「かちぶんせきどうにゅう」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

燃料タンク４に貯留されている石炭粒、石灰石粒、水の混合物であるＣＷＰは、流動床燃焼装置である各ボイラ２内の流動床中に流路５を介してボイラ２の流動床内に投入される。例文帳に追加

CWP as a mixture of a coal particle, a lime stone particle and water stored in a fuel tank 4 is charged into a fluid bed of each boiler 2 as a fluid bed combustion device through a flow channel 5. - 特許庁

演算部６はさらに、アンプゲインに応じて最適な電荷蓄積時間（確定電荷蓄積時間）を算出し、この算出値で次回の電荷蓄積を行うようにイメージセンサ駆動制御部７へコードを出力する。例文帳に追加

Furthermore, the arithmetic operation part 6 calculates the optimum charge storage time (definitive charge storage time) in accordance with the gain of the amplifier and outputs the code to the control part 7 so as to perform next charge storage based on the calculated value. - 特許庁

カチオン性イオン堆積源は、複数のウェーハ基板上にカチオン性イオン酸化膜又はカチオン性イオン窒化膜を同時堆積させるのに十分な時間にわたって導入される。例文帳に追加

The cationic ion deposition source is introduced for a time sufficient for depositing a cationic ion-oxide or a cationic-ion nitride film simultaneously on the plurality of wafer substrates. - 特許庁

この情報生成装置１は、基準パルス信号Ｓ１０の電荷蓄積期間ＥＳＴと同期した駆動期間ＤＲＴにのみ光源駆動部が間欠駆動するように駆動タイミングを制御する制御手段を設けるようにする。例文帳に追加

An information generation apparatus 1 is constituted to have a control means controlling a driving timing so that a light source driving part is intermittently driven only in a driving period DRT synchronized with a charge storage period EST of reference pulse signals S10. - 特許庁

石灰石粒は流動燃焼により磨耗して排ガスとともに徐々に火炉内から流出していくため、ＢＭタンク１３中のアルミナ（γ—アルミナなど）を石灰石粒の不足分の補充として補助的に流動床中に投入し、アルミナを流動媒体とし、脱硫もアルミナで行なう。例文帳に追加

As the lime stone particle is worn away by fluid combustion and gradually flows out from the furnace together with an exhaust gas, alumina (γ-alumina and the like) in a BM tank 13 is supplementarily charged into the fluidized bed for compensating shortage of the lime stone particle, alumina is used as a bed material, and desulfurization is performed by alumina. - 特許庁

制御部は、スルー撮影時にＣＣＤカメラ内の電荷蓄積部が出力電荷を蓄積している際に発光部を動作させ、電荷読み出し部が電荷蓄積部で蓄積された電荷を読み出している際中の一部の期間に発光部の動作を停止させる。例文帳に追加

A control section activates a light emission section when an electric charge storage section in a CCD camera stores output electric charges at the through photographing and stops the operation of the light emission section for part of the period when an electric charge read section reads the electric charges stored in the electric charge storage section. - 特許庁

露出制御手段で決定した電荷蓄積時間が垂直同期信号周期より長い場合には、あるレンズ位置の高周波成分の積算値を算出波成分の積算値を算出する際のレンズの移動量を電荷蓄積時間に応じて可変させる。例文帳に追加

When charge storage time decided by an exposure control means is longer than the cycle of a vertical synchronizing signal, the moving amount of a lens from calculating the integrated value of the high frequency component of a lens position until calculating the next integrated value of the high frequency component is varied in accordance with the charge storage time. - 特許庁

バリア領域３５は、各電荷蓄積部３３の周囲を個別に囲むとともに各電荷蓄積部３３をＰ型シリコン基板３１に対して接触させる開口部を有するように、Ｎ型半導体層３２中に形成される。例文帳に追加

The barrier region 35 is formed in the N-type semiconductor layer 32 so as to surround a periphery of each charge accumulation part 33 and have an opening which makes the respective charge accumulation parts 33 in contact with the P-type silicon substrate 31. - 特許庁

