「silicon electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In a nonaqueous electrolyte secondary battery, an active material including a graphite material as well as silicon or a silicon compound is used as a negative electrode active material, and polyimide and polyvinylpyrrolidone are used as a negative electrode binder.例文帳に追加

負極活物質として、黒鉛材料とケイ素またはケイ素化合物とを含む活物質を用い、負極バインダーとして、ポリイミド及びポリビニルピロリドンを用いることを特徴としている。 - 特許庁

The transducer includes a silicon substrate 1 and a laminate in which a support layer 2, a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 composed of aluminum nitride and a second electrode 5 are laminated in this order on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１と、このシリコン基板１上に支持層２と第一の電極３と窒化アルミニウムからなる圧電体層４と第二の電極５とがこの順に積層された積層体とを有する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a silicon nitride film 12 for use in a dielectric film is formed on the upper surface of a lower electrode 8 of a capacitive element 1 and an upper electrode 15 is formed on the upper surface of the silicon nitride film 12.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、容量素子１の下部電極８上面に誘電体膜としてのシリコン窒化膜１２が形成され、シリコン窒化膜１２上面に上部電極１５が形成される。 - 特許庁

To restrain increases of thicknesses of an electrode and a battery by charging and discharging to improve a cycle characteristic, in a lithium secondary battery using, as a negative electrode active material, active material particles each containing silicon and/or a silicon alloy.例文帳に追加

ケイ素及び／またはケイ素合金を含む活物質粒子を負極活物質として用いたリチウム二次電池において、充放電による電極及び電池の厚みの増加を抑制し、サイクル特性を向上させる。 - 特許庁

The negative electrode for lithium ion secondary battery includes a silicon film with a porosity of 3-20%, which is composed of silicon containing a carbon element of 10-10,000 ppm, on a metal foil, and a lithium ion secondary battery using the negative electrode is also provided.例文帳に追加

金属箔上に、炭素単体を１０〜１００００ｐｐｍ含有するシリコンからなる、気孔率３〜２０％のシリコン膜を備えるリチウムイオン二次電池用の負極およびかかる負極を備えるリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

To provide an inspection method in which it can be easily and surely confirmed that a vent hole for gas blowout formed in a silicon electrode plate for plasma etching penetrates the silicon electrode plate.例文帳に追加

プラズマエッチング用シリコン電極板に形成されたガス噴出用の通気孔の貫通を容易かつ確実に確認できる検査方法を提供する。 - 特許庁

At that time, the height difference between the surface of the first silicon film and the surface of the second silicon film is made smaller than the gate length of the first gate electrode or the second gate electrode.例文帳に追加

このとき、第１シリコン膜表面と、第２シリコン膜表面との高さの差は、第１ゲート電極又は第２ゲート電極のゲート長よりも小さいものとする。 - 特許庁

In the electrode pad part formed so as to contact with a surface of a silicon substrate, the electrode pad part has such a structure that a first insulating film and polysilicon are laminated from the surface side of the silicon substrate in sequence.例文帳に追加

シリコン基板表面に接するように形成された電極パッド部において、電極パッド部は、第１の絶縁膜とポリシリコンが、シリコン基板表面側から順に積層している構造である。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, an insulating film 2 is formed, and on its surface, an inter-electrode insulating film 3 composed of a silicon oxide film and a charge transfer electrode 40 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１表面には、絶縁膜２が形成され、その表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３と電荷転送電極４０が形成される。 - 特許庁

After a first electrode 11 and a second electrode 12 of the photo-sensor element are formed of polycrystalline silicon films, a light-receiving layer 13 of the photo-sensor element is formed of an amorphous silicon film on an upper layer.例文帳に追加

光センサ素子の第一の電極１１と第二の電極１２を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層１３を非晶質シリコン膜で形成する。 - 特許庁

After a normal MISFET using a gate electrode 5 of polycrystal silicon is formed, an inter-layer insulating film 21 is flattened by CMP so that the polycrystal silicon gate electrode 5 is exposed before an aluminum film 22 is deposited.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極５を用いた通常のＭＩＳＦＥＴを形成後、層間絶縁膜２１をＣＭＰにより平坦化し、多結晶シリコンゲート電極５を露出させた後、アルミニウム膜２２を堆積する。 - 特許庁

