底辺層の英語

各電気導体６を、その斜状の辺6dに被着されたメッキ層の一部がＬＥＤの側面に対向するように底辺7aを装置基板２の一面に接着して設ける。例文帳に追加

The base side 7 is bonded with one surface of the mounting base 1 so that a part of the plated layer bonded on the inclined side 6d of the conductor 6 can face a side surface of the LED. - 特許庁

さらに、世界には「光」の恩恵を十分に受けられずに貧しいままの国がアフリカを中心に存在しており、いまだ底辺で生活する絶対的貧困層が全世界に約10億人存在している。例文帳に追加

Furthermore, there are countries in the world, primarily in Africa, that have not been able to fully benefit from the “light” and still remain in poverty. About one billion people around the world are still living the lowest form of life suffering extreme poverty. - 経済産業省

その一方で、世界経済のグローバル化の「光」を受けることができず、後発開発途上国（LDC）を始め「貧しいままの国々」や未だ「貧困層」として底辺で生活する人々が存在する。例文帳に追加

On the other hand, people in least developed countries (LDCs) and the so-called "remaining poor countries," as well as people who live on the edge of "poverty," have not benefited from the "bright side" of economic globalization. - 経済産業省

凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。例文帳に追加

After a nitride-based III-V compound semiconductor layer 15 is grown in a recess 13 between the protrusions 12 through a process having a triangular section with its bottom as a base, lateral growth takes place from the layer 15. - 特許庁

凹凸加工を施したサファイア基板１１の凹部１１ａに、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経てｎ型ＧａＮ層１２を成長させることによりこの凹部１１ａを埋めた後、このｎ型ＧａＮ層１２から凸部１１ｂ上に横方向成長を行う。例文帳に追加

In a recess 11a of a sapphire substrate 11 to which rugged working is applied, an n-type GaN layer 12 is made to grow through a state that it has a triangular cross-sectional shape with a bottom surface as a base so as to fill up this recess 11a, and lateral growth is then performed from this n-type GaN layer 12 onto a protrusion 11b. - 特許庁

第１の色補正構造４０を構成する凸部の断面形状は、第１の色補正構造４０の接合層６と反対側の面からの高さをＴＭ、接合層６と反対側の面における底辺の幅をＰＭとした際に、ＴＭ／ＰＭが０．５未満である。例文帳に追加

In a cross-sectional shape of a projecting part constituting the first color correction structure 40, TM/TP is less than 0.5, where TM represents a height from a surface on an opposite side of a junction layer 6 and PM represents a width of a base at the surface on the opposite side of the junction layer 6, in the first color correction structure 40. - 特許庁

サファイア基板１１の一主面に形成した凹部１１ａに、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経てＧａＮ層１２を成長させることによりこの凹部１１ａを埋めた後、このＧａＮ層１２から横方向成長を行う。例文帳に追加

In a recess 11a formed on one main surface of a sapphire substrate 11, growth in a lateral direction is performed from a GaN layer 12, after burying the recess 11a by making the GaN layer 12 grow after passing through a state of a triangular cross section shape with its bottom face as a base. - 特許庁

リッジ底辺の幅Ｗおよび残し膜厚ｄを高寸法精度で形成でき、さらにリッジの側壁にも電流ブロック層が成長するとともに、ボイドの発生も抑制可能なIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a group III-V compound semiconductor that enables the base width W of a ridge and the thickness d of a residual film to be set high in dimensional accuracy and a current block layer formed sandwiching in the ridge of a second clad layer to grow, and prevents generation of a void. - 特許庁