trap blockの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18件
To simply form an oil trap passage that guides lubricating oil flowing down from a cylinder block.例文帳に追加
シリンダブロックから流下する潤滑油を導くオイル落とし通路を簡便に形成する。 - 特許庁
The trap level density of the charge trapping layer 6b is greater than the trap level density of each of the transmission insulating layer 6a and the block layer 6c, and a leak current in the transmission insulating layer 6a is higher than a leak current in the block layer 6c.例文帳に追加
そして、電荷捕獲層6bのトラップ準位密度が透過絶縁層6aとブロック層6cのトラップ準位密度と比べて大きく、透過絶縁層6aのリーク電流が、ブロック層6cのリーク電流と比べて大きい。 - 特許庁
In a gate electrode G in a memory cell region, a gate insulation film 4, a trap film 5, a block film 6 and an electrode film 7 are laminated on a silicon substrate 1.例文帳に追加
メモリセル領域のゲート電極Gは、シリコン基板1上にゲート絶縁膜4、トラップ膜5、ブロック膜6、電極膜7が積層されている。 - 特許庁
The memory string MS comprises a columnar semiconductor CLmn extended vertically with respect to a substrate Ba, a trap film (charge accumulation layer) 21 contacted with the columnar semiconductor CLmn for accumulating charges, a block insulating film 22 contacted with the trap film 21, and a word line WL contacted with the block insulating film 22.例文帳に追加
メモリストリングスMSは、基板Baに対して垂直方向に延びる柱状半導体CLmnと、柱状半導体CLmnに接し且つ電荷を蓄積するトラップ膜(電荷蓄積層)21と、トラップ膜21に接するブロック絶縁膜22と、ブロック絶縁膜22と接するワード線WLとを備える。 - 特許庁
A gate insulating layer 5 is formed by sequentially stacking three layers of a tunnel oxide film 2, a charge trap film 3, and a block oxide film 4 in this order, on a silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板1の上には、トンネル酸化膜2、電荷トラップ膜3、ブロック酸化膜4の3層を積層して構成されたゲート絶縁膜5が形成されている。 - 特許庁
The laminated filter circuit 1A includes a resonance inductance 2A, DC block capacitors 6A, 6C, resonance capacitors 6B, 6D, and a trap capacitor 6F.例文帳に追加
本発明の積層型フィルタ回路1Aは、共振インダクタンス2A、直流阻止キャパシタ6A、6C、共振用キャパシタ6B、6Dおよびトラップ用キャパシタ6Fを有している。 - 特許庁
A non-volatile memory element manufacturing method includes a process of forming a tunnel layer including a metal silicate layer on a semiconductor substrate; a process of forming a charge trap layer on the metal silicate layer; a process of forming a charge block layer on the charge trap layer; and a process of forming a gate layer on the charge block layer.例文帳に追加
半導体基板上に金属シリケート層を含むトンネル層を形成する工程と、前記金属シリケート層上に電荷トラップ層を形成する工程と、前記電荷トラップ層上に電荷ブロック層を形成する工程と、前記電荷ブロック層上にゲート層を形成する工程とを含んで非揮発性メモリ素子製造方法を構成する。 - 特許庁
A solidifying condition of a trap can be uniform and the dispersion of quality can be lost because heat of the mold block can be radiated efficiently by using the heat pipes.例文帳に追加
このヒートパイプを用いることにより、モールドブロックの熱を効率良く放熱させることができるので、トラップの凝固条件を均一にし品質のばらつきをなくすことができる。 - 特許庁
The particulate trap further has an actuator with a blocking portion configured for linear movement to selectively block exhaust flow through each of the plurality of filters.例文帳に追加
さらに、微粒子トラップは、複数のフィルタのそれぞれを通した排気流を選択的にブロックするための線形移動のために構成されたブロック部分を有するアクチュエータを有する。 - 特許庁
By forming a buried clad layer and a contact layer by selective growth, a narrow mesa structure formed by etching a part of the carrier trap layer and semi-insulating block layer can be formed without etching the buried clad layer.例文帳に追加
埋め込みクラッド層及びコンタクト層を選択成長により形成することにより、埋め込みクラッド層をエッチングすることなくキャリアトラップ層および半絶縁性ブロック層の一部がエッチングされた狭メサ構造を形成する。 - 特許庁
A fire wall system 130 performs communication control communication to block communication from a device outside the secured room 190 to a device in the secured room 190 while transmitting only the SNMP trap to a monitoring server 170 from the departmental management server 120.例文帳に追加
ファイアウォール装置130は、部門管理サーバ120からのSNMPトラップのみ監視サーバ170へ送信するとともに、セキュアルーム190外の装置からセキュアルーム190内の装置への通信を遮断するように、通信制御を行う。 - 特許庁
A partition wall block for dividing the vessel into a compartment where the ozone-containing gas is fed and a compartment where liquefied ozone is stored and receiving the irradiation with the light from the light source to trap impurities having vapor pressure higher than ozone can be provided in the vessel 10.例文帳に追加
ベッセル10内には前記オゾン含有ガスが供される区画と前記液体オゾンが貯留される区画に区分すると共に前記光源の光の照射を受けてオゾンより蒸気圧を有する不純物をトラップする隔壁ブロックを備えるとよい。 - 特許庁
In gate collective processing, the silicon oxide film 11 is used as a stopper in etching the electrode film 7, the silicon nitride film 10 is used as a stopper in processing the block film 6, the polycrystalline silicon film 9 is used as a stopper in processing the trap film 5, and thereby the silicon substrate 1 can be prevented from being damaged.例文帳に追加
ゲート一括加工時に、電極膜7をエッチングするときにシリコン酸化膜11がストッパとなり、ブロック膜6加工時にシリコン窒化膜10がストッパとなり、トラップ膜5加工時に多結晶シリコン膜9がストッパとなり、シリコン基板1がダメージを受けるのを防止できる。 - 特許庁
The insect trap includes: a container for catching insect pests; a hole for insect pests to enter; and a brush part having a plurality of linear members to block the hole which are inclined in such a way that the linear members closer to the opening end are located on the inner side of the container.例文帳に追加
捕虫器は害虫を捕獲する容器と、害虫が前記容器内に進入するための孔部と、前記孔部をふさぐ複数の線状部材を備えるブラシ部であって、前記線状部材が該線状部材の開放端側ほど前記容器の内部側に位置するように傾斜して配置されるブラシ部と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁
To manufacture, with good productivity, a buried hetero structure type optical semiconductor element which has a small capacity and is suitable for high speed transmission of light which has a semi-insulating semiconductor block layer and a carrier trap layer by lowering the requirement for a controllability of an etching depth which is required for a mesa narrowing process to reduce the element capacity.例文帳に追加
半絶縁性半導体ブロック層とキャリアトラップ層を有する埋め込みヘテロ構造型光半導体素子において、素子容量低減の為に必要な狭メサ化プロセスに必要とされるエッチング深さの制御性を緩和し、素子容量が小さく高速光伝送に好適な光半導体素子を再現性良く作製することを可能とする。 - 特許庁
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