「silicon electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode assembly 200 includes a first electrode and a second electrode each formed of aluminum, and a third electrode formed of silicon.例文帳に追加

電極組立体２００はアルミニウムからなる第１電極及び第２電極、シリコンからなる第３電極を含む。 - 特許庁

The negative electrode 200 includes, orderly on the reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, an i-type amorphous silicon film 4, an n-type amorphous silicon film 6, a reverse surface electrode 8 and a collector electrode 10.例文帳に追加

負極２００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン膜６、裏面電極８および集電極１０を含む。 - 特許庁

The positive electrode 100 includes, orderly on the reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, a side i-type amorphous silicon film 5, a p-type amorphous silicon film 7, a reverse surface electrode 9 and a collector electrode 11.例文帳に追加

正極１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成された側ｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含む。 - 特許庁

All the bonding pats in a silicon side electrode and a glass side electrode are arranged on a silicon by providing a contact part in a silicon substrate side, and by clamping a lead wire end part of the glass substrate side electrode with the contact part.例文帳に追加

シリコン基板側にコンタクト部を設け、ガラス基板側電極のリード線端部をコンタクト部で挟み込むことにより、シリコン側電極とガラス側電極のボンディングパットを全てシリコン上に配置する。 - 特許庁

The silicide gate electrode 2 is formed through diffusion of a metal into a silicon gate electrode 2a while the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed through the diffusion of metal into silicon layers 11a, 12a thicker than the silicon gate electrode 2a.例文帳に追加

シリサイドゲート電極２は、シリコンゲート電極２ａへの金属の拡散により形成され、ソース電極１１及びドレイン電極１２は、シリコンゲート電極２より厚いシリコン層１１ａ、１２ａへの金属拡散により形成する。 - 特許庁

The photovoltaics has a silicon substrate 1 and backside electrodes (an aluminum electrode 2, a silver electrode 3, and a connection electrode 4).例文帳に追加

本発明に係わる太陽電池では、シリコン基板１と、裏面電極（アルミニウム電極２、銀電極３、および接続電極４）とを備える。 - 特許庁

ELECTRODE FORMING METHOD TO SILICON CARBIDE, ELECTRODE FORMING DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT USING ELECTRODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

炭化ケイ素への電極形成方法、電極形成装置、電極を用いた半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

The connection electrode 4 is formed on the principal surface of the silicon substrate 1, electrically connecting the aluminum electrode 2 and the silver electrode 3.例文帳に追加

接続電極４は、シリコン基板１の主面上において形成されており、アルミニウム電極２と銀電極３とを電気的に接続する。 - 特許庁

A surface electrode 4 is formed on the p-type amorphous silicon film 3 and a comb-type current collecting electrode 5 is formed on the surface electrode 4.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜３上に表面電極４が形成され、表面電極４上にくし形の集電極５が形成されている。 - 特許庁

A silicon base plate 2 is put on a base plate electrode 1, and a shower electrode 4 and a shower plate 5 are formed on an opposing electrode 3.例文帳に追加

基板電極１上にシリコン基板２が載置され、対向電極３にはシャワー電極４及びシャワープレート５が設けられている。 - 特許庁

A rear surface electrode 8 is formed on the n-type amorphous silicon film 7 and a comb-type current collecting electrode 9 is formed on the rear surface electrode 8.例文帳に追加

ｎ型非晶質シリコン膜７上に裏面電極８が形成され、裏面電極８上にくし形の集電極９が形成されている。 - 特許庁

An XY-movable electrode 3, an XY-fixed electrode 4 and a Z-movable electrode 5 are provided on a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２上には、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５が設けられている。 - 特許庁

In the non-aqueous secondary battery having a positive electrode, a negative electrode, and a non-aqueous electrolyte, the negative electrode is fabricated using a silicon alloy or tin alloy.例文帳に追加

正極、負極および非水電解質を有する非水二次電池において、上記負極を、シリコン合金またはスズ合金を用いて作製する。 - 特許庁

The negative electrode 4 has a negative electrode active material layer 12 containing at least one of silicon and tin on a negative electrode current collector 11.例文帳に追加

