上書きができず、また、バイト単位で消去することができないメモリの消去を効率的に行い、消去処理を実行中に処理が中断された場合であっても、消去処理の再開をできるようにすること。例文帳に追加

To make resumable erasing processing even when the processing is interrupted during the execution of the erasing processing by efficiently eras ing a memory whose overwriting is not possible, and whose erasing processing is not possible by byte unit. - 特許庁

バイトまたはワード単位で消去を行なうことができるフラッシュメモリ素子の消去方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an erasing method of a flash memory element by which erasion can be performed with a byte unit or a word unit. - 特許庁

上書きができず、また、バイト単位で消去することができないメモリの消去を効率的に行うこと。例文帳に追加

To perform efficiently erasion of a memory which cannot be overwritten and cannot be erased with a byte unit. - 特許庁

ビットをＯＮからＯＦＦにすることで、セクタ消去なしで、３２バイトで「２５６」をカウントする。例文帳に追加

by making the bit to OFF from ON, "256" are counted by 32 bytes without sector erase. - 特許庁

上書きができず、また、バイト単位で消去することができないメモリの信頼性を向上させること。例文帳に追加

To improve the reliability of a memory in which data cannot be overwritten nor erased by byte units. - 特許庁

ホットホール注入方法を用いて消去を行なうことにより、バイト単位で消去動作を行なうことができるフラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for erasing information stored in a flash memory element by which erasing operations can be performed in a byte unit by performing erasure by using a hot hole injecting method. - 特許庁

フラッシュメモリの１つのブロックが消去管理領域とされ、その中に１６バイトの整合性データ領域が設けられている。例文帳に追加

One block of the flash memory is set to a deletion management area, and 16-byte consistency data area is formed therein. - 特許庁

前記方法は、全バイト長をグラント長に一致させる(matching)ステップを含み、これによってパケットの断片化の損失が消去される。例文帳に追加

The methods include the step of matching the full byte length to the grant length, thereby avoiding the packet fragmentation loss. - 特許庁

面積をさらに縮小できるバイト単位で消去されるＥＥＰＲＯＭ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an EEPROM device the area of which can be further reduced and which can be erased in units of bytes and a method for manufacturing the same. - 特許庁

syslog(3,buf,len)の呼び出しはログ・バッファの最後の len バイトを(非破壊的に)読み出す、しかし、直近の「リング・バッファ消去」命令(この命令はバッファを消去するわけではない)以降にバッファに書き込まれた情報しか読み出せない。例文帳に追加

The call syslog(3,buf,len) will read the last len bytes from the log buffer (non-destructively), but will not read more than was written into the buffer since the last "clear ring buffer" command (which does not clear the buffer at all).発音を聞く  - JM

１バイトごとのデータの消去ができないようなフラッシュメモリであっても、１バイトごとのデータの書き換えを可能にしフラッシュメモリの記憶容量を有効利用できる記憶媒体アクセス制御装置を得る。例文帳に追加

To provide a storage medium access controller capable of effectively utilizing the storage capacity of a flash memory by rewriting data for each byte even in the case of the flash memory disabled to erase data for each byte. - 特許庁

１個のメモリセルとこれを挟み込む２個のセレクトゲートトランジスタとからなるセルユニットを有する３Ｔｒ．ＮＡＮＤにおいて、バイト単位のデータ書き換えを行う場合に、消去時に、ビット線又はソース線の電位を、バイト単位で設定できるようにし、バイト単位の消去を可能にする。例文帳に追加

In a 3Tr.NAND having a cell unit consisting of one memory cell and two select-gate transistors holding it between them, when rewriting of data of a byte unit is performed, at the time of erasing, a potential of a bit line or a source line can be set in byte units, and erasing in byte units can be performed. - 特許庁

ビット単位又はバイト単位という小さいデータ単位で書き換え及び消去が可能な半導体記憶装置のセル面積の縮小化を実現できるようにする。例文帳に追加

To reduce cell area of a semiconductor memory in which rewriting and erasure can be performed with a small data unit such as a bit unit or a byte unit. - 特許庁

相変化メモリにおいて、Ｍビット（８ビット＝１バイト）のデータの書き込みを行う際には、ｎビット（Ｍ＞ｎ）のデータの単位で消去動作とプログラム動作を行う。例文帳に追加

When M-bit (8 bits=1 byte) data is written to the phase change memory, an erasing operation and a program operation are performed in units of n-bit (M>n) data. - 特許庁

ページ内のデータをバイト単位で読み出すことなく、ページ全体がデータ初期状態（消去状態）にあるブランクページを高速に見つけ出すことができる半導体記憶装置及びそのブランクページ検索方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device finding out a blank page in which the whole of a page is in a data initialized state (erased state) at high speed without reading out data in the page in a byte unit and its blank page retrieval method. - 特許庁

フラッシュメモリ１の指定ページの内容を書き換える場合、コマンドデコーダ９に対し、指定ページの全内容を書き換えるか、任意バイトのみを書き換えるかを表すコマンドデータ 〜 を供給する前に、指定ページの消去時間を表すコマンドデータ を供給する。例文帳に追加

When contents of a specified page of a flash memory 1 is rewritten, before command data indicating that the whole contents of a specified page is rewritten or only an arbitrary bite is rewritten is supplied to a command decoder 9, command data indicating an erasing time of a specified page is supplied. - 特許庁

データの書き換えが可能でありデータを二重化して記憶するメモリを備えた集積回路チップであって、前記メモリは、ページ単位でのデータ消去が不要で、バイト単位でのデータ書き換えが可能な不揮発性メモリであることを特徴とする。例文帳に追加

The integrated circuit chip is provided with a memory wherein data can be rewritten and the data are duplexed and stored, and the memory is a nonvolatile memory for which data erasure by a page unit is not needed and data rewrite by a byte unit is possible. - 特許庁

フラッシュメモリ１０１に書き込まれているデータとＲＡＭ１０４上に格納された書換えデータをバイト単位で読み出して比較するデータ比較器１０２と、比較結果によりフラッシュメモリ１０１の消去、書換えを制御する書換え回路１０５とを備える。例文帳に追加

This flash memory rewrite device has: a data comparator 102 reading and comparing data written in a flash memory 101 and rewrite data stored in a RAM 104 in byte units; and a rewrite circuit 105 controlling erasure and the rewrite of the flash memory 101 by a comparison result. - 特許庁

消去が不要で、バイト単位での直接書き換えが可能なＮＶＭ、例えばＦｅＲＡＭなどを利用するので、ＲＡＭへのコピーが不要となり、データ更新時は二重化されたデータの無効面を更新し、最後に有効面と無効面を切り替えるといった単純な処理に置き換えることが可能である。例文帳に追加

Since the NVM, a FeRAM for instance, for which erasure is not needed and direct rewrite by the byte unit is possible is utilized, the need of copying to a RAM is eliminated, and replacement with the simple processing of updating the invalid face of duplexed data and switching a valid face and the invalid face at last is possible in updating the data. - 特許庁