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solid phase diffusionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 63件
In the solid high polymer type fuel cell equipped with a film-electrode zygote 10 which electrodes are joined to both sides of a solid high polymer electrolyte film 20, at least a cathode 30 is made into a two-layer structure of a catalyst layer 34 and a diffusion layer 32, and a gaseous phase side surface of an electrolyte 40 in the catalyst layer is covered with water repellant layer 42 which has oxygen permeability.例文帳に追加
固体高分子電解質膜２０の両面に電極が接合された膜電極接合体１０を備えた固体高分子型燃料電池において、少なくともカソード３０を触媒層３４と拡散層３２の二層構造とし、酸素透過性を有する撥水層４２で触媒層内電解質４０の気相側表面を被覆する。 - 特許庁
By heating, under a high pressure, a gas turbine high-temperature component of a precipitation strengthened type alloy controlled in a crystal orientation, whose precipitated phase is varied or has a crack by use under a high temperature, the precipitated phase is solid-dissolved and newly precipitated to recover its material quality, and the crack is repaired by diffusion joining.例文帳に追加
結晶方向を制御された析出強化型の合金からなり高温下での使用によって析出相が変化し、あるいはき裂を生じたがスタービン高温部品にたいして高圧下での熱処理を施すことによって析出相を固溶・再析出させて材質を回復させるとともにき裂を拡散接合によって補修する。 - 特許庁
A platelet injector situated at a variable thrust injector 2 is formed such that a plurality of stainless sheets each having both an injection hole with a large hole size for generating high thrust and an injection hole with a small hole size for generating low thrust are laminated together and joined together through solid phase diffusion welding.例文帳に追加
推力可変噴射器２に設けられるプレートレット噴射器は、大推力発生用の大孔径の噴射孔と、小推力発生用の小孔径の噴射孔の両方を設けたステンレス薄板を複数枚積層し、固相拡散接合で接合することで製作される。 - 特許庁
To reutilize a target material and a backing plate in a sputtering target assembled body in which the target material and the backing plate are firmly joined via an inert material by solid phase diffusion joining, by separating the target material and the backing plate by a simple and secure method.例文帳に追加
ターゲット材２とバッキングプレート３とがインサート材４を介して固相拡散接合により強固に接合されてなるスパッタリングターゲット組立体１において簡便且つ確実な方法にてターゲット材２とバッキングプレート３とを分離することにより、ターゲット材２とバッキングプレート３とを再利用する。 - 特許庁
This assembly has a coated film of silver or a silver alloy on the cleaned surface at a jointing side of a target, or at the both jointing sides of the target and a backing plate consisting of copper or a copper alloy, and comprises that the target and the backing plate are solid-phase diffusion jointed, making the surface having the coated film as a jointing surface.例文帳に追加
ターゲットの接合側又はターゲット及び銅又は銅合金からなるバッキングプレートの接合側の清浄化処理された表面上に銀又は銀合金の被覆膜を有し、該被覆膜を備えた面を接合面として、ターゲットとバッキングプレートとが固相拡散接合されてなる。 - 特許庁
In the sidewalls of the first and second packages 2 and 3, a high frequency signal line 11 and a high frequency GND line 12 forming a transmission line in combination with via holes are provided in the vertical direction and these packages are subjected to gold - gold solid phase diffusion bonding.例文帳に追加
第１、第２のパッケージ２、３の側壁内部には、ビアホールを組み合わせてなる伝送線路である高周波信号配線１１及び高周波ＧＮＤ配線１２が垂直方向に設けられ、これらのパッケージ間は金−金固相拡散接合により接合されている。 - 特許庁
