be strainedとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for forming a strained Si layer, a method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor in which a strained Si layer of good quality can be formed thicker than a conventional one.例文帳に追加

歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタにおいて、良質な歪みＳｉ層を従来より厚く成膜すること。 - 特許庁

To provide a method for treating vegetable strained lees, by which the vegetable strained lees such as beer lees can be treated at a low cost to effectively recycled the resource, and to provide an inexpensive feed obtained by the treating method and having a high nutritive value.例文帳に追加

ビール粕等の植物性搾汁粕を低コストで処理して有効に再資源化することが可能な植物性搾汁粕の処理方法、及びこの処理方法を用いて得られる安価で且つ栄養価の高い飼料を提供すること。 - 特許庁

To provide a multi-purpose net bag by which a powdery body can be strained without making it splash, and also, a water-draining can be performed in a refrigerator.例文帳に追加

粉体を飛散させることなく篩に掛けることができ、かつ冷蔵庫の中で水切りができる多目的ネット袋を提供することである。 - 特許庁

Consequently, strained stress caused in the interface between the buried silicon oxide film 12 and the bulk layer 14 can be reduced, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a MOS transistor, having a strained silicon region, can be made high in its performance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

歪みシリコン領域を有するＭＯＳトランジスタの高性能化を図る半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Next, a dielectric gate comprising an oxide or a high k material or a combination thereof, for example, can be formed on the surface of the strained Si film.例文帳に追加

次に、例えば酸化物、高ｋ材料、またはこの２つの組合せのような誘電体ゲートを、歪みＳｉ膜の表面に形成することができる。 - 特許庁

While circulation-utilizing the strained draff generated in this way, oil is squeezed from the oil stuff raw material to be treated.例文帳に追加

このように発生した絞りかすを循環的に利用しながら処理対象である油糧原料を搾油してゆくことになる。 - 特許庁

A strained silicon layer may be epitaxially deposited on the relaxed SiGe structure which has been finally produced on the insulator.例文帳に追加

歪みシリコン層は、絶縁体上に結果として生じる緩和したＳｉＧｅの構造上に、エピタキシャルに堆積され得る。 - 特許庁