きょうえいちょう６ちょうめの英語

本発明による表示装置（１）は、表示パネル（２）と、環境センサ（６）と、入力階調データ（Ｄ_ＩＮ）を補正して補正後階調データ（Ｄγ）を生成する補正回路（１３）と、補正後階調データ（Ｄγ）に応答して表示パネル（２）を駆動する駆動回路（１６）とを備えている。例文帳に追加

The display device (1) includes a display panel (2), an environmental sensor (6), a correction circuit (13) to generate corrected gray-scale data (Dγ) by correcting input gray-scale data (D_IN) and a drive circuit (16) for driving the display panel (2) in response to the corrected gray-scale data (Dγ). - 特許庁

開封口部６と接着封止部５との境界８から開封口部６の外縁までの最大長Ｌが６ｍｍ以上４０ｍｍ以下となっていると共に、開封口部６における２つの包材２，３の少なくとも一方の表面がエンボス加工されている。例文帳に追加

The maximum length L from the boundary 8 of the opening mouth 6 and the adhesive sealing part 5 to the outer edge of the opening mouth 6 is 6 mm or more and 40 mm or less and the surface of at least one of the packaging materials 2, 3 at the opening mouth 6 is embossed. - 特許庁

最大長Ｌ1、及び最短長Ｌ2が、６μｍ以上５００μｍ以下の樹脂粒子１であって、表面に球面２と亀裂３とを具備する樹脂粒子１を提供する。例文帳に追加

The resin particle 1 has a maximum length L1 of ≤500 μm and a shortest length L2 of ≥6, and a spherical surface 2 and a crack 3 on the surface. - 特許庁

本発明の化学気相成長装置は、処理用ガスを用いて基板１１表面に薄膜１３を形成する化学気相成長装置であって、反応室１と、ガス供給管４と、ガス供給バルブ５と、ガス廃棄管６と、ガス廃棄バルブ７と、ガス流量計９とを備えている。例文帳に追加

The chemical vapor deposition equipment in which a film 13 is formed on the surface of a substrate 11 by using a treatment gas, is provided with the reaction chamber 1, a gas supply pipe 4, a gas supply valve 5, a gas disposal pipe 6, a gas disposal valve 7, and a gas flowmeter 9. - 特許庁

慶長6年2月6日(旧暦)（1601年3月10日）、関ヶ原の戦勝後に命ぜられた京都治安活動を高く評価された父・信昌が美濃加納10万石を与えられた。例文帳に追加

On March 10, 1601, his father Nobumasa was awarded 100,000 koku in the Kano Domain, Mino Province in recognition of his public safety operation in Kyoto after the victory of the Battle of Sekigahara.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

特に好ましい増強剤には、銀イオンまたは複合体、ジャスモン酸（特にメチルエステル）、オーキシン関連成長調節因子、およびフェニルプロパノイド系路阻害剤(例えば3,4-メチレンジオキシ-6-ニトロ桂皮酸)が含まれる。例文帳に追加

Particularly preferred enhancement agents include silver ion or complex, jasmonic acid (especially the methyl ester), auxin-related growth regulators, and inhibitors of the phenylpropanoid pathway, such as 3,4-methylenedioxy-6-nitrocinnamic acid. - 特許庁

成長用基板８の上にIII族元素の窒化物結晶のエピタキシャル成長層９が形成された反りのある窒化物結晶基板６を、一旦、成長温度近傍まで加熱用ヒータで加熱すると共に台座２及びプレス板４の平行平面間に挟み、反りを矯正した状態で冷却することにより、反りの無い平坦な窒化物結晶基板６とすることができる。例文帳に追加

The flat nitride crystal substrate 6 free from warpages can be obtained by heating the nitride crystal substrate 6 having the curvatures constructed by forming an epitaxial growing layer 9 of the nitride crystal of the group III element on a substrate 8 for heating close to a growing temperature by a heater element and cooling it down under a condition of sandwiching it between parallel surfaces of a pedestal 2 and a press plate 4 to correct the warpage. - 特許庁

このエッチング工程に連続して、水素雰囲気でのアニールを行い続いて炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。例文帳に追加

Subsequently to the etching process, annealing in hydrogen atmosphere is carried out; successively, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace; a second conductivity type semiconductor 6 is epitaxially formed inside the trench 4; and the trench 4 is buried. - 特許庁