第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。例文帳に追加

The solid-state imaging device comprises a first conductivity type semiconductor layer 1, and a charge storage area 7 consisting of a second conductivity type impurity area. - 特許庁

第２電荷蓄積部４０ｂは、半導体基板上の、第２主電極３６ｂと制御電極とによって挟まれる部分に設けられている。例文帳に追加

A second charge accumulator 40b is provided at a part sandwiched by a second main electrode 36b and the control electrode on the semiconductor substrate. - 特許庁

情報管理サーバ８３０内に情報管理部８４０を配置し、これにより、販売実績情報を自動販売機別に分類するとともに使用価値を抽出し、抽出した使用価値を価値情報データベース８４２に格納する。例文帳に追加

An information managing part 840 is arranged in the information management server 830 to classify actual sales result information in each different automatic vending machine, to extract a use valued and to store the extracted use value in a value information database 842. - 特許庁

演算部６において、受光電荷蓄積領域２に蓄積された受光電荷から得た出力から、非受光電荷蓄積領域５に蓄積され、受光領域または非受光領域から排出されるまでに要する転送動作の回数が当該受光電荷と同じである非受光電荷から得られた出力を差し引いて、不要電荷の影響を相殺する。例文帳に追加

Thus, the influence of any unnecessary charge can be offset. - 特許庁

制御手段１２５が、積分評価値によるＡＦ評価値に基づいてフォーカスレンズを駆動して焦点調節を行う。例文帳に追加

Control means 125 drives a focus lens to adjust a focal point based on the AF evaluation value by the integral evaluation value. - 特許庁

第１電荷蓄積部４０ａは、半導体基板上の、第１主電極３６ａと制御電極とによって挟まれる部分に設けられている。例文帳に追加

A first charge accumulator 40a is provided at a part sandwiched by a first main electrode 36a and the control electrode on the semiconductor substrate. - 特許庁

事業体と労働契約を結ぶ労働者の報酬を算出するに当たり、成果主義を導入しながらも、事業体の業績を反映させ、また報酬の極端な上下動を抑制し、そして自らの労働価値を見極めることができる報酬算出方法、報酬算出装置、及び記録媒体を提供する。例文帳に追加

To reflect business results of a business entity while introducing a result principle, to suppress an excessive increase and decrease in remuneration, and to grasp an own labor value when calculating remuneration for a labor, in concluding a labor contract with the business entity. - 特許庁

スイッチＳＷ_１２，ＳＷ_１３の開閉動作により、電荷注入回路３０による電荷注入の際の積分回路１０の出力電圧値Ｖ_１０の変化量が求められる。例文帳に追加

From open/close operations of the switch SW_12 and the switch SW_13, a variation of an output voltage value V_10 of the integration circuit 10 when an electric charge is injected by the charge injection circuit 30 can be obtained. - 特許庁

接合範囲決定部３７は単位時間が経過する毎に、画質解析部３５から画質の解析結果を入力し現在時刻が映像データ同士を接合する接合範囲の外かどうかチェックする（S９１）。例文帳に追加

A junction range determination part 37 receives an analysis result of image quality from an image quality analysis part 35 each time a unit time passes to check whether the present time is outside a junction range for the image data junction of image data or not (S91). - 特許庁

制御電圧供給部は、過剰電荷排出部へ供給する制御電圧を、全画素モードによる駆動の場合には電荷蓄積期間と電荷移送期間とで同等とし、画素混合モードによる駆動の場合には電荷蓄積期間と電荷移送期間とで異ならせる。例文帳に追加

The control voltage supply parts make the control voltage to be supplied to the excess electric charge discharge part equivalent in the electric charge storage period and an electric charge transfer period in the case of drive by the all pixel mode and differentiates the control voltage in the electric charge storage period and the electric charge transfer period in the case of drive by the pixel mixed mode. - 特許庁

