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例文 (114件)

あきばだい３ちょうめの英語

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日英固有名詞辞典での「あきばだい３ちょうめ」の英訳

あきばだい３ちょうめ

地名

英語 Akibadai 3-chome

秋葉台３丁目

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「あきばだい３ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 114件

例文

表面上に膜を成長させるための基板を保持するための基板ホルダー２０であって、台座１と、爪部材２と、弾性部材３とを備えている。例文帳に追加

The substrate holder 20 for holding a substrate for growing a film on its surface comprises a pedestal 1, a claw member 2, and an elastic member 3. - 特許庁

通例、頭頂に仏面、頭上の正面側に菩薩面（3面）、左側（向かって右）に瞋怒面（3面）、右側（向かって左）に狗牙上出面（3面）、拝観者からは見えない背面に大笑面（1面）を表わす。例文帳に追加

Usually, Butsumen is put atop the head, Bosatsumen (three faces) at the front side on the head, Shinnumen (three faces) on the left side (on the observers' right), Kugejoshutsumen (three faces) on the right side (on the observers' left) and Daishomen (one face) on the back which can not be seen from observers.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明は、基板表面２cにCVDによるダイヤモンド膜3を育成させたダイヤモンドCVD基板1において、前記基板表面2cに複数本の溝2aを設け、前記ダイヤモンド膜3の加工面側の表面3bに前記溝位置に対応する凹溝3aが形成されていることを特徴とするダイヤモンドCVD基板1である。例文帳に追加

In the diamond-deposited CVD substrate 1 in which a diamond film 3 deposited by CVD is grown on a substrate surface 2c, a plurality of grooves 2a are provided to the above substrate surface 2c and recessed grooves 3a corresponding to the positions of the above grooves are formed in a surface 3b, on the side to be processed, of the above diamond film 3. - 特許庁

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27. - 特許庁

光透過性基板１上に赤外波長カット膜３が設けられ、さらにその上に、赤外波長カット膜３側に第１の平坦面を有するレンズ２が設けられている。例文帳に追加

The infrared wavelength cut film 3 is formed on a light-transmitting substrate 1, and the lens 2 having a first flat surface 2a on the infrared wavelength cut film 3 is provided on the infrared wavelength cut film 3. - 特許庁

基板２が処理位置に到達した後、各微調用撮像部７によって、基板２のアライメントマーク３を含み、かつ第１領域よりも狭い第２領域を、第１倍率よりも高い第２倍率で撮像する。例文帳に追加

After the substrate 2 arrives at the processing position, each imaging section 7 for fine adjustment images a second region of the substrate 2 including the alignment mark 3 and narrower than the first region at a second magnification higher than the first magnification. - 特許庁

例文

超音波探触子２は、シリコン基板２１及び超音波送受信素子３を有する第１基板２０と、第１基板２０の上面に設置された音響レンズ１１と、第１基板２０の下方に設置されたダンピング層４１とを備え、さらに、第１基板２０の下面とダンピング層４１の上面との間に第２基板３１が設置されている。例文帳に追加

The ultrasonic probe 2 is equipped with: a first substrate 20 having the silicon substrate 21 and a ultrasonic transmitting/receiving element 3; an acoustic lens 11 installed on the upper surface of the first substrate 20; a damping layer 41 installed beneath the first substrate 20; and a second substrate 31 installed between the lower surface of the first substrate 20 and the upper surface of the damping layer 41. - 特許庁

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「あきばだい３ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 114件

例文

レーザ光第２高調波４により基板１４を照射してこれを切断した後に、レーザ光基本波３により封止樹脂１７を照射する。例文帳に追加

After the substrate 14 is cut by irradiating it with the laser beam second harmonic wave 4, the sealing resin 17 is irradiated with the laser beam fundamental wave 3. - 特許庁

（１）ガラス基材３を、第１の樹脂基材１と第２の樹脂基材２で被覆し封止してなる基板であって、該基板の外表面が、実質的に同一の樹脂で形成されていることを特徴とするディスプレイ用基板。例文帳に追加

(1) The substrate for a display is a substrate which is produced by coating and sealing a glass material 3 with a first resin material 1 and a second resin material 2, and is formed of virtually the same resin in the outer surface. - 特許庁

貫通孔３は半導体基板２の第１の面２ａに開口された第１の開口３ａの開口径が第２の面２ｂに開口された第２の開口３ｂに近い側の内径より大きくなるように、第１の面２ａの近傍を拡張させる拡張部４を備える。例文帳に追加

The through-hole 3 has an expansion portion 4 which expands a portion near the first surface 2a so as to make an opening diameter of a first opening 3a provided in the first surface 2a of the semiconductor substrate 2 be larger than the inner diameter on the side near a second opening 3b provided in the second surface 2b. - 特許庁

各ＬＥＤ基材は、発光層２２を実装基板３の第１の面３０に固着した後で結晶成長用基板２４が除去され、発光層２２および電極２１からなるＬＥＤチップ２のみが実装基板３上に残るように実装基板３に実装される。例文帳に追加

The each LED substrate is mounted on the mounting substrate 3 so that the substrate for crystal growth 24 is removed after the light-emitting layer 22 is fixed on the first side 30 of the mounting substrate 3, and only the LED chip 2 composed of the light-emitting layer 22 and the electrode 21 remains on the mounting substrate 3. - 特許庁

さらに、台座５も加熱により熱膨張することになるが、台座５の熱膨張係数がＳｉＣの熱膨張係数とほぼ同じになるようにしているため、ＳｉＣ単結晶基板３は台座５の熱膨張係数の影響を殆ど受けないで済む。例文帳に追加

Further, although the pedestal 5 is thermally expanded by heating, SiC single crystal substrate 3 is not hardly affected by the thermal expansion coefficient of the pedestal 5 because the thermal expansion coefficient of the pedestal 5 is almost the same as that of SiC. - 特許庁

杭（１）の一端に、筒（２）をつけた台（３）を設け、台（３）には方々に穴（４）を空けると共に、その下面には鉢固定針（６）からの紐（７）を止めるための紐固定具（５）を設けて植木鉢の落下防止をはかろうとしたことを特徴とする。例文帳に追加

This flower pot pedestal on a stake is obtained by disposing a pedestal 3 having a cylinder 2 on one end of a stake 1, forming holes 4 at various places in the pedestal 3, and disposing string-fixing tools 5 for fixing strings 7 from pot-fixing needles 6 on the lower surface of the pedestal 3 to prevent the falling of the flower pot. - 特許庁

表面実装型の発光ダイオード１をプリント基板２に取付けるための取付構造であって、発光ダイオード１を、フレキシブル基板３を介してプリント基板２に取付けると共に、該プリント基板２とフレキシブル基板３との間に可塑性支持部材４を介設し、該可塑性支持部材４の変形により発光ダイオード１の光軸調整を行う。例文帳に追加

The attachment structure is intended to attach a surface mounted light-emitting diode 1 to a printed board 2 and attaches the light-emitting diode 1 to the printed board 2 through a flexible board 3 and interposes a plastic supporting member 4 between the printed board 2 and the flexible board 3 and adjusts the optical axis of the light-emitting diode 1 by the deformation of the plastic supporting member 4. - 特許庁