Among the insulator films 5, a portion between a side face of the control gate electrode CG and a side face of the memory gate electrode MG comprises a silicon oxide film 6a, and does not have the silicon nitride film 10a.例文帳に追加

絶縁膜５のうち、制御ゲート電極ＣＧの側面とメモリゲート電極ＭＧの側面との間の部分は、酸化シリコン膜６ａからなり、窒化シリコン膜１０ａを有していない。 - 特許庁

The concentration of fluorine is high near an interface with the silicon substrate 1 and reduces gradually as getting close to the gate electrode 8, and the concentration of nitrogen is high near an interface with the gate electrode 8 and reduces gradually as getting close to the silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、フッ素の濃度は、シリコン基板１との界面付近で高くてゲート電極８に近づくほど漸次減少し、窒素の濃度は、ゲート電極８との界面付近で高くてシリコン基板１に近づくほど漸次減少する。 - 特許庁

The negative electrode 22 is prepared using negative electrode material containing silicon or silicon compound that was crushed under the atmosphere of oxygen partial pressure not less than 10 Pa and in the range below the partial pressure of oxygen in the air.例文帳に追加

負極２２は、１０Ｐａ以上かつ空気の酸素分圧よりも低い範囲内の酸素分圧雰囲気中において粉砕したケイ素またはケイ素化合物を含む負極材料を用いて作製する。 - 特許庁

A silicon substrate 101 as a work is kept horizontal in position, a negative electrode 129 is arranged over the silicon substrate 101, and a positive electrode 114 is brought into contact with the rear of the substrate 101.例文帳に追加

処理対象のシリコン基板１０１を水平に保持し、シリコン基板１０１の上方にマイナス電極１２９を配置すると共にシリコン基板１０１の裏面にプラス電極１１４を接触させる。 - 特許庁

The high-field drift layer 6 constitutes a drift part, and the n-type silicon substrate 1 and an ohmic electrode (not illustrated) on the rear surface of the n-type silicon substrate 1 constitute a lower electrode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６がドリフト部を構成し、ｎ形シリコン基板１とｎ形シリコン基板１の裏面のオーミック電極（図示せず）とで下部電極を構成している。 - 特許庁

Thereafter, the thermal oxide film 22 formed on the rear of the silicon carbide semiconductor substrate 1 is removed, a back electrode 23 is provided to the rear of the silicon carbide semiconductor substrate 1, and then a gate electrode 24 is formed on the thermal oxide film 22 for a check.例文帳に追加

その後、炭化珪素半導体基板の裏面に形成された熱酸化膜２２を除去し、さらに炭化珪素半導体基板の裏面に裏面電極２３を形成したのち、熱酸化膜上に検査用のゲート電極２４を形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device consists of forming a lower electrode 3 by laminating a Ti film 3a and a Pt film 3b formed on a silicon oxide film 2 covering a silicon substrate 1, and depositing a first PZT film 4a on this electrode 3 to crystallize the film 4a.例文帳に追加

シリコン基板１を覆うシリコン酸化膜２上にＴｉ膜３ａとＰｔ膜３ｂが積層された下部電極３を形成し、この上に第１のＰＺＴ膜４ａを堆積して結晶化させる。 - 特許庁

The oscillator filter comprises: a silicon substrate 40; an oscillator 41, which is provided by patterning a polycrystalline silicon layer which is deposited on the oscillator 41, in a rectangular pattern; an input terminal electrode 42; and an output terminal electrode 43.例文帳に追加

振動子フィルタは、シリコン基板４０と、この上に堆積された多結晶シリコン層を矩形パターンに形成して得られた振動子４１と入力端子電極４２及び出力端子電極４３とを有する。 - 特許庁

To provide a silicon oxide usable as a negative electrode active material of a lithium ion secondary battery having superior initial period efficiency and cycle characteristics, and to provide a negative electrode material for the lithium ion secondary battery using this silicon oxide.例文帳に追加

優れた初期効率およびサイクル特性を有するリチウムイオン二次電池の負極活物質として用いることのできる珪素酸化物およびこの珪素酸化物を用いたリチウムイオン二次電池用負極材を提供する。 - 特許庁