負極４では、負極集電体１１の上に、ケイ素およびスズの少なくとも一方を含む負極活物質層１２を設けている。 - 特許庁

Then, the negative electrode active material layer contains the negative electrode active material having the silicon-based negative electrode material as a main component, and a binder.例文帳に追加

そして、負極活物質層は、ケイ素系負極材料を主成分とする負極活物質と、バインダと、を含む。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 includes negative electrode active material particles having silicon as a constituent element.例文帳に追加

負極２２の負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を構成元素として有する複数の負極活物質粒子を含んでいる。 - 特許庁

The solar cell includes a silicon substrate 1 having a light receiving surface, a first electrode layer 7 containing aluminum formed on a surface opposite to the light receiving surface of the silicon substrate 1, a second electrode layer 6 containing aluminum and silicon formed between the first electrode layer 7 and the silicon substrate 1, and a BSF layer 9 formed between the second electrode layer 6 and the silicon substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る太陽電池は、受光面を有するシリコン基板１、シリコン基板１の受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第１の電極層７、第１の電極層７とシリコン基板１との間に形成されアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層６、第２の電極層６とシリコン基板１との間に形成されたＢＳＦ層９を備えて構成される。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device with low contact resistance between a silicon carbide semiconductor substrate and an electrode film in which an electrode film hardly peels from the silicon carbide semiconductor substrate.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板と電極膜との間のコンタクト抵抗が低く、炭化珪素半導体基板から電極膜が剥離しにくい炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A silicon oxide film 55, a silicon nitride film 56 and a silicon oxide film 57 are formed sequentially on a semiconductor substrate 20, in which a memory gate electrode 34, a control gate electrode 42 and gate electrodes 43-45 are formed.例文帳に追加

メモリゲート電極３４、コントロールゲート電極４２、ゲート電極４３〜４５が形成されている半導体基板２０上に、酸化シリコン膜５５、窒化シリコン膜５６、酸化シリコン膜５７を順次、形成する。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is prepared, a p-type silicon layer and an n^+-type silicon layer are formed on the main surface 101a, and a gate electrode 6 and a source electrode are formed for each active element on the main surface 101a.例文帳に追加

シリコン基板１０１を用意し、主面１０１ａからｐ型シリコン層、ｎ＋型シリコン層を形成し、さらに主面１０１ａ上にゲート電極６およびソース電極を各能動素子毎に形成する。 - 特許庁

A source electrode 9 is electrically connected to the n-type silicon carbide source layer 5 and to the p-type silicon carbide base layer 3, and the drain electrode 10 is provided on the rear surface of the n-type silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

ソース電極９は、ｎ型炭化珪素ソース層５、および、ｐ型炭化珪素ベース層３に電気的に接続して設けられ、ドレイン電極１０は、ｎ型炭化珪素基板１裏面に設けられる。 - 特許庁

A silicon substrate 21 is stuck on the reverse surface side of the silicon substrate 11, and an exposure tip part of the through electrode 16 and an electrode terminal 25 on the silicon substrate 21 are electrically connected to each other.例文帳に追加

シリコン基板１１の裏面側にシリコン基板２１が貼り合わされていると共に、貫通電極１６の露出先端部とシリコン基板２１上の電極端子２５とが電気的に接続されている。 - 特許庁

In a silicon substrate 1, a gate insulating film 4b, a polycrystalline silicon film 5, an electrode insulating film 6, and a polycrystalline silicon film 7 are laminated, and then a gate electrode GHV is formed by etching.例文帳に追加

シリコン基板１にゲート絶縁膜４ｂ、多結晶シリコン膜５、電極間絶縁膜６、多結晶シリコン膜７を積層し、エッチングによりゲート電極ＧＨＶを形成する。 - 特許庁

On the reverse surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1, an i-type amorphous silicon film 3 is formed and on the i-type amorphous silicon film 3, a positive electrode 100 and a negative electrode 200 are formed.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜３が形成されており、ｉ型非晶質シリコン膜３上に正極１００および負極２００が形成されている。 - 特許庁

