かちぶんせきどうにゅうの英語

カチオン性イオン堆積源は、複数のウェーハ基板上にカチオン性イオン酸化膜又はカチオン性イオン窒化膜を同時堆積させるのに十分な時間にわたって導入される。例文帳に追加

The cationic ion deposition source is introduced for a time sufficient for depositing a cationic ion-oxide or a cationic-ion nitride film simultaneously on the plurality of wafer substrates. - 特許庁

この情報生成装置１は、基準パルス信号Ｓ１０の電荷蓄積期間ＥＳＴと同期した駆動期間ＤＲＴにのみ光源駆動部が間欠駆動するように駆動タイミングを制御する制御手段を設けるようにする。例文帳に追加

An information generation apparatus 1 is constituted to have a control means controlling a driving timing so that a light source driving part is intermittently driven only in a driving period DRT synchronized with a charge storage period EST of reference pulse signals S10. - 特許庁

石灰石粒は流動燃焼により磨耗して排ガスとともに徐々に火炉内から流出していくため、ＢＭタンク１３中のアルミナ（γ—アルミナなど）を石灰石粒の不足分の補充として補助的に流動床中に投入し、アルミナを流動媒体とし、脱硫もアルミナで行なう。例文帳に追加

As the lime stone particle is worn away by fluid combustion and gradually flows out from the furnace together with an exhaust gas, alumina (γ-alumina and the like) in a BM tank 13 is supplementarily charged into the fluidized bed for compensating shortage of the lime stone particle, alumina is used as a bed material, and desulfurization is performed by alumina. - 特許庁

制御部は、スルー撮影時にＣＣＤカメラ内の電荷蓄積部が出力電荷を蓄積している際に発光部を動作させ、電荷読み出し部が電荷蓄積部で蓄積された電荷を読み出している際中の一部の期間に発光部の動作を停止させる。例文帳に追加

A control section activates a light emission section when an electric charge storage section in a CCD camera stores output electric charges at the through photographing and stops the operation of the light emission section for part of the period when an electric charge read section reads the electric charges stored in the electric charge storage section. - 特許庁

露出制御手段で決定した電荷蓄積時間が垂直同期信号周期より長い場合には、あるレンズ位置の高周波成分の積算値を算出波成分の積算値を算出する際のレンズの移動量を電荷蓄積時間に応じて可変させる。例文帳に追加

When charge storage time decided by an exposure control means is longer than the cycle of a vertical synchronizing signal, the moving amount of a lens from calculating the integrated value of the high frequency component of a lens position until calculating the next integrated value of the high frequency component is varied in accordance with the charge storage time. - 特許庁

バリア領域３５は、各電荷蓄積部３３の周囲を個別に囲むとともに各電荷蓄積部３３をＰ型シリコン基板３１に対して接触させる開口部を有するように、Ｎ型半導体層３２中に形成される。例文帳に追加

The barrier region 35 is formed in the N-type semiconductor layer 32 so as to surround a periphery of each charge accumulation part 33 and have an opening which makes the respective charge accumulation parts 33 in contact with the P-type silicon substrate 31. - 特許庁

第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。例文帳に追加

The solid-state imaging device comprises a first conductivity type semiconductor layer 1, and a charge storage area 7 consisting of a second conductivity type impurity area. - 特許庁

第２電荷蓄積部４０ｂは、半導体基板上の、第２主電極３６ｂと制御電極とによって挟まれる部分に設けられている。例文帳に追加

A second charge accumulator 40b is provided at a part sandwiched by a second main electrode 36b and the control electrode on the semiconductor substrate. - 特許庁