タング族の英語

タングステン化合物としては、例えばタングステン金属、タングステンと第IIIb族元素とからなるタングステン化合物、タングステンと第IVb族族元素とからなるタングステン化合物、タングステンと第Vb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステンと第VIb族元素とからなるタングステン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。例文帳に追加

The tungsten compound is at least one kind of compound selected e.g. from metallic tungsten, a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a tungsten compound composed of tungsten and a group IVb element, a tungsten compound composed of tungsten and a group Vb element and a tungsten compound composed of tungsten and a group VIb element. - 特許庁

西夏という,チベット系タングート族の国例文帳に追加

the country of the tibetan Tangut people, called Hsia発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

タングステン金属およびタングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、含窒素芳香族類と過酸化水素とを反応させることを特徴とする含窒素芳香族Ｎ−オキシド類の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the nitrogen-containing aromatic N-oxides comprises reacting the corresponding nitrogen-containing aromatics with the hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst prepared by reacting at least one kind selected from tungsten metal and a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a group IVb element, a group Vb element or a group VIb element except oxygen with the hydrogen peroxide. - 特許庁

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、カルボニル化合物とアンモニアと過酸化水素を反応させることを特徴とするオキシム化合物の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the oxime compound comprises carrying out a reaction between the carbonyl compound, ammonia and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen. - 特許庁

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、三級アミンと過酸化水素とを反応させることを特徴とするＮ−オキシド類の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the N-oxide comprises carrying out a reaction between the tertiary amine and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen. - 特許庁

タングステン電極１２Ａもしくはタングステン電極１２Ｂは、鉄族金属であるＣｏ、Ｎｉの内の少なくとも１種の含有率が１０ｐｐｍ以上であるタングステン材料、または、鉄族金属であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少なくとも２種の含有率の合計が２０ｐｐｍ以上であるタングステン材料、または、Ｆｅ含有率が２０ｐｐｍ以上のタングステン材料が使用されている。例文帳に追加

In the tungsten electrode 12A or the tungsten electrode 12B, tungsten material with content of ≥ 10ppm of at least one type of Fe, Co or Ni, among the iron group metal, tungsten material with ≥ 20ppm of total content of at least two types of Fe, Co or Ni, among the iron group metal or the tungsten material with Fe content of ≥ 20ppm is used. - 特許庁

ＣＶＤ反応チャンバ内でポリシリコンが塗布されたウェーハ上にタングステンシリサイド層を形成する方法において、ＣＶＤ反応チャンバ内に３族または５族水素化合物ガスを流入し、ポリシリコンの表面を３族または５族水素化合物ガスに前処理し、続いて、シランソースガスとタングステンソースガスを流入し、タングステンシリサイド層を蒸着する。例文帳に追加

A method of forming a tungsten silicide layer on a wafer, which is coated with polysilicon inside a CVD reaction chamber comprises the steps of supplying 3-group or 5-group hydrogen compound gas into the CVD reaction chamber, conducting a preprocessing to the surface of polysilicon with the 3-group or 5-group hydrogen compound gas and subsequently supplying a silane source gas and a tungsten source gas for evaporation of a tungsten silicide layer. - 特許庁