The secondary battery having an electrode containing silicon or silicon compound, the electrode, for example, has a current collector provided by metal and a silicon film provided on the current collector as an active material, is provided.例文帳に追加

シリコンまたはシリコン化合物を含む電極を有し、該電極は、例えば、金属により設けられた集電体と、該集電体上に活物質として設けられたシリコン膜と、を有する二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a negative electrode suitable for preventing destruction of silicon particles or desorption thereof from a collector due to expansion/contraction of lithium insertion/withdrawal silicon particles of a high capacity silicon based negative electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高容量であるシリコン系の負極のリチウム挿入／離脱うシリコン粒子の膨張／収縮によるシリコン粒子の破壊や集電体からの脱離を防ぐ負極に適した負極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the silicon electrode for a battery includes a silicon anode formed of a pillar 2 of silicon of a submicron diameter which is manufactured on an n-type silicon wafer 3.例文帳に追加

さらに電池用シリコン電極は、ｎ型シリコンウエハ３上に作製されたサブミクロン直径のシリコンのピラー２から形成されたシリコンアノードを含む。 - 特許庁

A silicon oxide film 4 and a silicon nitride film 5 are film-formed to cover a gate electrode 3 formed on a silicon substrate 1, and a side wall is formed by selective etching of the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン基板１に形成されたゲート電極３を覆って、シリコン酸化膜４及びシリコン窒化膜５を成膜し、シリコン窒化膜の選択的エッチングによってサイドウォールを形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 8 is laminated as a ground material on a polycrystal silicon film 7 constituting a gate electrode, and an amorphous silicon film 12a for forming a shrink pattern is separately formed on an upper surface of the silicon nitride film.例文帳に追加

ゲート電極を構成する多結晶シリコン膜７上に、下地材としてシリコン窒化膜８が積層され、その上面にシュリンクパターンを形成するための非晶質シリコン膜１２ａが分離形成される。 - 特許庁

A fragile layer is formed on a single crystal silicon substrate, and a first impurity silicon layer is formed on one surface side of the single crystal silicon substrate, and further a first electrode formed on the first impurity silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン基板に脆化層を形成し、且つ単結晶シリコン基板の一表面側に第１不純物シリコン層を形成し、第１不純物シリコン層上に第１電極を形成する。 - 特許庁

The method for evaluating a silicon single crystal wafer includes: depositing a silicon oxide film on a surface of the silicon single crystal wafer; and measuring C-V characteristics by bonding a mercury electrode on the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの表面に酸化珪素膜を堆積させ、該酸化珪素膜上に水銀電極を接合してＣ−Ｖ特性を測定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの評価方法。 - 特許庁

After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.例文帳に追加

平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 21 and an n-type amorphous silicon film 22 are formed on the main surface of an n-type monocrystal silicon substrate 11, and a surface electrode 12 is formed on the n-type amorphous silicon film 22.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２が形成され、ｎ型非晶質シリコン膜２２上に表面電極１２が形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 23 and a p-type amorphous silicon film 24 are formed on the rear face of the n-type monocrystal silicon substrate 11, and a rear electrode 16 is formed on the p-type amorphous silicon film 24.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の裏面上にｉ型非晶質シリコン膜２３およびｐ型非晶質シリコン膜２４が形成され、ｐ型非晶質シリコン膜２４上に裏面電極１６が形成される。 - 特許庁

On the polycrystal silicon film 25 corresponding to the gate electrode 22, a stopper 26 is arranged, and a silicon oxide film 27, a silicon nitride film 28 and a silicon oxide film 29 are laminated as an interlayer insulating film so as to cover this stopper 26.例文帳に追加

ゲート電極２２に対応する多結晶シリコン膜２５上に、ストッパ２６が配置され、このストッパ２６を被うように、酸化シリコン膜２７、窒化シリコン膜２８及び酸化シリコン膜２９が層間絶縁膜として積層される。 - 特許庁

In an electrode which contains silicon, and particles having an array of particle cores and silicon-containing pillars elongating therefrom as one of its active material, the particles are silicon or a mixture of silicon and germanium.例文帳に追加

