デプレッションの英語

デプレッションＮチャネルトランジスタを含む半導体装置において、ノイズの発生を低減する。例文帳に追加

To reduce noise in a semiconductor device which includes a depression N channel transistor. - 特許庁

ワード線１３に接続されたメモリセル１７にはデプレッション型のトランジスタが設けられている。例文帳に追加

A depression type transistor is provided in a memory cell 17 connected to a word line 13. - 特許庁

水素終端ダイヤモンドデプレッション型ＭＥＳＦＥＴおよび該デプレッション型ＭＥＳＦＥＴの製造方法例文帳に追加

HYDROGEN END DIAMOND DEPRESSION MESFET AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ウェル内に形成されたデプレッション型ラテラルＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置に関し、当該デプレッション型ラテラルＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧ばらつきの小さい半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where the dispersion of the threshold voltage of a depression-type lateral MOSFET is small, concerning a semiconductor device which has a depression-type lateral MOSFET made within a well. - 特許庁

ＶＣＣとＧＮＤの間に、高濃度のｎ型ポリシリコンゲートを持つデプレッション型ＭＯＳトランジスタＭ２と低濃度のｎ型ポリシリコンをゲートに有するデプレッション型ＭＯＳトランジスタＭ１を直列に接続する。例文帳に追加

A depression type MOS transistor M2 having a highly-concentrated n-type polysilicon gate and a depression type MOS transistor M1 having a low-concentrated n-type polysilicon gate are connected in series between VCC and GND. - 特許庁

ＰｃｈＭＯＳトランジスタ３１〜３４は、デプレッション形であることで、電源未投入時にオン状態となる。例文帳に追加

The transistors 31-34 are depletion type so that they turn on at the dry time of power source. - 特許庁

一方、ｎＭＯＳトランジスタ１３０は、デプレッション型であり、且つ、ゲート電極１３５がミッドギャップゲートである。例文帳に追加

An nMOS transistor 130 is of a depletion type and has a gate electrode 135 of a mid gap gate. - 特許庁

定電流源であるデプレッション型ＭＯＳトランジスタと、定電流を受けるエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタで構成された基準電圧回路において、デプレッション型ＭＯＳトランジスタのバックゲートをグラウンドに接続した。例文帳に追加

In the reference voltage circuit constituted of a depression MOS transistor, functioning as a constant current source, and an enhancement MOS transistor receiving a constant current, the back gate of the depression MOS transistor is connected to the ground. - 特許庁