As to the target material and backing plate material, a structural control heat treating process for the target material and a solid phase diffusion joining process are simultaneously performed at a joining temperature of 400 to 500°C under the joining load pressure of ≤50 MPa for a joining time of ≤2 hr in a vacuum atmosphere of ≤0.1 Pa.例文帳に追加
該ターゲット材とバッキングプレート材とを、０．１Ｐａ以下の真空雰囲気中、４００℃〜５００℃の接合温度、５０ＭＰａ以下の接合時負荷圧力及び２時間以内の接合時間で、ターゲット材の組織制御熱処理工程と固相拡散接合工程とを同時に行うこと。 - 特許庁
Probably, it is presumed that binding powers of ceramic particles and conductive particles configurating the thick film resistor 6 are enhanced and made compact by burning the thick film resistor 6 at a higher temperature, and thereby any solid phase diffusion becomes hard to occur between the thick film resistor 6 and the glass insulating layer 2 contacting with the thick film resistor 6.例文帳に追加
恐らく、厚膜抵抗６の高温焼成により、厚膜抵抗６を構成するセラミック粒子や導電粒子の結合力が強化され、また緻密となり、そのために厚膜抵抗６とそれに接するガラス絶縁層２との間で固相拡散が生じにくくなるためと推定される。 - 特許庁
A gate electrode with a lowermost Pt layer is formed on a barrier layer (nondoped AlGaAs) 17, the (initial) film thickness of the lowermost Pt layer before solid-phase diffusion is set to 2 to 5 nm, the gate electrode is heat treated at 250 to 400°C to mutually diffuse Pt in the lowermost layer and GaAs in the barrier layer 17, thereby obtaining a buried gate structure.例文帳に追加
ここで、最下層のＰｔ層の固相拡散前の膜厚（初期膜厚）を２ｎｍ以上５ｎｍ以下とし、ゲート電極を２５０℃以上４００℃以下の温度で熱処理することにより、最下層のＰｔと障壁層１７のＧａＡｓとを相互に拡散させ、埋め込み型ゲート構造を得る。 - 特許庁
Probably, it is inferred that by firing the thick-film resistor 6 at a high temperature, bonding force of ceramic particles or conductive particles which constitute the thick-film resistor 6 is reinforced and also is densified, this makes it difficult to generate solid phase diffusion between the thick-film resistor 6 and the glass insulating layer 2 which is in contact therewith.例文帳に追加
恐らく、厚膜抵抗６の高温焼成により、厚膜抵抗６を構成するセラミック粒子や導電粒子の結合力が強化され、また緻密となり、そのために厚膜抵抗６とそれに接するガラス絶縁層２との間で固相拡散が生じにくくなるためと推定される。 - 特許庁
More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加
詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁
A gate groove 5 is provided to an oxide film 4 doped with n-type impurities, n-type semiconductor regions 6 functioning as a source and a drain are formed by solid phase diffusion, and furthermore the gate groove 5 is filled up with a high dielectric material 7 and a low-resistance metal film 8 for the formation of a gate insulating film and a gate electrode.例文帳に追加
ｎ型不純物がドープされた酸化膜４にゲート溝５を形成した後、酸化膜４からのｎ型不純物の固相拡散によりソース、ドレインとして機能するｎ型半導体領域６を形成し、さらにゲート溝５の内部に高誘電体材料７および低抵抗金属膜８を埋め込むことでそれぞれゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。 - 特許庁
In a pressurizing/heating process, a CuAu alloy layer 522 being an alloy layer of Cu constituting the pad 31 and Au constituting the stud bump 52a is formed by bonding the pad 31 with the stud bump 52a and the electrode 51a with the stud bump 52a by solid-phase diffusion bonding, and all Al of the electrode 51a are made into AuAl alloy and an AuAl alloy layer 521 which does not include Al is formed.例文帳に追加
また、加圧・加熱工程では、パッド３１とスタッドバンプ５２ａ、及び電極５１ａとスタッドバンプ５２ａとを固相拡散接合により接合することによって、パッド３１を構成するＣｕとスタッドバンプ５２ａを構成するＡｕとの合金層であるＣｕＡｕ合金層５２２を形成すると共に、電極５１ａのＡｌを全てＡｕＡｌ合金化してＡｌを含まないＡｕＡｌ合金層５２１とする。 - 特許庁
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