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おおはすきた3ちょうめの英語
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「おおはすきた3ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
回転体の外周面2cとラジアル軸受パッド3との間の軸受隙間の変化量に対して、直動案内1cがラジアル軸受パッド3を移動させる移動調整量は大きいために、軸受隙間の微細な量の調整を精度よく行なうことができる。例文帳に追加
In regard to a change amount of a bearing clearance between the outer peripheral surface 2c of the rotor and the radial bearing pad 3, a movement adjusting amount for moving the radial bearing pad 3 by the linear guide 1c is large, so that a minute amount of the bearing clearance can be accurately adjusted. - 特許庁
ガラス基板3の上面領域の大きさはガラス基板3のガラス基板搭載予定領域R3上への搭載時におけるガラス基板3の外周端部から基板固定テーブル5の端部までの最短距離となる余白幅Dtが、ガラス材からなるガラス基板3内部を伝わる平面波長の1/4以上の長さに設定される。例文帳に追加
The size of an upper surface area of the glass substrate 3 is set so that the margin width Dt forming the shortest distance from an outer peripheral end of the glass substrate 3 to an end of the substrate fixing table 5 when mounting the glass substrate 3 on a glass substrate mount-scheduled area R3 becomes the length of ≥1/4 of the plane wavelength transmitting in the glass substrate 3 consisting of glass material. - 特許庁
目地枠3は1枚のタイル4の大きさの正方形スペースSと、このスペースSを半分にした長方形状のスペースHと、スペースSを4等分した大きさのスペースQとを有する。例文帳に追加
The joint frame 3 includes square spaces S, each of which is as big as one tile 4, spaces H, each of which is rectangle and as big as the half of the space S, and spaces Q, each of which is as big as the one-fourth of the space S. - 特許庁
目地枠3は1枚のタイル4の大きさの正方形スペースSと、このスペースSを半分にした長方形状のスペースHと、スペースSを4等分した大きさのスペースQとを有する。例文帳に追加
The joint frame 3 has square spaces S of the size of one tile, rectangular spaces H of one half of the size of the space S, and spaces Q of a quarter of the size of the space S. - 特許庁
運転中、外気に接するロータハウジング3に比してロータ40を含む回転軸30の熱膨張量が大きく、リヤハウジング4のフロント側壁面とロータ40のリヤ側壁面との間に隙間66が発生する。例文帳に追加
During driving, a space 66 is generated between a front side wall surface of a rear housing 4 and a rear side wall surface of a rotor 40 because a rotation shaft 30 including the rotor 40 has thermal expansion greater than that of a rotor housing 3 exposed to ambient air. - 特許庁
本発明では、GaAs基板上に、In_xGa_yAl_1-x-yN層(0≦x,y≦1)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該In_xGa_yAl_1-x-_yN層に、原子半径がNよりも大きいV族元素を1×10^17cm^-3から1×10^23cm^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加
The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer. - 特許庁
マスト装置のインナレール1およびアウタレール2の前面とフィンガボード3後面とに挟まれる隙間寸法4を、ホースプーリ5の幅寸法6よりも大きめに設定して、該隙間寸法4の中間にホースプーリ5を配置したことを特徴とするマスト内配管としている。例文帳に追加
This piping within a mast is characterized by setting a gap dimension 4 held by front surfaces of an inner rail 1 and an outer rail 2 and a rear surface of a finger board 3 in the mast device to be slightly larger than a width dimension 6 of the hose pulley 5 and arranging the hose pulley 5 at an intermediate of the gap dimension 4. - 特許庁
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「おおはすきた3ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
基台1とケース本体2との間に形成される隙間を、展示空間S1の雰囲気を調節するための調節機構3の収納部T1として設定するとともに、これら基台1及び収納部T1の周囲を覆う位置にケース本体2を支持する化粧部材4を配置する。例文帳に追加
A clearance formed between a pedestal 1 and a case body 2 is settled as a storage compartment T1 for a regulating mechanism 3 to regulate atmosphere in a show space S1, while decorating members 4 to support the case body 2 are disposed at positions surrounding the pedestal 1 and the storage compartment T1. - 特許庁
本発明のコンクリート面の隙間被覆構造は、コンクリート面1の隙間2が亀裂であり、亀裂2に沿って無溶剤塗料からなる厚膜層3を、亀裂2より幅広い領域を覆う状態で付着してあることを特徴とする。例文帳に追加