分離した電荷蓄積層を容易に形成することができ、メモリセルの高集積化、微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for achieving the high integration and microfabrication of memory cells by easily forming separated charge storage layers. - 特許庁

その製造において、半導体基板上に離散化された電荷蓄積手段を含む積層絶縁膜１を形成した後に、当該電荷蓄積手段に向けて紫外線ＵＶを照射する。例文帳に追加

When it is fabricated, the multilayer insulation film 1 including the scattered charge storage means is formed on a semiconductor substrate and then the charge storage means is irradiated with UV-rays. - 特許庁

このようにして製造された不揮発性半導体記憶装置１においては、粒子２３がメモリセルの電荷蓄積部分となる。例文帳に追加

In this nonvolatile semiconductor storage device 1 manufactured like that, the particles 23 are used for a charge storage part of the memory cell. - 特許庁

フレキシブルな１組のルールは、同期化を行うかどうかまたどのようにして同期化を行うかを指示する際に、データの価値、同期化に関連付けられたコスト、同期化機構のセキュリティ、モバイル装置のセキュリティおよび／またはモバイル装置およびユーザのロケーション、を考慮する。例文帳に追加

The flexible set of rules takes into consideration the value of the data, the cost associated with synchronization, the security of the synchronization mechanisms, the security of the mobile device, and/or the location of the mobile device and user in dictating whether and how to synchronize. - 特許庁

フレキシブルな１組のルールは、同期化を行うかどうかまたどのようにして同期化を行うかを指示する際に、データの価値、同期化に関連付けられたコスト、同期化機構のセキュリティ、モバイル装置のセキュリティおよび／またはモバイル装置およびユーザのロケーション、を考慮する。例文帳に追加

The flexible set of rules takes into consideration the value of the data, the cost associated with synchronization, the security of the synchronization mechanisms, the security of the mobile device, as well as the location of the mobile user in dictating whether and how to synchronize. - 特許庁

メモリストリングＭＳは、基板上に積層方向に延びる柱状部４５Ａを含むＵ字状半導体層４５と、柱状部４５Ａを取り囲むように形成された電荷蓄積層４４ｂと、電荷蓄積層４４ｂを取り囲むように積層されたワード線導電層４１ａ〜４１ｄとを備える。例文帳に追加

A memory string MS includes: a channel-shaped semiconductor layer 45 including a columnar portion 45A extending in a stacking direction on a substrate; a charge storage layer 44b surrounding the columnar portion 45A; and word-line conductive layers 41a to 41d stacked so as to surround the charge storage layer 44b. - 特許庁

時系列分析部２２は、平均回帰過程とブラウン運動過程との合成過程にしたがう資産価値変動記述モデルを使用して、リスクファクタの過去の時系列データを分析することで、モデルパラメータを推定する。例文帳に追加

A time-series analysis section 22 estimates model parameters by analyzing past time-series data of a risk factor using an asset value fluctuation description model following a combined process of an average regression process and a Brownian motion process. - 特許庁

電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。例文帳に追加

A detection part 8 consisting of a second conductivity type impurity area to which signal charges accumulated in a charge accumulation area are transferred is provided, corresponding to the charge storage area 7, in the semiconductor layer 1 while spaced apart from the charge storage area 7. - 特許庁

温度、湿度、真空度を制御する手段を備えた赤外分析測定用セルにおいて、電極が組み込まれたサンプルホルダーに、カチオン交換膜を固定することによって、赤外分析測定および、電気伝導度を同時に測定する。例文帳に追加

In the cell for infrared analytical measurement having a means for controlling temperature, humidity, and the degree of vacuum, a cation-exchange membrane is fixed to an electrode-integrated sample holder to simultaneously conduct infrared analytical measurement and electric conductivity measurement. - 特許庁

