単結晶砥粒の英語

平均粒子径０．１〜１５μｍの多結晶ダイヤモンド及び／又は単結晶ダイヤモンドの砥粒と、多価アルコールと水とを含む水性分散媒とを含有し、粘度が２．０〜１００ｍＰａ・ｓである研磨剤組成物とする。例文帳に追加

The abrasive composition contains abrasive grains of polycrystalline diamond and/or single-crystal diamond of 0.1 to 15 μm in average particle size, and an aqueous dispersion medium containing polyhydric alcohol and water, and has a viscosity of 2.0 to 100 mPa s. - 特許庁

基板上に窒化ガリウム厚膜単結晶を成長させ、窒化ガリウム厚膜単結晶をスライスして複数枚の窒化ガリウム基板を製造する窒化ガリウム基板の製造方法において、窒化ガリウム厚膜単結晶をスライスする際に、平均砥粒径９．５μｍ以上１４μｍ以下の砥粒を用いる方法である。例文帳に追加

In the method of manufacturing the gallium nitride substrate, with which the gallium nitride thick-film single crystal is grown on a substrate and then sliced to manufacture a plurality of sheets of gallium nitride substrates, abrasive grains of 9.5 to 14 μm in average grain size are used, when the gallium nitride thick-film single crystal is sliced. - 特許庁

加工機１を用いたレンズアレイ金型１０の溝加工に際して、まず、単結晶ダイヤモンド工具４と砥粒工具５の工具間距離を測定し、砥粒工具５をマイクロレンズアレイ金型１０の溝加工位置まで移動させて、単結晶ダイヤモンド工具４での加工代を残した切り込み量分Ｘ軸方向に移動させる。例文帳に追加

In grooving a lens array die 10 using a machine 1, the distance between a single crystal diamond tool 4 and an abrasive grains tool 5 is measured, the abrasive grains tool 5 is moved to the grooving position of the micro lens array die 10, and further moved in the X-axis direction by a cutting quantity leaving the working margin by the single crystal diamond tool 4. - 特許庁

スライス時に使用する研削液に分散させる砥粒粒度を４００番〜２５０番とし、スライス時のワイヤーのテンションを３０〜３５Ｎとして、単結晶シリコンのインゴットをスライスする。例文帳に追加

The particle size of grinding particles to be dispersed in a grinding liquid to be used during slicing is made No.400-250, the tension of a wire during slicing is made 30-35 N, and a single crystal silicon ingot is sliced. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶基板の（０００−１）カーボン面を研磨するＳｉＣ結晶研磨方法において、研磨加工する際に、コロイダルシリカから成る砥粒に親水性を持つ有機溶剤を溶媒とした研磨剤と酸化剤とを用いて研磨加工を行う。例文帳に追加

In the SiC crystal polishing method for polishing the (000-1) carbon plane of the SiC single crystal substrate, polishing is executed using a polishing agent in which an organic solvent having hydrophilic property is contained as a medium in grains consisting of colloidal silica, and an oxidizer. - 特許庁

立方晶窒化ホウ素１ｍｏｌに含まれる立方晶窒化ホウ素合成触媒成分が７．５×１０^−４ｍｏｌ以下である単結晶からなる立方晶窒化ホウ素砥粒。例文帳に追加

Cubic boron nitride abrasive grains comprise single crystals comprising ≤7.5×10^-4 mol of a cubic boron nitride synthesis catalyst component contained in 1 mol of the cubic boron nitride. - 特許庁

図１に示すような摩擦力顕微鏡の機構を用い、単結晶シリコン材料３に対して端部にダイヤモンド砥粒５を備えたレバー１０を有するカンチレバー４を強く当接させる。例文帳に追加

A cantilever 4 having a lever 10 with diamond abrasive grains 5 at its end is strongly abutted against a single crystal silicon material 3 with use of such a mechanism of a frictional-force microscope as shown in Fig. 1. - 特許庁

単結晶サファイヤ基板の超砥粒ワイヤソーによる切断加工において、（１１−２０）面（ａ面）と平行な方向に高精度な切断加工を可能にする切断加工法と、その切断装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a cutting processing method capable of subjecting a single crystal sapphire substrate to cutting processing of high precision in the direction parallel to a (11-20) plane (a-plane) in the cutting processing of the single crystal sapphire substrate due to a super-abrasive particle wire saw, and a cutting device therefor. - 特許庁