The power storage device includes a negative electrode having a crystalline silicon film as a negative electrode active material on the surface of a current collector and containing conductive oxide on a surface layer section of the crystalline silicon film.例文帳に追加

集電体の表面に負極活物質として結晶性珪素膜が設けられ、前記結晶性珪素膜の表層部に導電性酸化物が含まれている負極を有する蓄電装置に関する。 - 特許庁

The back gate electrode 21 and the gate electrode 22 are formed by conductive films 18 of a three-layer structure where an n-type silicon layer 15, a metal silicide layer 16 and a p-type silicon layer 17 are laminated in order from lower layer side.例文帳に追加

バックゲート電極２１及びゲート電極２２は、下層側から順に、ｎ型シリコン層１５、金属シリサイド層１６、ｐ型シリコン層１７が積層された３層構造の導電膜１８により形成する。 - 特許庁

When, for example, a gate-electrode 2 is formed on a semiconductor substrate 4 via a silicon oxide film 5, the gate-electrode 2 is constituted by a laminate of a plurality of polycrystalline silicon layers 6.例文帳に追加

ゲ−ト電極２の部分は、非晶質層の堆積工程とこの非晶質材料の結晶化（再結晶化）工程とを有する薄膜の製造方法により形成する。 - 特許庁

On a p-type silicon substrate 1011, a fine particle diffusion region 1012, an SiO2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n-type polycrystalline silicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided in the order of lower part.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板1011上には、微粒子分散領域1012、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2 膜1015、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極1016が下から順に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first front-surface electrode 18 and a first rear-surface electrode 31 in contact with a silicon substrate 10 and the thickness of these electrodes 18 and 31 is, respectively 3% or more in the thickness of the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０に接する第１表面電極１８および第１裏面電極３１の厚さをシリコン基板１０の厚さの３％以上とする。 - 特許庁

An n-type single crystal silicon substrate 3 on the rear side of a polycrystalline silicon thin film 5 to be anodized with a part of the surface dipped in an electrolyte 1 is used as a positive electrode and a platinum dipped in the electrolyte 1 as a negative electrode 4.例文帳に追加

陽極酸化の対象であって電解液１に表面の一部が接する多結晶シリコン薄膜５の裏面側のｎ形単結晶シリコン基板３を正極とし、電解液１に浸された白金を負極４とする。 - 特許庁

On the surface of the silicon substrate 40, a p-side electrode layer 42 is formed via an insulating layer 46 so as to surround the recessed portion 40a, and on the backside of the silicon substrate layer 40, an n-side electrode layer 44 is formed.例文帳に追加

シリコン基板４０の表面には、凹部４０ａを取り囲むように絶縁層４６を介してｐ側電極層４２が形成され、シリコン基板４０の裏面には、ｎ側電極層４４が形成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, an emitter electrode section made of polycrystalline silicon is provided on a base layer, and at the same time the pad for probes composed of a comb-shaped groove containing the polycrystalline silicon is provided on the base layer being adjacent to the emitter electrode section.例文帳に追加

ベース層上に多結晶シリコンからなるエミッタ電極部を有し、かつ該エミッタ電極部に隣接する前記ベース層上に多結晶シリコンを含む櫛状の溝からなる探針用バッドを設けた。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the electrode capacitance of its each external electrode formed on a thin silicon substrate is suppressed to be low and the warping quantity of the silicon substrate is suppressed to be small, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄いシリコン基板上に形成する外部電極の電極容量を低く抑え、且つ、シリコン基板の反り量を小さく抑えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gap electrode and a drawing electrode are then formed inside the silicon chip through an insulating layer, and a front surface of a recess along the outer periphery of the silicon chip is covered with a gold thin film.例文帳に追加

次にシリコンチップ内部に絶縁層を介してギャップ電極と引出電極を形成、シリコンチップ外周部の凹部の表面を金薄膜で被う。 - 特許庁

The electrode material of the electrochemical element is used in which a plurality of silicon nanowires containing silicon are arranged in a plurality of independent particles containing silicon, in which the silicon nanowires constitute a mutually intertwined silicon nanowire network, and in which lithium is stored in the independent particles and the silicon nanowire network.例文帳に追加

