「silicon electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

By patterning the polycrystal silicon film thereafter, a gate electrode 5 is formed.例文帳に追加

その後、多結晶シリコン膜をパターニングすることにより、ゲート電極５を形成する。 - 特許庁

As the negative electrode active material, for instance, silicon, tin, antimony, aluminum, lead, or arsenic is used.例文帳に追加

負極活物質としては、例えば、シリコン、スズ、アンチモン、アルミニウム、鉛、ヒ素などである。 - 特許庁

A silicon oxide film 5 is formed on the side of the gate electrode 4 by oxidizing polysilicon.例文帳に追加

ゲート電極４の側面には、ポリシリコンを酸化してシリコン酸化膜５を形成している。 - 特許庁

A gate electrode 3 is formed on a silicon substrate 1 having a gate insulating film 2 formed thereon.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２を形成したシリコン基板１上にゲート電極３を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor memory 1, a plurality of gate electrode films 21 are provided on a silicon substrate 11.例文帳に追加

半導体メモリ１において、シリコン基板１１上に複数枚のゲート電極膜２１を設ける。 - 特許庁

After that, damascene type gate electrode 19 consisting of the polycrystal silicon is formed.例文帳に追加

その後、多結晶シリコンからなるダマシンタイプのゲート電極１９を形成する。 - 特許庁

Moreover, a gate electrode 10 comprising a polycrystalline silicon film 12 is formed in a PMOS region.例文帳に追加

また、ＰＭＯＳ領域に、多結晶のシリコン膜１２からなるゲート電極１０を形成する。 - 特許庁

The transparent substrate, having a transparent electrode thereon, is disposed opposite to the silicon substrate.例文帳に追加

上部に透明電極を有する透明基板は、シリコン基板に対向して配設される。 - 特許庁

To provide a coating silicon electrode plate for plasma etching which has long utilization lifetime.例文帳に追加

使用寿命の長いプラズマエッチング用被覆シリコン電極板を提供する。 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR CARBONACEOUS MATERIAL, SILICON-CONTAINING CARBONACEOUS MATERIAL, NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL OF SECONDARY BATTERY, AND LITHIUM SECONDARY BATTERY例文帳に追加

炭素材用原料とこれを用いたケイ素含有炭素材、二次電池負極材、及びリチウム二次電池 - 特許庁

A gate electrode 7 is equipped with a polycrystalline silicon layer 3, a barrier layer 4, and a metal layer 5.例文帳に追加

ゲート電極７は、多結晶シリコン層３と、バリア層４と、金属層５とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma etching silicon electrode plate having less particle adhesion.例文帳に追加

パーティクル付着の少ないプラズマエッチング用シリコン製電極板を提供する。 - 特許庁

An insulating film 4 and an insulating film 5 of silicon nitride films are formed on the gate electrode 3.例文帳に追加

ゲート電極３には、シリコン窒化膜である絶縁膜４及び絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a p^+-type gate electrode 35 are formed on an n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a P^+-gate electrode 35 are formed on a N-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ^＋型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

COMPOSITE SILICON ELECTRODE HAVING SMALL RESISTIVITY IN IN-PLANE VARIATIONS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

比抵抗値の面内バラツキの小さい複合シリコン電極およびその製造方法 - 特許庁

A fixed electrode 3 is formed on a silicon substrate 1 via an insulating layer 2.例文帳に追加

シリコン基板１上には絶縁層２を介して固定電極３が形成されている。 - 特許庁

The reverse-surface electrode 7 is formed on the entire surface of the p-type amorphous silicon film 5.例文帳に追加

裏面電極７はｐ型非晶質シリコン膜５の全面に形成されている。 - 特許庁

A transparent electrode 32 and a p-type amorphous silicon layer 33 are formed in a transparent substrate 31.例文帳に追加

透明基板３１に透明電極３２及びｐ型アモルファスシリコン層３３を形成する。 - 特許庁

The nonlight-receiving surface bus bar electrode 3N is formed on the nonlight-receiving surface 1N of the silicon board 1.例文帳に追加

非受光面バスバー電極３Ｎは、シリコン基板１の非受光面１Ｎの上に形成されている。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 8 is deposited on the substrate 1 so as to cover the gate electrode 3.例文帳に追加

ゲート電極３を覆うようにして多結晶シリコン膜８を基板１上に堆積する。 - 特許庁

On a main surface of the silicon layer 3, a gate electrode 12 is formed through a gate insulation film 11.例文帳に追加

シリコン層３の主表面上にゲート絶縁膜１１を介しゲート電極１２を形成する。 - 特許庁

An ohmic electrode 2 is formed on the rear side of the n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されている。 - 特許庁

