v-logの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 13件
When the silicon single crystal is pulled, the log data of the crystal growth rate V are measured, and the performance values of the crystal growth rate V are searched by using the log data.例文帳に追加
シリコン単結晶を引き上げる際に結晶育成速度Ｖのログデータを測定し、このログデータを用いて結晶育成速度Ｖの実績値を求める。 - 特許庁
Furthermore, each element of the log-periodic dipole antenna 2 is formed to be V-shaped or meandered.例文帳に追加
さらに、ログペリダイポールアンテナの各エレメントを、Ｖ字形あるいはメアンダ形状にする。 - 特許庁
In an engine ECU, a program is executed including a step S202 of calculating a knocking determination level V(KD) by using all strength values LOG(V) below a median VMED of strength values LOG(V) calculated from detected strength V based upon a signal transmitted from a knocking sensor.例文帳に追加
エンジンＥＣＵは、ノックセンサから送信された信号に基づいて検出される強度Ｖから算出される強度値ＬＯＧ（Ｖ）のうち、中央値ＶＭＥＤ以下の全ての強度値ＬＯＧ（Ｖ）を用いてノック判定レベルＶ（ＫＤ）を算出するステップ（Ｓ２０２）を含むプログラムを実行する。 - 特許庁
A plurality of yield pressures (τ) are measured by changing the moving speed (V), and the displaceability of the test particles (2) is calculated from the coefficient (m), satisfying the formula (I): log(τ)=m×log(V)+log(a); and the dispersibility of the particle sizes of the test particles is calculated from the coefficient (a).例文帳に追加
移動速度(Ｖ)を変えて複数の降伏圧力(τ)を測定し、式（Ｉ） ｌｏｇ(τ) ＝ ｍ × ｌｏｇ(Ｖ) ＋ ｌｏｇ(ａ) （Ｉ）を満足する係数ｍから前記試料粒子(2)の変位性を、係数ａから粒子径の分散性をそれぞれ求める。 - 特許庁
A rate of strength values LOG(V) larger than the knocking determination level V(KD) is counted as a knocking ratio KC, and a determination value V(KX) is reduced and increased in response to the knocking ratio KC.例文帳に追加
ノック判定レベルＶ（ＫＤ）よりも大きい強度値ＬＯＧ（Ｖ）の割合がノック占有率ＫＣとしてカウントされ、ノック占有率ＫＣに応じて判定値Ｖ（ＫＸ）が小さくされたり大きくされたりする。 - 特許庁
D0 > 60 / (f × 10^A), provided that, A =-0.5×log(60×V/f)-3 ×ρ+0.53×logη-0.9.例文帳に追加
Ｄ０＞６０／（ｆ×１０^A ） 但し、Ａ＝−０．５×Ｌｏｇ（６０×Ｖ／ｆ）−０．３×ρ＋０．５３×Ｌｏｇη−０．９ - 特許庁
This allows properly executing the judgement based upon the log (V) distribution characteristic at the time with no knocking generated including eventual generation of pseudo knocking in distinction from at the time knocking is generated.例文帳に追加
これにより、疑似ノック発生時を含むノック発生なし時とノック発生時とのｌｏｇ（Ｖ）分布特性に基づく判定が的確に実行できる。 - 特許庁
An engine ECU executes a program containing a step S204 for calculating a center value V(50) and a standard deviation σ based on calculated intensity value LOG(V), and a step S206 for calculating BGL subtracting product of multiplication of the standard deviation σ and a coefficient U(3) from the center value V(50).例文帳に追加
エンジンＥＣＵは、算出された強度値ＬＯＧ（Ｖ）に基づいて、中央値Ｖ（５０）および標準偏差σを算出するステップ（Ｓ２０４）と、標準偏差σと係数Ｕ（３）との積を、中央値Ｖ（５０）から減算してＢＧＬを算出するステップ（Ｓ２０６）とを含むプログラムを実行する。 - 特許庁
Knocking determination is performed by comparing knock intensity N calculated by subtracting BGL from the intensity value LOG(P) with a predetermined criterion V(VK).例文帳に追加
強度値ＬＯＧ（Ｐ）をＢＧＬで除算して算出されるノック強度Ｎと、予め定められた判定値Ｖ（ＶＫ）とを比較することにより、ノッキングの判定が行なわれる。 - 特許庁
In volume resistivity ρv, the absolute value Δρv of the amount of change in volume resistivity from two to 100 seconds after voltage starts to be applied in measurement by applying 200 [V] should be 0.5 [Log(Ωcm)] or smaller.例文帳に追加
体積抵抗率ρｖは、２００［Ｖ］印加で測定したとき、電圧印加開始から、２秒から１００秒までの体積抵抗率の変化量の絶対値Δρｖが０．５［Ｌｏｇ（Ω・ｃｍ）］以下であるものを用いる。 - 特許庁
Specifically, in surface resistivity ρs, the absolute value Δρs of the amount of change in the surface resistivity from two to 100 seconds after voltage starts to be applied in measurement by applying 500 [V] should be equal to or smaller than 0.3 [Log(Ω/square)].例文帳に追加
具体的には、表面抵抗率ρｓは、５００［Ｖ］印加で測定したとき、電圧印加開始から、２秒から１００秒までの表面抵抗率の変化量の絶対値Δρｓが０．３［Ｌｏｇ（Ω／□）］以下であるもの。 - 特許庁
This method is characterized by i) slight compound quantity (≤1 mL of 30-50 μg/mL necessary solution), ii) quick measurement (average 20 min), iii) low sensitivity to impurities, iv) wide lipophilic range (6 log POCT unit), v) high precision, and vi) excellent reproducibility.例文帳に追加
本法の一般的特徴は：ｉ）僅かな化合物量（≦１mLの、３０〜５０μｇ／mL必要溶液），ii）速い測定（平均２０分間）、iii）不純物に対する低感度、iv）広い親油性レンジ（６ｌｏｇ Ｐ_OCT単位）、ｖ）良い精度、vi）すばらしい再現性、である。 - 特許庁
To provide a piezoelectric resonator not employing a lead material, which can remarkably suppress the phase shift distortion due to spurious vibrations in the thickness sliding vibration or the thickness longitudinal vibration and enhance the processing yield while suppressing deterioration in the P/V (=20 log(anti-resonance impedance/resonance impedance) due to the spurious vibration.例文帳に追加
厚み滑り振動や厚み縦振動においてスプリアス振動に伴う移相歪みの発生を著しく抑制し、スプリアス振動によるＰ／Ｖの低下を抑えながら加工歩留まりを向上した非鉛からなる圧電共振素子および圧電共振装置を提供する。 - 特許庁
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