浮遊ゲートとして電荷蓄積部を有する不揮発性半導体記憶素子において、保持時間を十分に長くする。例文帳に追加

To make hold time sufficiently long in a nonvolatile semiconductor memory element having a charge accumulation area as a floating gate. - 特許庁

メモリストリングＭＳは、柱状部を含むＵ字状半導体層と、柱状部の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層を取り囲むように形成されたワード線導電層とを備える。例文帳に追加

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer having a columnar part, a charge storage layer formed to surround a side surface of the columnar part, and a word line conductive layer formed to surround the charge storage layer. - 特許庁

半導体領域内には、電荷蓄積領域よりも半導体基板の裏面側に、半導体領域の一部を介して電荷蓄積領域の少なくとも一部に対向する第２導電型の電荷混入防止領域が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor region, a second conductivity-type charge mixing prevention region opposes at least part of the charge storage region via part of the semiconductor region, and is formed on the back side of the semiconductor substrate rather than in the charge storage region. - 特許庁

表示手段（例えば、解析部１０２や表示部１０３）が、前記評価値取得手段により取得された情報に基づいて、前記所定の評価値について前記所定の期間内における変動の範囲を表示する。例文帳に追加

A display means (e.g. the analysis section 102 or a display section 103) displays the range of variation of the predetermined evaluation value in the predetermined period based on the information acquired by the evaluation value acquisition means. - 特許庁

基板の上に形成されたチタン層と窒化チタン層とを順次積層し、その上にIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。例文帳に追加

A titanium layer and a titanium nitride layer formed on a substrate are sequentially laminated on the substrate, and a group III nitride compound semiconductor layer is formed on the titanium nitride layer. - 特許庁

マッピングエンジン３は、同値関係抽出部３３により、マッピング結果蓄積部３４の過去のマッピング結果を参照し、カテゴリ同士の同値関係の抽出を行い、オントロジＤＢ２に同値関係の情報を送出する。例文帳に追加

The mapping engine 3 refers to the past mapping result of a mapping result storage part 34 to extract the mutual equivalence relationship of the categories by an equivalence relationship extracting part 33, and sends information on the equivalence relationship to the ontology DB 2. - 特許庁

原位置ラジカル発生反応物がまた、カチオン性イオン堆積源と共に反応器内に導入される。例文帳に追加

An in situ radical-generating reactant is also introduced into the reactor together with a cationic ion deposition source. - 特許庁

複数のラインセンサを配列させた焦点検出装置において、フォーカシングレンズが駆動されている、あるいは、積分時間が参照時間より短い（被写体が暗い）場合、ラインセンサの電荷蓄積終了によって画素信号を読み出す同時に、ラインセンサでの電荷蓄積を開始する。例文帳に追加

In a focus detecting device in which a plurality of line sensors are arranged, when a focusing lens is being driven or an integrated time is shorter than a reference time (a subject is dark), a pixel signal is read by the termination of charge accumulation in each line sensor and, at the same time, the charge accumulation in the line sensor is initiated. - 特許庁

上下に延びる外筒(１)の上部に、半導体製造装置から排出される三フッ化窒素ガスなどの排ガスを導入する排ガス導入口(５)と、液化石油ガスなどの補助ガスを導入する補助ガス導入口(６)とを設ける。例文帳に追加

An exhaust gas inlet 5 for introducing an exhaust gas, such as nitrogen trifluoride or the like, to be exhausted from a semiconductor manufacturing apparatus and an auxiliary gas inlet 6 for introducing an auxiliary gas, such as liquefied petroleum gas or the like are provided at the upper part of a vertically extended outer cylinder 1. - 特許庁

その後比較手段４内で両信号の差分を取り、処理手段５によって差分が両信号ラインに同一信号が入力されたとみなせる範囲かどうか、蓄積された具体的な数値をしきい値としてしきい値との大小比較を行ない、結果を異常検出出力手段６に出力する。例文帳に追加

Then the difference between both the signals is found in a comparing means 4 and a processing means 5 compares it with an accumulated concrete numeral as a threshold to decide whether or not the same signal is inputted to both signal lines and outputs the result of an abnormality detection output means 6. - 特許庁