The surface layer of the silicon substrate is dug down by etching while using the gate electrode as a mask (S2).例文帳に追加

記ゲート電極をマスクにしたエッチングにより、シリコン基板の表面層を掘り下げる（Ｓ２）。 - 特許庁

A p-type contact electrode 5 is formed on the surface of the p-type silicon carbide region 4.例文帳に追加

ｐ型炭化ケイ素領域４の表面にｐ型コンタクト電極５が形成されている。 - 特許庁

The through electrode 16 is formed in a silicon substrate 11 so as to reach its reverse surface.例文帳に追加

シリコン基板１１中に裏面に達するように貫通電極１６が形成されている。 - 特許庁

The cylindrical through electrode 103 is set to be a cylindrical conductor through the silicon substrate 101.例文帳に追加

筒状貫通電極１０３を、シリコン基板１０１を貫通する筒状の導電体とする。 - 特許庁

A part of the silicon nitride film 8 is embedded in the recessed part of the gate electrode 4.例文帳に追加

このシリコン窒化膜８の一部は、ゲート電極４の窪み部分に埋め込まれている。 - 特許庁

A gate electrode 11 composed of the silicon nitride tantalic film is formed on the threshold value adjustment film 7.例文帳に追加

そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。 - 特許庁

A gate control electrode is also formed on the insulating film and first silicon oxide film.例文帳に追加

絶縁膜上、第１酸化シリコン膜上に、ゲート制御用電極を形成する。 - 特許庁

The side wall of a gate electrode is formed using a carbon-containing silicon nitrided and oxided film.例文帳に追加

ゲート電極側壁のサイドウォールを炭素含有シリコン窒化酸化膜を用いて形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING METAL-CARRYING POROUS SILICON, ELECTRODE STRUCTURE FOR FUEL CELL, AND FUEL CELL例文帳に追加

金属担持多孔質シリコンの製造方法、燃料電池用電極構造体、及び燃料電池 - 特許庁

To provide a silicon electrode plate for plasma etching which can be used longer than the conventional types.例文帳に追加

従来よりも長時間使用することができるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。 - 特許庁

Single-crystal silicon is processed into a predetermined shape and used as an electron emission electrode of this fluorescent tube.例文帳に追加

単結晶シリコンを所定形状に加工して蛍光管の電子放出電極として使用する。 - 特許庁

On a silicon substrate 10, a gate electrode 12 is formed across a gate insulating film 11.例文帳に追加

シリコン基板１０上にゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a silicon nitride film 7, a gate insulating film 5, and a gate electrode 6 are formed.例文帳に追加

この後、シリコン窒化膜７、ゲート絶縁膜５、ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide sintered compact and electrode with high density, high purity and moderate volume resistivity.例文帳に追加

高密度、高純度で、適度の体積抵抗率を有する炭化ケイ素焼結体及び電極の提供。 - 特許庁

A control oxide film 108 and a gate electrode 109 are provided on a silicon (001) substrate 100.例文帳に追加

シリコン(001)基板１００上にはコントロール酸化膜１０８、ゲート電極１０９が設けられている。 - 特許庁

A glass substrate 56 is adhered to the surface of a silicon wafer 51 formed with a pad electrode 53.例文帳に追加

パッド電極５３が形成されたシリコンウェハー５１の表面にガラス基板５６を接着する。 - 特許庁

Removing the stopper layer 7 causes a surface of the silicon electrode 5 to be exposed.例文帳に追加

ストッパ層７を除去することによりシリコン電極５の表面を露出させる。 - 特許庁

A diaphragm 43 is formed as a movable electrode board on a top face of a silicon substrate 42.例文帳に追加

シリコン基板４２の上面に、可動電極板となるダイアフラム４３が形成される。 - 特許庁

To provide a protruded silicon electrode plate for plasma etching in which cracks do not occur.例文帳に追加

亀裂が発生することのないプラズマエッチング用凸型シリコン電極板を提供する。 - 特許庁

A cylindrical amorphous silicon accumulated electrode is formed by a heat CVD method.例文帳に追加

シリンダ形状のアモルファスシリコンの蓄積電極を熱ＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

Thereafter, the control gate electrode is formed on the silicon oxinitride film and on the gate insulating film.例文帳に追加

そして、シリコン窒化酸化膜及びゲート絶縁膜上にコントロールゲート電極を形成する。 - 特許庁

Next, the front surface of the lower electrode is thermally nitrided at a predetermined temperature to form a silicon nitride film (S103).例文帳に追加

次に、下部電極の表面を所定の温度で熱窒化してシリコン窒化膜を形成する（Ｓ１０３）。 - 特許庁