on‐resistanceの英語

As a result, the on resistance of the element can be further reduced.例文帳に追加

その結果として、素子のオン抵抗をさらに低減できる。 - 特許庁

METHOD FOR INSPECTING ON RESISTANCE IN MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのオン抵抗検査方法 - 特許庁

To reduce the on-resistance of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のオン抵抗を低下させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ON-RESISTANCE MEASURING METHOD例文帳に追加

半導体装置及びオン抵抗測定方法 - 特許庁

To lower on-resistance to a sufficient level.例文帳に追加

オン抵抗を十分なレベルにまで低減させる。 - 特許庁

The microcomputer 124 finds, from data indicating relationship between on-resistance difference of the IGBTs stored in the memory 123 and a temperature difference associated with the on-resistance difference as well as the found on-resistance difference ΔR, a temperature difference ΔT associated with the on-resistance difference ΔR using the on-resistance R0 of the IGBT 110e as a reference.例文帳に追加

そして、メモリ１２３に記憶されているＩＧＢＴのオン抵抗の差とそれに伴う温度差の関係を示すデータと、求めたオン抵抗の差ΔＲから、ＩＧＢＴ１１０ｅのオン抵抗Ｒ０を基準としてオン抵抗の差ΔＲに伴う温度差ΔＴを求める。 - 特許庁

The common switch S0 has ON resistance R0, while the individual switches S1, S2 and Sn have an ON resistance R1 and have a wiring resistance Ri on the side of individual electrodes.例文帳に追加

共通スイッチＳ0は、オン抵抗Ｒ0を有し、個別スイッチＳ1、Ｓ2、、Ｓnは、オン抵抗Ｒ1を有し、個別電極側に配線抵抗Ｒiを有する。 - 特許庁

MOS-FET40 is an MOS-FET having an on-resistance of 1.8 MΩ at normal temperature and an on-resistance of 0.5 MΩ at a liquid nitrogen temperature.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ４０は、常温におけるオン抵抗１．８ｍΩ、液体窒素温度におけるオン抵抗０．５ｍΩのＭＯＳ−ＦＥＴである。 - 特許庁