シリコンを含む複数の独立粒子に、シリコンを含む複数のシリコンナノワイヤーが配され、前記シリコンナノワイヤーが相互に絡み合ったシリコンナノワイヤーネットワークを構成し、前記独立粒子および前記シリコンナノワイヤーネットワークにリチウムを吸蔵させることを特徴とする電気化学素子の電極材料を用いる。 - 特許庁

To provide an amorphous silicon crystallizing method for crystallizing amorphous silicon in a short time and with suppressing occurrence of crack or warp in a bottom gate type silicon composite having an electrode forming metal film between a substrate and a silicon layer, thereby denaturing the silicon layer to crystal silicon material.例文帳に追加

基板とシリコン層との間に電極形成用金属膜が設けられてなるボトムゲート型のシリコン複合体を、短時間で、クラックや反りの発生を小さく抑制しながら、アモルファスシリコンを結晶化させてシリコン層を結晶シリコンよりなるものに変質させることができるアモルファスシリコンの結晶化方法の提供。 - 特許庁

A semiconductor memory device is configured, with a charge capture film 5 being arranged, composed of the sequential lamination of a gate oxide film 11, silicon nitride film 12, silicon oxide film 13, silicon nitride film 14, silicon oxide film 15, silicon nitride film 16, and silicon oxide film 17, between a channel region C located between a source region 3 and drain region 4, and a gate electrode 6.例文帳に追加

ソース領域３−ドレイン領域４間のチャネル領域Ｃとゲート電極６との間に、ゲート酸化膜１１、シリコン窒化膜１２、シリコン酸化膜１３、シリコン窒化膜１４、シリコン酸化膜１５、シリコン窒化膜１６及びシリコン酸化膜１７が順次積層されてなる電荷捕獲膜５が配されて半導体記憶装置が構成される。 - 特許庁

To form a silicon layer or metal silicide layer over the source drain electrode of a PMIS transistor without causing lattice relaxation in a silicon germanium layer containing germanium of high concentration even when the silicon germanium layer is used for the source drain electrode.例文帳に追加

ＰＭＩＳトランジスタのソースドレイン電極に高濃度のゲルマニウムを含むシリコンゲルマニウム層を用いても、シリコンゲルマニウム層に格子緩和を生じさせることなく、ソースドレイン電極の上部にシリコン層又は金属シリサイド層を形成できるようにする。 - 特許庁

After a gate electrode 4 is formed of silicon on a silicon substrate 1 through a gate insulating film 3, the silicon substrate 1 is implanted with impurities to form a diffusion layer 7 becoming a source or a drain in regions sandwiching the gate electrode 4.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート絶縁膜３を介してシリコンからなるゲート電極４を形成した後、シリコン基板１に不純物を注入して、ゲート電極４を挟む領域にソースまたはドレインとなる拡散層７を形成する。 - 特許庁

The control gate electrode CG is formed on an insulating film 3 as a gate insulating film; and the memory gate electrode MG is formed on an insulating film 6 composed of a silicon oxide film 6a, a silicon nitride film 6b and a silicon oxide film 6a.例文帳に追加

制御ゲート電極ＣＧは、ゲート絶縁膜としての絶縁膜３上に形成され、メモリゲート電極ＭＧは、酸化シリコン膜６ａ、窒化シリコン膜６ｂおよび酸化シリコン膜６ａの積層膜からなる絶縁膜６上に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises: a silicon substrate 101; a through electrode 129 that penetrates the silicon substrate 101; and a first insulating ring 130 that is provided to the outer periphery of the side surface of the through electrode 129 and penetrates the silicon substrate 101.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１、シリコン基板１０１を貫通する貫通電極１２９、および貫通電極１２９の側面外周に設けられるとともにシリコン基板１０１を貫通する第一絶縁リング１３０を有する。 - 特許庁

In the method for forming the gate electrode containing the doped silicon film, a process for forming the doped silicon film provides a method for forming the gate electrode, including a process for coating the upper portion of the substrate with at least a liquid silicon material.例文帳に追加

