「surface strain」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a semiconductor device, and the semiconductor device in which high strain relaxation rate is attained even in a strained SiGe film having thickness equal to or thinner than critical film thickness and high Ge concentration formed on a semiconductor substrate, through dislocation density is reduced, undulation of a second SiGe film surface formed on it is inhibited and smoothness can be enhanced.例文帳に追加

半導体基板上に形成された高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜においても高い歪緩和度を達成し、貫通転位密度を低減し、その上に形成される第２のＳｉＧｅ膜表面のうねりを抑制し、平滑性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal wafer which well displays the gettering effect by avoiding the abuses of the conventional IG method, contains little impurity or crystal strain on the surface layer at the device forming side and has gettering sites compactly existing in the wafer interior, without deteriorating various characteristics such as intensity characteristic, electric resistance characteristics, etc.例文帳に追加

従来のＩＧ法による弊害が回避され、ゲッタリング効果を良好に発揮できるシリコン単結晶ウエハを提供すること、デバイス形成側面の表層には不純物や結晶歪みがほとんど存在せず、しかも強度特性、電気抵抗特性等の諸特性を損なうことなくウエハ内部（バルク）にゲッタリングサイトが密に存在するシリコン単結晶ウエハを提供すること。 - 特許庁

This circuit has at least one electric constitutional element, in particular a strain-sensitive resistance, and conductor tracks, the tracks are provided in a metal-made carrier having an intermediate position of at least one insulation layer, and at least the one conductor track connected to at least the one another conductor track in the circuit is provided in a surface of the metal-made carrier.例文帳に追加

電気回路は、少なくとも１つの電気構成要素、殊に歪感応抵抗、及び、導体トラックを有しており、該導体トラックは、少なくとも１つの絶縁層の中間位置を有する金属製坦体に設けられており、回路の少なくとも１つの導体トラックに接続されている、少なくとも１つの別の導電トラックが、金属製坦体の表面に設けられている。 - 特許庁

The worked metal material has the hardened layer composed of nanocrystals with grain sizes of 100 nm or smaller formed by particle bombardment treatment of projecting or colliding a shot material or a collision substance 21 and thus imparting a higher strain gradient than a fixed value to the surface of a workpiece 22 made from a metallic material, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ショット材・衝突物２１を投射又は衝突させる粒子衝撃加工を行って、金属材料よりなる被加工物２２表面に一定以上の巨大歪勾配を与えることにより、結晶粒径１００ｎｍ以下のナノ結晶組織から構成される硬化層をもつことを特徴とする金属加工材料、及び、その金属加工材料の製造法。 - 特許庁

This strain sensor is manufactured by a patterning process for forming a pattern having a beltlike aperture surrounding a predetermined point in one surface of the substrate, and a process for etching the substrate along the beltlike aperture by a predetermined amount after this patterning process, and integrally forming the diaphragm copying the outline of the beltlike aperture and the needlelike projection supported at the center of the diaphragm on the substrate.例文帳に追加

この歪センサは、基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、このパターニング工程の後に帯状窓に沿って基板を所定量エッチングし、基板に帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムとダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程によって製造される。 - 特許庁