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析出速度の英語

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英訳・英語 deposition rate


JST科学技術用語日英対訳辞書での「析出速度」の英訳

析出速度


「析出速度」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 70



例文

バッファ層の析出が不要な部分のバッファ層の析出を抑制し、組成の均一なバッファ層を析出速度を速く製造する。例文帳に追加

To manufacture a buffer layer of a uniform composition at a high deposition speed, by suppressing deposition of the buffer layer at a portion where deposition of the buffer layer is unnecessary. - 特許庁

電解析出による物質の析出速度を向上させるとともに、電解析出の材料となる気体の消費量を削減できる電解析出装置および電解析出方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electrolytic deposition apparatus and an electrolytic deposition method in which the deposition rate of a substance by electrolytic deposition is improved, and the consumption of gas used as a material for electrolytic deposition can be reduced. - 特許庁

石炭ガス化ガスのカーボン析出速度が抑制されると、このガスに含有されるCOからのカーボンの析出を抑制することができる。例文帳に追加

When the carbon precipitation speed of coal gasified gas is restrained, precipitation of carbon from CO contained in gas can be restrained. - 特許庁

開口部が狭く、深い窪みを有する基板において、該窪みの側壁にそって、金属を析出させるメッキ工程において、基板の表面に析出する析出速度と、窪みの側壁及び底部に析出する析出速度とを、ほぼ同等とすることにより、基板表面に析出される金属段差を、小さくすることが可能とする半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device including a plating step of depositing metal along a sidewall of a deep recess having a narrow opening and made in a substrate, which can make small the step difference of the metal deposited on the substrate, by making the deposition rate on the substrate nearly equal to the deposition rate on the sidewall and the bottom of the recess. - 特許庁

建浴後、所定日数が経過してもめっき析出速度が著しく低下せず、長期に亘ってほぼ一定のめっき析出速度を維持する無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electroless palladium plating bath in which a plating deposition rate is not remarkably reduced even if predetermined days are passed after the initial bath makeup, and an almost fixed plating deposition rate is retained over a long period, and to provide an electroless palladium plating method. - 特許庁

長期間にわたりかつ高いめっき速度で、良好なニッケル析出を生成する、ニッケルめっき溶液を提供すること。例文帳に追加

To provide nickel plating solution which produces an acceptable nickel deposit over an extended period of time at a high plating rate. - 特許庁

例文

析出するパラフィン量の冷却速度依存性が軽減され、且つ、低温流動性向上剤の効果を高める軽油組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a gas oil composition relieving the dependence of a precipitating paraffin amount on a cooling rate, and enhancing the effect of a low temperature fluidity improver. - 特許庁

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クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「析出速度」の英訳

析出速度


「析出速度」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 70



例文

中性且つ低温でも、金の析出速度が高く、安定性も優れた無電解金めっき液を提供すること。例文帳に追加

To provide an electroless gold plating solution giving the high precipitation rate of gold, and having excellent stability even in neutral conditions and at low temperatures. - 特許庁

金属析出物の生成がなく、加工速度の速い、窒化物セラミックス基板のレーザー加工法を提供する。例文帳に追加

To provide a laser beam machining method of a nitride ceramic substrate by which no metal is deposited, and the machining speed is made high. - 特許庁

めっき液は、繊維、繊維束や糸などに金属が低速度析出する低反応性の無電解めっき液である。例文帳に追加

The plating solution is a low reactive electroless plating solution to deposit metal at a low speed on the fiber, the fiber bundle, the yarn and the like. - 特許庁

広い溝と細い溝との析出速度の差を小さくすることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that reduces the difference in deposition rate between a broad groove and a narrow groove, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device. - 特許庁

早いめっき析出速度と優れたレベリング性を与えるアルカリ性電気亜鉛めっき浴およびめっき方法を提供する。例文帳に追加

To provide an alkaline electrogalvanizing bath giving a high plating deposition rate and excellent leveling properties and to provide a plating method. - 特許庁

この結果、基板結晶24への途中でAlNが析出してしまうことを防止し、AlNエピタキシャル成長速度が向上する。例文帳に追加

This prevents AlN from being deposited before reaching the substrate crystal 24, thereby increasing the AlN epitaxial growth rate. - 特許庁

ウェハの中心部と外周部でのメッキの析出速度の差を小さくできる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that reduces the difference in plating deposition rate between a central region and a outer region of a wafer to be reduced, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device. - 特許庁

例文

更に、ナノ結晶相の析出に係る熱処理を行う際に、第2結晶化開始温度に至る前に昇温速度を下げることとする。例文帳に追加

Further, a temperature elevation rate is made low before brought into the second crystallization starting temperature, when conducting the heat treatment concerned in the deposition of the nano-crystal phase. - 特許庁

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