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周期的堆積の英語
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「周期的堆積」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
金属ケイ素含有膜の周期的化学気相堆積例文帳に追加
CYCLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF METAL-SILICON CONTAINING FILM - 特許庁
ケイ素含有膜の周期的プラズマ化学気相堆積例文帳に追加
PLASMA ENHANCED CYCLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS - 特許庁
その後、周期的堆積、化学気相堆積、又は、物理的気相堆積技術を用いて、タングステンのバルクフィルが核形成層上に堆積されてもよい。例文帳に追加
A tungsten bulk fill may then be deposited on the nucleation layer employing cyclical deposition, chemical vapor deposition or physical vapor deposition techniques. - 特許庁
周期的に繰り返し処理されるPM堆積量算出処理において、PM堆積量の前回値を呼び出し(S60)、この堆積量とDPFの構造(例えばセル壁厚さやセル密度)とから、DPFにおける管路面積減少度を算出する(S70)。例文帳に追加
In a PM accumulation amount calculation processing repeated periodically, the previous value of the PM accumulation amount is called (S60), and a degree of reduction of the pipe area in the DPF is calculated (S70) based on the PM accumulation amount and the structure of the DPF (for example, a cell wall thickness or a cell density). - 特許庁
基板がプラズマチャンバ中に置かれ、エッチングステップ及び堆積ステップを有する交互の周期的なプロセスにかけられる。例文帳に追加
A substrate is placed within a plasma chamber and subjected to an alternating cyclic process including an etching step and a depositing step. - 特許庁
2つ以上の材料から成る均一な化合物ターゲット使用し、磁界を周期的に変化させ、ある材料の堆積率を他の材料に対して周期的に増加させる。例文帳に追加
A uniform compd. target 21 composed of ≥ two materials is used, the magnetic field is periodically changed, and the depositing rate of one material is periodically increased to that of the other material. - 特許庁
半導体又は液晶パネル製造装置における排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの付着・堆積を抑制して、排気配管または排気設備の清掃周期を短くする珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a method for suppressing the deposition of ammonium silicofluoride where the sticking and deposition of ammonium silicofluoride in exhaust gas treatment system piping in a semiconductor or liquid crystal panel production device are suppressed, and the cleaning period of the exhaust piping or exhaust equipment is reduced. - 特許庁
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「周期的堆積」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
原子炉内の冷却液流路内の高速度流体流に対し周期的にまたは実質的に連続的に曝される濡れ表面上の荷電微粒子の静電的堆積を減少させる方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for reducing electrostatic deposition of charged particles on wetted surfaces that are exposed periodically or substantially continuously to high velocity fluid flow within a coolant flow path in a nuclear reactor. - 特許庁
さらに、堆積操作間に、または、必要でないときには周期的に、気化チャンバ内に残っている液体反応物を、より低温に保たれている保管容器、または別個の液抜き容器に排出して戻すことができる。例文帳に追加
In addition, between the deposition operations or periodically if not necessary, the liquid reactant remaining in the vaporization chamber can be discharged and returned to the storage vessel kept at a lower temperature or a separate liquid-removing vessel. - 特許庁
別の態様において、第一及び第二の導電金属層を堆積させ、該金属層をアニーリングして周期的ネットワークとして構造化された表面転位を形成し、前記テクスチャライジング下層を形成し、導電金属を気相堆積させて前記テクスチャライジング層の表面転位の上に凝集して、アイランドクラスタ形態のナノ構造を形成する。例文帳に追加
In another embodiment, a texturizing underlayer is formed by depositing first and second conductive metal layers and annealing the metal layers to form surface dislocations structured as a periodic network, and a conductive metal is then deposited in gaseous phase and agglomerates onto the surface dislocations of the texturizing layer to form nanostructures in the form of island clusters. - 特許庁
洗浄時刻を交通量が少なく集塵運転しなくても比較的影響の少ない洗浄に適した時間帯に固定しつつ、電極板に堆積する粉塵量から洗浄が可能かどうかを判断し、洗浄周期を自動的に可変させる。例文帳に追加
To automatically vary a cleaning cycle by deciding the possibility of cleaning from a dust amount accumulated on the electrode plates, while setting the cleaning time to a time zone with little traffic density, suited to cleaning with relatively little affect, even if dust collection operation is not performed. - 特許庁
第2の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら処理室に供給し、且つ処理室内の圧力を1333Pa以上13332Pa以下とする条件である。例文帳に追加
In the second condition, the deposition gas including silicon or germanium and hydrogen are supplied to the process chamber while periodically increasing or decreasing the flow rate ratio therebetween, and the pressure in the process chamber is set to 1333 Pa or more and 13332 Pa or less. - 特許庁
品質上の問題点を満足させつつ、用いる押出機先端での熱硬化性物質の生成・堆積が防止され、押出機のフィルター交換周期が短くならない、末端未安定化オキシメチレン共重合体から不安定成分を連続的に除く方法を提案する。例文帳に追加
To provide a method for continuously removing an unstable component from an terminal un-stabilized oxymethylene copolymer, while satisfying problematic points in its quality, preventing the production and piling of a thermosetting substance at the tip end of the used extruder and without shortening the exchanging period of a filter of the extruder. - 特許庁
本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第1の動作周期の1周期内に少なくとも1秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。例文帳に追加
In the deposition method performing thin-film formation by irradiating a target material with ions in a vacuum chamber to deposit the constitution material of the target material on a substrate, at least one or more seconds of non-irradiation time is set within one period of a first operation period of intermittent ion irradiation consisting of ion irradiation and ion non-irradiation. - 特許庁
イオン化した粒子を基体7に入射させて堆積膜を形成する成膜方法及び成膜装置において、基体7の表面側に引き込み電極10を設け、この引き込み電極に接地電位に対して負極性の周期的に変化する電圧を印加しながら成膜を行うことを特徴とする。例文帳に追加
In the film deposition method and the film deposition apparatus to form a deposited film by allowing ionized particles to be incident on a base body 7, a lead-in electrode 10 is provided on a face side of the base body 7, an the film is deposited while applying to this lead-in electrode the periodically changing voltage of negative polarity to the grounding electric potential. - 特許庁
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cyclic sedimentation
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