りゅうがばばの英語

この構成によれば、バッファ層を介したリーク電流を低減することができる。例文帳に追加

Such a structure can reduce the leak current through the buffer layer. - 特許庁

電流制限手段は、例えば、媒体アクセス時に必要なバイアス電流の規定値より小さいバイアス電流を設定したり、シーク電流とバイアス電流の合計が許容電流を超えないように、バイアス電流値を設定する。例文帳に追加

The current restricting means, for example, sets a bias current being smaller than a prescribed value of a bias current required at the time of access to a medium, and sets a bias current value so that total sum of the seek current and the bias current does not exceed a tolerable current. - 特許庁

久佐麻久良多妣乃麻流祢乃比毛多要婆安我弖等都氣呂許礼乃波流母志例文帳に追加

Kusamakura tabino maruneno himotaeba agatetotsukero korenoharumoshi (久佐麻久良 多妣乃麻流祢乃 比毛多要婆 安我弖等都氣呂 許礼乃波流母志)発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ロールオーババルブを搭載した車両が転倒状態から回復した際に、ロールオーババルブを通過して流出する液体燃料の量を低減することが可能なロールオーババルブを提供すること。例文帳に追加

To provide a roll-over valve that can reduce the amount of liquid fuel flowing out through the roll-over valve when a vehicle mounted with the roll-over valve is restored from an upset state. - 特許庁

よって、例えばバッテリ１６の電圧が高くて応答遅れが小さい場合には、待機電流が小さくされる。例文帳に追加

Thereby, for example, when the voltage of a battery 16 is high and a delay in response is small, the standby current is reduced. - 特許庁

本発明によれば、窒化物半導体層とＧＺＯ層２２とのショットキ接合を形成することにより、ショットキ接合の逆方向電流のリーク電流を抑制し、順方向電流の理想係数を１に近づけることができる。例文帳に追加

By this invention, by forming the Schottky junction of the nitride semiconductor layer and the GZO layer 22, the leakage current of the reverse current of the Schottky junction is suppressed and the ideal coefficient of a forward current is brought close to 1. - 特許庁

全国の流域内の河川区間ラインデータに対し、地理情報をベースにして河川名、流域、上流、下流、合流方向が規則的に区別できる、法則性を持った河川区間ＩＤ（例えば番号）が割り振られ、河川区間ＩＤが記憶部に予め記憶されている。例文帳に追加

River section ID (for example, numbers) having regularity for regularly discriminating a river name, a river basin, an upstream region, a downstream region and a merging direction is assigned to river section line data within a nationwide river basin by using geometrical information as a base, and the river section ID is preliminarily stored in a storage part. - 特許庁

本発明によれば、窒化物半導体層１１上の酸素をゲッタリングすることができ、電流コラプスを抑制することが可能となる。例文帳に追加

According to the present invention, gettering of oxygen on the nitride semiconductor layer 11 can be carried out and current collapse can be suppressed. - 特許庁