しょうめんほうせんぴっちの英語

画像処理を行うことなく、グリッドを介してＦＰＤの受光面に投射される放射線のピッチとＦＰＤの画素ピッチとの違いよって生じるモアレを取り去ることができる放射線画像撮影装置を提供する。例文帳に追加

To provide a radiographic imaging apparatus which can remove the moire generated by the difference between the pixel pitch of FPD and the radiation pitch projected on a light receiving surface of FPD through grids without image processing. - 特許庁

Ｓ１９においてＣＰＵは、ショートカット先の画面の画面遷移情報を登録ショートカット情報に置き換え、置き換えられた画面遷移情報に基づいて画面を表示すると共に、ショートカット画面を消去する。例文帳に追加

In an S19, the CPU replaces the screen transition information of the shortcut destination screen with the registration shortcut information, and displays the screen on the basis of the replaced screen transition information, and erases the shortcut screen. - 特許庁

また、ＰＶＤ法は成膜温度もＣＶＤに比べて低く、結晶粒も成長せず、特定の結晶面の選択エッチングも排除できる。例文帳に追加

A PVD method enables film formation at a temperature lower than that in a CVD method, results in no growth of crystal grains and eliminates occurrence of selective etching of particular crystal planes. - 特許庁

ピンを短時間で安全に打ち込み対象面に垂直に打ち込むことのできるピン打ち込みジグとピン打ち込み方法，およびピンの軸線に沿ってピンを引き抜くことのできるピン引き抜き装置とピン引き抜き方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a pin driving tool and a pin driving method for safely driving a pin vertically to a driving object surface in a short period of time, and to provide a pin pull out device and a pin pull out method for pulling out a pin along the axis of the pin. - 特許庁

傾斜補正治具２０は、単結晶基板１０の格子面１１の結晶方位１２と表面１０Ｓとのなす傾斜角αに対応した傾斜面２１を有しており、結晶方位１２と支持面１Ｓにおける法線方位１Ｐとが互いに平行になる。例文帳に追加

The inclination correcting device 20 has the inclined surface 21, corresponding to the angle α of the inclination formed by the crystal azimuth 12 of the lattice surface 11 of the single-crystal substrate 10 and the surface 10S of the single-crystal substrate 10, and the crystal azimuth 12 and the normal line azimuth 1P of a support surface 1S become parallel mutually. - 特許庁

琺瑯及びＦＲＰ（繊維強化プラスチック）の成型物損傷又は劣化表面の補修仕上げ方法例文帳に追加

METHOD OF REPAIRING AND FINISHING DAMAGED OR DEGRADED SURFACE OF MOLDING OF ENAMEL AND FIBER REINFORCED PLASTIC - 特許庁

基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。例文帳に追加

The manufacturing device includes: a crystal deposition device 10 for growing crystals by an organic metal vapor deposition or molecular beam epitaxy method on a substrate; and a heating laser irradiation device 20 for irradiating a heating laser beam 21 on a surface of the substrate. - 特許庁

基材２の表面に溶融はんだめっきが施された太陽電池用電極線材１のめっき前の基材は、Ｃｕを９９．９０mass％以上含む純銅の圧延材で形成され、圧延方向の結晶方位＜１００＞、＜１１４＞、＜１１２＞のＸ線回折によるピーク強度をそれぞれＰ＜１００＞、Ｐ＜１１４＞、Ｐ＜１１２＞と表すとき、下記式に示す＜１１４＞および＜１１２＞の結晶方位のピーク強度比ＰＲ（％）が５０〜９０％とされる。例文帳に追加

This base material of this electrode wire 1 for a solar cell before plating with molten solder plating applied to a surface of the base material 2 is formed of a rolled material of pure copper containing 99.90 mass% of Cu. - 特許庁