デプレッションの英語

デプレッションＮチャネルトランジスタを含む半導体装置において、ノイズの発生を低減する。例文帳に追加

To reduce noise in a semiconductor device which includes a depression N channel transistor. - 特許庁

閾値電圧ばらつきが少ないデプレッション型ＮチャネルＭＯＳトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a depression type n-channel MOS transistor having less variations in the threshold voltage. - 特許庁

デプレッション型のチャンネル領域を有する構成で耐圧を向上させる。例文帳に追加

To enhance breakdown voltage by a constitution having a depletion type channel region. - 特許庁

Ｑ６にはプラスチャージを注入してデプレッション型とし、そのゲートとソースを接続する。例文帳に追加

The FET Q6 is injected with positive charges, to make it a depletion type with the gate connected to the source. - 特許庁

ワード線１３に接続されたメモリセル１７にはデプレッション型のトランジスタが設けられている。例文帳に追加

A depression type transistor is provided in a memory cell 17 connected to a word line 13. - 特許庁

サブミクロンＣＭＯＳ集積回路とデプレッションＭＯＳ基準電圧回路とを搭載した半導体集積回路装置において、デプレッションＭＯＳ基準電圧回路の出力電圧のばらつきを小さくすること。例文帳に追加

To reduce variance in the output voltage of a depletion MOS reference voltage circuit in a semiconductor integrated circuit device mounted with a submicron CMOS integrated circuit and the depletion MOS reference voltage circuit. - 特許庁

ＶＣＣとＧＮＤの間に、高濃度のｎ型ポリシリコンゲートを持つデプレッション型ＭＯＳトランジスタＭ２と低濃度のｎ型ポリシリコンをゲートに有するデプレッション型ＭＯＳトランジスタＭ１を直列に接続する。例文帳に追加

A depression type MOS transistor M2 having a highly-concentrated n-type polysilicon gate and a depression type MOS transistor M1 having a low-concentrated n-type polysilicon gate are connected in series between VCC and GND. - 特許庁

デプレッションモードトランジスタのための電力増幅器バイアス保護が、本発明によって、デプレッションモードトランジスタのゲートに接続された閾値電圧調節器を使用して実現される。例文帳に追加

A power amplifier bias protection for a depletion mode transistor is achieved according to the invention with a threshold voltage adaptation connected to the Gate of the depletion mode transistor. - 特許庁