本発明は、ドープシリコン膜を含むゲート電極の形成方法であって、前記ドープシリコン膜を形成する工程は、少なくとも液体シリコン材料を基板上方に塗布する工程を含む、ゲート電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

A drain region 2a is formed in the vicinity of a gate electrode MG1 and a source region 2b is formed on a surface layer of a silicon substrate 2 while the source region 2b is separated from the side end (end part) of a gate electrode MG1 in a plane direction by the film thicknesses of a silicon oxide film 11 and a silicon nitride film 12.例文帳に追加

ドレイン領域２ａはゲート電極ＭＧ１の近傍に位置して形成されており、ソース領域２ｂはシリコン酸化膜１１およびシリコン窒化膜１２の膜厚分だけゲート電極ＭＧ１の側端（端部）から平面方向に離間してシリコン基板２の表層に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device has the silicon pillar 15A, a gate electrode 20A coating the side face of the silicon pillar 15A through a gate insulating film 19A, a diffusion layer 26 arranged to the upper section of the silicon pillar 15A and a cylindrical sidewall insulating film 25 insulating the diffusion layer 26 and the gate electrode 20A.例文帳に追加

シリコンピラー１５Ａと、ゲート絶縁膜１９Ａを介してシリコンピラー１５Ａの側面を覆うゲート電極２０Ａと、シリコンピラー１５Ａの上部に配置された拡散層２６と、拡散層２６とゲート電極２０Ａとを絶縁する筒状のサイドウォール絶縁膜２５とを備える。 - 特許庁

A gate electrode 14 for controlling potential is provided on the side of the silicon island 11a with a gate insulation film 13 made of interposed silicon oxide film, and a control electrode 16 for controlling potential is provided on the other side thereof with an insulation film 15 made of interposed silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン島部１１ａの側部の一方にはシリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜１３を介して電位制御用のゲート電極１４が設けられ、シリコン島１１ａの側部の他方にはシリコン酸化膜よりなる絶縁膜１５を介して電位制御用の制御電極１６が設けられている。 - 特許庁

Between the highly doped silicon films 6s and 6d which are in contact with a source electrode 8s and a drain electrode 8d, respectively, and the polycrystalline silicon film 4, non-doped or lightly doped (100 ppm or less) hydrogenated amorphous silicon layers 5s and 5d are formed by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

ソース電極８ｓおよびドレイン電極８ｄにそれぞれ接する高濃度不純物添加シリコン膜６ｓ，６ｄと、多結晶シリコン膜４との間に、無添加または低濃度（１００ｐｐｍ以下）不純物添加水素化非晶質シリコン層５ｓ，５ｄを化学気相成長法により形成する。 - 特許庁

To prevent a lower electrode layer surface from forming a natural oxide film and to promote growing of hemisphere crystal particles by controlling a silicon dangling bond on the surface of an amorphous silicon layer which was made dry etching by a lower electrode layer pattern to increase immigration of silicon and to grow hemisphere crystal particles.例文帳に追加

半球形結晶粒子を有するキャパシタにおいて、下部電極層の表面に自然酸化膜が形成されないようにするとともに半球形結晶粒子の成長を増進させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon thin-film photoelectric conversion device is provide with a rear side electrode 12 containing a light-reflective metal film 121; a silicon thin-film photoelectric conversion unit 13 containing a one-conductivity type layer 131, a photoconductive layer 132 made of a crystalline silicon thin film, and an inverse-conductivity type layer 133; and a transparent front side electrode 14.例文帳に追加

光反射性金属膜（１２１）を含む裏面電極（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明前面電極（１４）とを備える。 - 特許庁

A silicon substrate 101 placed in an aqueous solution 106 containing a dissolved electrolyte free from OH group and a counter electrode 108 arranged opposite to the silicon substrate 101 are put close to each other, and then the silicon substrate 101 and the counter electrode 108 are each connected to an electric power source as the cathode and the anode, respectively.例文帳に追加

ＯＨ基を含まない電解質を溶解させた水溶液１０６中に設置したシリコン基板１０１と、対向して配置した対極１０８を近接させ、シリコン基板１０１を陰極、対極を陽極として電源に接続する。 - 特許庁