半導体基板３２の裏面側に酸化ハフニウム膜３４を形成し、受光部１５の電荷蓄積領域４１に隣接した厚さが１００ｎｍ以下の領域３３を正電荷蓄積状態に誘電する。例文帳に追加

A hafnium oxide film 34 is formed on a back side of a semiconductor substrate 32, and a region 33 which adjoins a charge storage region 41 of a light reception portion 15 and is ≤100 nm thick is brought into a positive charge-stored state through dielectric effect. - 特許庁

結果解析部１２の解析により、返却された結果ファイルがテキストの場合、テキスト処理部１４は当該ファイル中に文字コード、文字セットが明示的に記述されているかどうかチェックする。例文帳に追加

When a result analysis part 12 takes an analysis to find that the returned result file is a text, a text process part 14 checks whether or not a character code and a character set are described discriminatingly in the file. - 特許庁

これにより、導線２１から絶縁物フィルム２３への熱伝導に加えて、熱放射層２２及び酸化チタン粒子入り絶縁物フィルム２４による遠赤外線放射を利用でき、冷却性能の向上が図れる。例文帳に追加

Thereby, in addition to heat transfer from the conductive wire 21 to the insulator film 23, far infrared ray radiation by the heat radiation layer 22 and the insulator film 24 containing the titanium oxide particles can be utilized to improve the cooling performance. - 特許庁

被測定ガス中の酸化窒素（ＮＯ_ｘ）とアンモニア（ＮＨ_３）を、同時に、リアルタイムで検知することができるガス分析方法、及び装置の提供。例文帳に追加

To provide a gas analysis method and device for simultaneously detecting nitrogen oxide NOx and ammonium NH3 in gas to be measured in real time. - 特許庁

また、価値導出部４０は、ポイント発行事業者装置２００から電子ポイントの流通実績を取得し、またポイント交換事業者装置３００から電子ポイントの交換実績を取得して、所定の評価関数により電子ポイントの変動価値を算出する。例文帳に追加

The value derivation part 40 acquires distribution results of electronic points from a point issue provider device 200 and acquires exchange results of electronic points from a point exchange provider device 300 and calculates varying values of electronic points by a prescribed evaluation function. - 特許庁

光電変換部は、半導体基板４３の表面側の第１導電型半導体領域６１と、半導体基板４３の内部側の第２導電型電荷蓄積領域６３と、両領域６１及び６３との間に挟まれた真性半導体領域６２、又は第２導電型電荷蓄積領域６３より低不純物濃度のｐ型半導体領域とを有する。例文帳に追加

The photoelectric conversion part includes: a semiconductor region 61 of a first conductivity type, provided on a surface of a semiconductor substrate 43; a charge storage region 63 of a second conductivity type, provided inside the semiconductor substrate 43; and an intrinsic semiconductor region 62 held between the semiconductor region 61 and the charge storage region 63, or a p-type semiconductor region doped more lightly than the charge storage region 63 of a second conductivity type. - 特許庁

次に、所望の画素に、所望の画素の下部に配された画素駆動回路から駆動パルスを入力して、所望の画素の電荷蓄積容量部に保持された信号電荷を、画素信号として出力する。例文帳に追加

Thereafter, driving pulse is input to a desired pixel from a pixel driving circuit disposed in a lower part of the desired pixel, and signal charges held in the charge storage capacity part of the desired pixel is output as a pixel signal. - 特許庁

例えば光電変換素子が飽和状態となった場合であっても、残像が低減するように電荷蓄積部に蓄積された蓄積電荷を確実にリセットして、安定した検出動作を行うことができるようにする。例文帳に追加

To perform a stable detecting operation by surely resetting stored electric charge stored in a charge storage section so as to reduce afterimages even if a photoelectric conversion element is brought into a saturated state, for example. - 特許庁