きょうえいちょう３ちょうめの英語

本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。例文帳に追加

This scintillator panel is constituted by laminating a plurality of panels 1, 2, 3, 4 where the scintillators 1b, 2b, 3b, 4b are deposited by vapor phase growth on crystal growth substrates 1a, 2a, 3a, 4a comprising a translucent material. - 特許庁

３　環境大臣は、前二項に規定する場合において、指定調査機関がその土壌汚染状況調査を行わず、又はその方法が適当でないときは、指定調査機関に対し、その土壌汚染状況調査を行い、又はその方法を改善すべきことを命ずることができる。例文帳に追加

(3) In cases mentioned in the preceding two paragraphs, if the Designated Investigation Institution fails to conduct a Soil Contamination Investigation or its manner of conducting a Soil Contamination Investigation is not appropriate, the Minister of the Environment may order the Designated Investigation Institution to conduct the Soil Contamination Investigation or to improve the manner of conducting it.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ＧａＮよりなる下層部１３ａを成長させ、成長温度（１０２０℃）は保持しつつＧａの原料ガスの供給を３分間停止して下層部１３ａの表面をエッチングする。例文帳に追加

An lower layer portion 13a consisting of GaN is grown, a growing temperature (1,020°C) is being kept, supply of material gas of Ga is stopped for 3 minutes, and the surface of the lower layer portion 13a is etched. - 特許庁

樹脂で成形された中間成形物２の裏面に繊維長が５０〜５００μｍの繊維を混在させた樹脂からなる補強層３を設ける。例文帳に追加

The reinforcing layer 3 made of a resin including a fiber with a fibrous length of 50 to 500 μm is formed on the back of the intermediate molded product 2 made of the resin. - 特許庁

ｐ型半導体多層膜反射鏡７の最表面は、例えばＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛）をドーパントとして用い、Ｚｎを１．０Ｅ１９ｃｍ^-3ドープして成長したＧａＡｓ層からなっている。例文帳に追加

An outermost surface of a p-type semiconductor multilayer film reflecting mirror 7 consists of a GaAs layer that grows after doped with Zn by 1.0 E 10 cm^-3 with the use of, for example, DMZn (dimethyl zinc) as a dopant. - 特許庁

少なくともセメントを含む結合材、細骨材、粗骨材及び水とからなり、水結合材比が20％以下である遠心成形超高強度コンクリート組成物であって、単位水量が100kg/m^3よりも大で120kg/m^3以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The centrifugally molded ultrahigh strength concrete composition comprises a binder containing at least cement, fine aggregate, coarse aggregate and water, wherein the ratio of water to the binder is ≤20% and the unit quantity of water is 100-120 kg/m^3. - 特許庁

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer. - 特許庁

腫瘍の成長を抑制するための、安定な2,5-ジオン-3-(1-メチル-1H-インドール-3-イル)-4-[1-(ピリジン-2-イル-メチル)ピペリジン-4-イル]-1H-インドール-3-イル]-1H-ピロール塩酸塩の提供。例文帳に追加

To provide a stable 2,5-dione-3-(1-methyl-1H-indol-3-yl)-4-[1-(pyridin-2-yl-methyl)piperidin-4-yl]-1H-indol-3-yl-1H-pyrrole hydrochloride for the purpose of inhibiting tumor growth. - 特許庁