こまばきた２ちょうめの英語

担持体２と、この担持体２の表面近傍部分に埋め込まれた触媒機能を有する貴金属超微粒子３とを有する触媒構造体１である。例文帳に追加

A catalyst structure 1 has a carrier 2 and noble metal ultrafine particles 3 having catalytic function embedded in the carrier 2 in the vicinity of the surface part thereof. - 特許庁

水晶基板１の片側の表面には、長方形の凸部２が形成されているが、この凸部２は、さらに細かな長方形の凸部４の集合体として形成されている。例文帳に追加

A rectangular protruding part 2 is formed on one side surface of a quartz substrate 1, wherein the protruding part 2 further is formed as an assembly of finer rectangular protruding parts 4. - 特許庁

法第30条(1)に基づき提出する証拠又は規則94(2)に従って提出する書類が外国語による場合は，長官に満足の行くように証明された当該証拠又は書類の翻訳文を，当該翻訳文を提出するべき旨の請求があってから2月以内に提出する。例文帳に追加

Where the evidence furnished under section 30(1) or any document filed in accordance with Rule 94(2) is in a foreign language, a translation of the evidence or of that document verified to the satisfaction of the Controller shall be filed within two months of the request to file the translation. - 特許庁

有機ＥＬ基板４と、有機ＥＬ基板４の一主面に第１緩衝材３を介して接着された枠体２と、有機ＥＬ基板４の他主面に第２緩衝材５を介して接着されるとともに、枠体２に嵌め込まれた板体６と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬモジュール。例文帳に追加

The organic EL module includes: an organic EL substrate 4; a frame body 2 bonded to one main surface of the organic EL substrate 4 through a first cushioning material 3; and a plate body 6 bonded to the other main surface of the organic EL substrate 4 through a second cushioning material 5, and fitted into the frame body 2. - 特許庁

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

第２金属部材２を焼きばめにて第１金属部材１に装着した後、熱膨張率の差にて形成した隙間Ｓに溶融したろう材Ｗを流れ込ませる。例文帳に追加

A molten brazing filler metal W is made to flow into the clearance S formed by the difference of the coefficient of thermal expansion after the second metallic member 2 is mounted to the first metallic member 1 by shrinkage fitting. - 特許庁

子供の体重により提供されるような所定の重量が可動部２にかかっている場合、チャイルドシート１が、突起５が溝６のちょうど上に位置決めされて配置されている状態のとき、またはチャイルドシート１が突起５が溝６のちょうど上に位置決めされるまで押されるとき、突起５は可動部２にかかる重量により溝６に押し込まれる。例文帳に追加

When a predetermined weight given by the weight of the child is applied to the movable part 2, the projection 5 is pushed into the groove 6 by the weight applied to the movable part 2 when the child seat 1 is arranged such that the projection 5 is positioned just above the groove 6 or when the child seat 1 is pushed until the projection 5 is positioned just above the groove 6. - 特許庁

一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。例文帳に追加

An alignment mark for positioning a substrate is embedded previously in a wide gap semiconductor substrate by growing a wide gap semiconductor layer (e.g. a GaN layer 19) epitaxially on the principal surface of a narrow gap semiconductor substrate where an alignment mark 4 is engraved at a prescribed position on the principal surface of the narrow gap semiconductor substrate (e.g. an Si substrate 2). - 特許庁