The gap coating structure of the concrete surface is so constituted that the gap 2 in the concrete surface 1 is a crack and that a thick membrane layer 3 of a solventless paint is adhered along the crack 2 in a state to cover an area wider than the crack 2. - 特許庁
そして、拡張隙間Lは、製作時の基準寸法であるモジュールに基づいて製作された建物ユニット3,4のうち、短辺方向の寸法が最小の建物ユニット3,4の寸法よりは小さく、前記建物ユニット3,4の予め設定された組み合わせ時の許容隙間よりは大きな寸法となっている。例文帳に追加
The extending gap L is determined so as to be smaller than one of smaller values out of shorter side dimensions of the building units 3, 4 which are manufactured according to modules conforming to manufacturing referential dimensions, and so as to be larger than a preset value of an allowable tolerance gap at the time of combination of the building units 3, 4. - 特許庁
コア1と当該コア1を覆うクラッド2とを有する光導波路基板12の表面に、所定の光の波長に対して表面プラズモン共鳴を起こす金属薄膜3を形成し、当該金属薄膜3に接する被測定物質10について表面プラズモン共鳴現象を起こすようにする。例文帳に追加
On a surface of an optical wave-guide substrate 12 comprising a core 1 and a clad 2 covering the core 1, a metallic thin film 3 causing surface plasmon resonance to occur with respect to a prescribed wavelength of light is formed to cause a surface plasmon resonance phenomenon to occur as to the substance 10 to be measured touching the thin film 3. - 特許庁
流量制御弁1は、ハウジング3に形成されたバイパス通路2の開口面積を調節するためのバルブ4の作動中心軸(シャフト5)とハウジングシール面6の中心軸9とをオフセット配置したことにより、バルブ4のシート部7とハウジングシール面6との間に形成される隙間が大きくなる。例文帳に追加
The flow control valve 1 adopts an offset arrangement of an operational center axis (shaft 5) of the valve 4 for controlling an opening area of a bypass passage 2 formed in a housing 3 and a center axis 9 of the housing sealing surfaces 6, so that a wide clearance is formed between the seat portion 7 of the valve 4 and the housing sealing surfaces 6. - 特許庁
n型GaAs基板1上にMOVPE法によって活性層4およびウィンドウ層6を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層6は、5×10^18cm^-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層4よりバンドギャップの大きいAlGalnP層により構成する。例文帳に追加
In the case of growing an epitaxial layer containing an active layer 4 and a window layer 6 on an n-type GaAs substrate 1 by an MOVPE method, the layer 8 has a carrier concentration of 5×1018 cm-3 or more and is formed of an AlGaInP layer having a larger band gap than that of the layer 4. - 特許庁
密閉容器の中に圧縮機構部とバルブカバー1とモータを備えた密閉型圧縮機であって、前記バルブカバー1において、少なくとも1つのトンネル形状の吐出口3が、上軸受リブ部4に覆い被さるように下向きに設けられ、前記吐出口3と前記上軸受リブ部4の隙間が2mm以内に配置されたことを特徴とする密閉型圧縮機。例文帳に追加
In the hermetic compressor, at least one tunnel-shaped discharge port 3 is formed downward to beetle over an upper bearing rib part 4 in the valve cover 1, and a space between the discharge port 3 and the upper bearing rib part 4 is arranged within 2 mm. - 特許庁
2000年2月にパネル報告が、同年5月には上級委員会報告が出され、いずれも日本の主張をほぼ認め、本件関税免除措置がGATT 第1条1項(最恵国待遇)、第3条4項(内国民待遇)、補助金協定、及びサービス協定第17条(サービスの内国民待遇)に違反するとの判断が出された(なお、卸売サービスに関するサービス協定第2条(最恵国待遇)及び第17条(内国民待遇)違反を認定したパネルについては、上級委員会はパネルでの事実認定が不十分であるとして当該判断を覆した。)。例文帳に追加
The panel issued its report in February 2000, and the Appellate Body issued its report in May. Both reports upheld virtually all of Japan’s arguments, finding that the measure: (1) violated GATT Article I:1 (MFN treatment); (2) violated GATT Article III:4 (national treatment); (3) violated the SCM Agreement; and (4) violated Article XVII of the GATS (national treatment). However, the Appellate Body overturned the finding of the panel that the duty waiver violated Article II of the GATS (MFN treatment) and Article XVII (national treatment) of the GATS, stating that the panel based its ruling on a lack of sufficient evidence. - 経済産業省
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大蓮北3丁目
日英固有名詞辞典
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