シリコンを含み、粒子コア及びそれらから伸長したシリコン含有ピラーのアレイを有する粒子をその活物質の一つとして含む電極であって、該粒子はシリコン又はシリコンゲルマニウム混合物である。 - 特許庁

To amplify and output a photoelectric current resulting from photoconduction by a diode formed at a connection plane of an n-type amorphous silicon film of a low resistance and a thick amorphous silicon film by disposing the n-type amorphous silicon film between the thick amorphous silicon film and an upper electrode.例文帳に追加

厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。 - 特許庁

The gate electrode 8 has a multilayer sidewall structure composed of a silicon oxide film 10a, a silicon nitride film 10b, a silicon oxide film 10c, and a nitride film 10d of a plasma silicon nitride, for example, arranged sequentially from the sidewall.例文帳に追加

ゲート電極８の側壁構造は側壁に近い順にシリコン酸化膜１０ａ・シリコン窒化膜１０ｂ・シリコン酸化膜１０ｃ・プラズマシリコン窒化物などの窒化膜１０ｄの積層膜からなる。 - 特許庁

After an isolation insulating film 1 is formed, a gate electrode constituted of a lamination structure of a first silicon oxide film 3, a first polycrystalline silicon film 4, an ONO film 5, a second polycrystalline silicon film 6 and a second silicon oxide film 7 is formed.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１を形成後、第１のシリコン酸化膜３、第１の多結晶シリコン膜４、ＯＮＯ膜５、第２の多結晶シリコン膜６、第２のシリコン酸化膜７の積層構造からなるゲート電極部を形成する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor provided with a gate electrode having a metal electrode and a silicon electrode formed on the metal electrode, which can reduce interface resistance occurring at a boundary face between the metal electrode and the silicon electrode.例文帳に追加

金属電極と該金属電極の上に形成されたシリコン電極とを有するゲート電極を備えた電界効果型トランジスタを実現する際に、金属電極とシリコン電極との界面に生じる界面抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolytic solution secondary battery, provided with a negative electrode containing silicon as the negative electrode active material, a positive electrode containing a positive electrode active material, and a nonaqueous electrolytic solution, an additive to suppress oxidation of silicon at operation of the battery is contained in the negative electrode or on the surface of the negative electrode.例文帳に追加

負極活物質としてシリコンを含む負極と、正極活物質を含む正極と、非水電解液とを備える非水電解液二次電池において、負極内または負極の表面に、電池作動時におけるシリコンの酸化を抑制する添加剤が含まれていることを特徴としている。 - 特許庁

The lithium secondary battery includes an electrode including a negative electrode with a negative electrode current collector and a negative electrode mixture layer formed on the negative electrode current collector and including negative electrode active material particles having at least either silicon or silicon alloy and a binder, a positive electrode, and a separator arranged between the negative electrode and the positive electrode, and nonaqueous electrolyte impregnated in the electrode.例文帳に追加

リチウム二次電池は、負極集電体と、負極集電体の上に形成されており、ケイ素及びケイ素合金のうちの少なくとも一方を含む負極活物質粒子とバインダーとを含む負極合剤層とを有する負極と、正極と、負極と正極との間に配置されているセパレータとを含む電極体と、電極体に含浸されている非水電解質とを備えている。 - 特許庁

To provide a multilayer silicon electrode plate for plasma etching wherein a quantity of scrapped silicon is further reduced than heretofore.例文帳に追加

従来よりもスクラップとなるシリコン量の少ないプラズマエッチング用多層シリコン電極板を提供する。 - 特許庁

Since fixed electrodes 14-17 and a mobile electrode 13 are formed of a silicon material, the electrodes 14-17 and 13 are formed at once from a silicon wafer.例文帳に追加

固定電極１４〜１７および可動電極１３はシリコン材により形成されているから、シリコンウエハにより一度に複数個を形成する。 - 特許庁

A semiconductor element is formed to a silicon semiconductor substrate, and a trench-type collector extracting electrode buried to the silicon semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

シリコン半導体基板に半導体素子を形成した後、シリコン半導体基板に埋め込まれたトレンチ型のコレクタ取り出し電極を形成する。 - 特許庁