a capacitor are formed, and a movable electrode part 11 of a silicon part 1 which is displaced by pressure is electrically connected to a surface of a glass part 2 by a through hole electrode 26a formed in a fan-shaped through hole 22a which forms a circle by adjacent four chips and a silicon itself.例文帳に追加

固定電極23とコンデンサを形成し、圧力で変位するシリコン部品１の可動電極部11が、隣合う４つのチップで円形となる扇形のスルーホール22a に形成されたスルーホール電極26a とシリコン自体とによって、ガラス部品２の表面まで電気的に接続されている。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, a 1st insulating film 2, and on the surface of the 1st insulating film 2, inter-electrode insulating films 3 composed of silicon oxide films and charge transfer electrodes 40 of 1st layers are formed; and a charge transfer electrode 50 is formed between the inter-electrode insulating films 3.例文帳に追加

シリコン基板１表面には、第１の絶縁膜２が形成され、第１の絶縁膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３と第１層の電荷転送電極４０が形成され、電極間絶縁膜３の間には、第２層の電荷転送電極５０が形成される。 - 特許庁

In the solid electrolyte type carbon dioxide gas sensor element having a working electrode and a reference electrode joined to a surface of a solid electrolyte layer, a double oxide of a rare earth element and silicon such as NaLa_9(SiO_4)_6O_2, or a rare earth element, an alkali metal element and a double oxide of silicon are added to the working electrode.例文帳に追加

固体電解質層の表面に作用電極及び参照電極が接合されてなる固体電解質型炭酸ガスセンサ素子において、作用極にＮａＬａ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２等の希土類元素及び珪素の複酸化物、又は希土類元素、アルカリ金属元素、及び珪素の複酸化物を添加する。 - 特許庁

On both the side faces of the control gate electrode 13, the laminate of silicon oxide film and silicon nitride film is deposited for the film thickness of about 7 nm, and a protecting and insulating film 14 is formed for protecting the control gate electrode 13 when forming a floating gate electrode 15.例文帳に追加

制御ゲート電極１３の両側面上には、膜厚がそれぞれ７ｎｍ程度のシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層体が堆積されてなり、浮遊ゲート電極１５が形成される際に制御ゲート電極１３を保護する保護絶縁膜１４が形成されている。 - 特許庁

The acceleration sensor 3 is composed of a comb-teeth-shaped fixed electrode that is fixed to the silicon substrate 7, a weight section having a comb-teeth-shaped movable electrode opposite to the fixed electrode, and a beam for supporting the weight section on the silicon substrate 7 so that the beam can be freely moved.例文帳に追加

加速度センサ３は、シリコン基板７に固定された櫛歯状の固定電極と、この固定電極と対向する櫛歯状の可動電極を有する重り部と、この重り部をシリコン基板７上に可動自在に支持する梁とから構成するものである。 - 特許庁