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きんせいちょう1ちょうめの英語
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「きんせいちょう1ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 113件
また、整腸作用を有する細菌の体内活性を維持し、整腸作用を増強させるために、当該細菌と食物繊維を共存させることが公知であるから、整腸作用を有する YY菌 1×106~1×108個を、同じく整腸作用を有する食物繊維 1~30gと組み合わせて 1つの整腸剤とすることは当業者が容易になし得たことである。例文帳に追加
Furthermore it is publicly known to make the bacterium and the dietary fiber co-exist, in order to maintain the activity of the bacterium having the intestine regulating function and to fortify the intestine regulating function, it would have been easily arrived at by a person skilled in the art to formulate medicine for intestinal disorder by combining 1 x 106 to 1 x 108 cells of the YY bacteria having the intestine regulating function with 1 to 30g of the dietary fiber also having the intestine regulating function.発音を聞く - 特許庁
半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスク3がマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスク3の上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。例文帳に追加
The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁
チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶1を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部15が成長する平均速度と結晶周辺部16が成長する平均速度との差を±0.1mm/min以内となるようにして結晶1を成長する。例文帳に追加
The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁
これは、半導体結晶2の成長に伴って半導体結晶2の結晶成長面2aが結晶成長基板1の結晶成長面1a付近から上方に移動する間にも、半導体結晶2はELOマスク3の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加
This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁
北京議定書で清朝に定められた賠償金4億5000万両(利払いを含めると8億5000万両になる)という額は、年間予算1億両足らずであった当時の清朝にはまさに天文学的な要求であった。例文帳に追加
The amount of the reparations of 450 million taels specified in the Peking Protocol (850 million taels in total with the interest) was a really astronomical demand to the Qing Dynasty whose annual budget was less than 100 million taels.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
遷移金属原子によるナノ粒子又はナノドットを成長触媒3として基板1に形成し、減圧下で加熱された基板面に、気相−液相−固相(VLS)成長法によって、VO_2ナノワイヤを[110]方向に沿って細長く成長させる。例文帳に追加
Nanoparticles or nanodots by a transition metal atom are formed on a substrate 1 as a growth catalyst 3, and VO_2 nanowire is grown up slender and long along the [110] direction on the surface of the substrate heated under reduced pressure by a gas phase-liquid phase-solid phase (VLS) growth method. - 特許庁
ポリイミド樹脂膜3をマスクとして、ストライプ状の開口部4から露出したGaAs基板1の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるGaAs層5を成長させる。例文帳に追加
Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁
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該当件数 : 113件
本発明の真空処理装置1を用いれば、大面積の処理対象物7にも、面内膜厚分布の均一性が高い薄膜が成長される。例文帳に追加
A thin film exhibiting high uniformity in in-plane film thickness distribution even for the treatment object 7 of a large area can be grown by using the inventive vacuum treatment apparatus 1. - 特許庁
(a)半導体基板1の主表面に、液相エピタキシャル成長用溶液に反応溶解し、かつ、エピタキシャル成長層の一部を構成する金属層1aを形成する。例文帳に追加
A metal layer 1a, which is molten by reacting to a solution for liquid phase epitaxial growth, comprising one part of the epitaxial growing layer is formed on the principal surface of a semiconductor wafer 1 (a). - 特許庁
ウェーハ上の適宜の位置に障害物を配置することにより、めっき膜を均一な膜厚で成長させることができる。例文帳に追加
An obstacle is arranged at a proper position on the wafer 1, with which a plating film of uniform thickness can be grown. - 特許庁
SiC単結晶からなるSiC基板1の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてSiCエピタキシャル層9をホモエピタキシャル成長させ、該SiCエピタキシャル層9の上に、有機金属気相成長法にてGaN系化合物半導体層3をヘテロエピタキシャル成長させる。例文帳に追加
The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9. - 特許庁
高い光学的均質性(Δn=1×10^—6)および低い複屈折(δ=0.5〜1.0nm/cm)を持つフッ化カルシウム単結晶を成長させる。例文帳に追加
To grow a calcium fluoride single crystal having high optical uniformity (▵n=1×10^-6) and low birefringence (δ=0.5 to 1.0 nm/cm). - 特許庁
1mm以上の材料を用いて、120〜220nmの範囲の透過特性が改善された金属フッ化物単結晶を成長させる。例文帳に追加
The 1 mm and larger material is used to grow the metal fluoride single crystal having improved transmission properties in a range of 120-220 nm. - 特許庁
炭素繊維被覆伝熱部材は、金属等よりなる伝熱部材1と、この伝熱部材1の表面に担持された炭素繊維の合成触媒等よりなる成長核2と、この成長核2から伝熱部材1の外方へ延びるように合成された炭素繊維3とよりなる。例文帳に追加
The heat transfer member coated with carbon fibers comprises a heat transfer member 1 of metal, or the like, growth cores 2 of the synthetic catalyst of carbon fiber carried on the surface of the heat transfer member 1, and carbon fibers 3 synthesized to extend outward of the heat transfer member 1 from the growth cores 2. - 特許庁
SiC単結晶を成長させる際、SiC単結晶の成長面近傍の原料ガスにおけるCとSiとの比(C/Si)を1未満、望ましくは0.25以下にすることにより、種基板1からのSiの昇華が抑制され、種基板1の端部のエッチングが防止される。例文帳に追加
By controlling the ratio (C/Si) of C to Si in the raw material gas close to the growth surface of the SiC single crystal to be less than 1, preferably 0.25 or lower when growing the SiC single crystal, sublimation of Si from the seed substrate 1 is suppressed, which prevents an end of the seed substrate 1 from being etched. - 特許庁
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