にしいちのえ４ちょうめの英語

そのため走査尖端部４の正確な位置がカンチレバー３の上面７に示されるので、ＳＰＭセンサが簡単に調整できる。例文帳に追加

With this configuration, since the exact position of the scanning tip 4 is shown on the upper surface 7 of the cantilever 3, the SPM sensor 1 can be easily adjusted. - 特許庁

このようにして、第１ＧａＮ層４にオフ面が形成されたＧａＮオフ基板２５を作製し、第１ＧａＮ層４のオフ面に第２ＧａＮ層を成長させる。例文帳に追加

Thus, a GaN off substrate 25 with an off surface formed on the first GaN layer 4 is produced, and a second GaN layer is grown on the off surface of the first GaN layer 4. - 特許庁

そのうえで負極４の両面が正極シート２０・２１と対向する部分に、金属リチウム箔の重畳部が配置されるようにした。例文帳に追加

Furthermore, the superimposed part of the foil 4a is disposed at a section in which both faces of the negative electrode 4 face positive electrode sheets 20, 21, respectively. - 特許庁

弁体４の閉位置を所定の位置に規制する停止手段８の調整ボルト１０と当接するレバー６の他端側側面６ｂを円弧状に形成して、弁体４の閉位置を所定の位置に調整する際に、調整ボルト１０とレバー６の接触位置が変化しないようにした。例文帳に追加

The other end side side-face 6b of a lever 6 abutting on the adjust bolt 10 of a stop means 8 for restricting the closed position of the valve element 4 to the specified position is formed into an arc shape, so that a contact position between the adjust bolt 10 and the lever 6 will not change, when the closed position of the valve element 4 is adjusted to the specified position. - 特許庁

更に、ＣＰＵ１がＲＯＭ４からプログラムの読み出しを行っている最中に、プログラム転送１０２によるＲＯＭ４のプログラムをＲＡＭ３に転送するためのＲＯＭ４の読み出しを調停する第２調停１０４を設けた。例文帳に追加

The second arbitration 104 is provided further to arbitrate reading from the ROM 4 for transferring the program of the ROM 4 to the RAM 3 by the program transfer 102, in reading of the program from the ROM 4 by the CPU 1. - 特許庁

この発明は、Ａ／Ｄコンバータ３、４間の出力レベルおよびＤ／Ａコンバータ１１、１２の出力レベルの誤差調整を行うために、スイッチ１、２、出力レベル調整部５、入力レベル調整部１０、及び調整部１５を備えている。例文帳に追加

Provided are switches 1 and 2, an output level adjustment part 5, an input level adjustment part 10, and an adjustment part 15 to adjust errors of the output level between A/D converters 3 and 4 and errors of output levels of D/A converters 11 and 12. - 特許庁

このエッチング工程に連続して、炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。例文帳に追加

Continued to the etching process, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace to make epitaxial growth of a second conductive type semiconductor 6 in the trench 4 and fill up the trench 4. - 特許庁

これにより、センタースピーカ４をスクリーン１の背面側に配置した場合でもユーザが視聴する視聴位置でセンタースピーカ４の適正な音声出力を得るようにした。例文帳に追加

In this way, even when the speaker 4 is arranged on the rear side of the screen 1, suitable sound output from the speaker 4 can be obtained at a viewing position where a user views the screen. - 特許庁