結晶性低融点ガラスおよび封着用組成物例文帳に追加

CRYSTALLINE LOW-MELTING GLASS AND SEALING COMPOSITION - 特許庁

高融点単結晶材料の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCTION OF HIGH-MELTING POINT SINGLE CRYSTAL MATERIAL - 特許庁

結晶性スルホン化ポリエステルを含有する超低融点および極超低融点トナー例文帳に追加

SUPER LOW MELT AND ULTRA LOW MELT TONERS CONTAINING CRYSTALLINE SULFONATED POLYESTER - 特許庁

結晶開始温度８０〜１４０℃、融点１３０〜２００℃である結晶性低融点ポリエステルからなることを特徴とする熱接着性繊維。例文帳に追加

The heat adhesive fiber is composed of a crystalline low-melting polyester having 80-140°C crystallization starting temperature and 130-200°C melting point. - 特許庁

前記側鎖結晶化可能ポリマーは、融点が３０℃以上でありかつ融点未満の温度で結晶化する。例文帳に追加

The side chain-crystallizable polymer has a melting point of ≥30°C and crystallizes at a temperature lower than the melting point. - 特許庁

金属間化合物融液を用いた高融点シリサイド結晶成長法例文帳に追加

GROWTH OF HIGH MELTING POINT SILICIDE CRYSTAL BY USING MOLTEN LIQUID OF INTERMETALLIC COMPOUND - 特許庁

トリアジン系化合物の高融点型結晶の製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF TRIAZINE COMPOUND CRYSTAL HAVING HIGH MELTING POINT - 特許庁

トリアジンジアミン誘導体の高融点型結晶の製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF TRIAZINEDIAMINE CRYSTAL HAVING HIGH MELTING POINT - 特許庁

前記側鎖結晶性ポリマーは、融点が５０℃以上であり、融点未満の温度で結晶化しかつ融点以上の温度で流動性を示すのが好ましい。例文帳に追加

The side chain crystalline polymer preferably has ≥50°C melting point, crystallizes at a temperature lower than the melting point and shows flowability at or higher than the melting point. - 特許庁

(１)重合体Ａ、Ｂのポリ乳酸系重合体の融点が１５０℃以上(２)脂肪族ポリエステル共重合体の融点が重合体Ｂの融点よりも低い(３)脂肪族ポリエステル共重合体が結晶融点を有する。例文帳に追加

(2) The melting point of the aliphatic copolyester is lower than that of the polymer B. (3) The aliphatic copolyester has a crystal melting point. - 特許庁

転写／定着工程においては、第２の加圧ローラを、結晶性物質の融点以上で（融点＋５０℃）以下の温度に加熱することが好ましい。例文帳に追加

In the transfer/fixing step, the second pressurizing roller is preferably heated to a temperature higher than the melting point of the crystalline material and not higher than the temperature of (melting point+50°C). - 特許庁

高い平坦性と高結晶性を有する酸化物超電導結晶基板３と、高強度の補強用結晶基板５とが、酸化物超電導結晶基板３を構成する酸化物超電導単結晶または酸化物超電導多結晶の融点よりも低融点の材料からなる低融点層を最外層に有する中間層７を介して接着された酸化物超電導積層基板１。例文帳に追加

This oxide superconducting laminated substrate 1 is manufactured by joining an oxide superconducting crystal substrate 3 having high flatness and high crystal properties to a high strength reinforcing crystal substrate 5, while interposing between them, an intermediate layer 7 consisting of a material having a lower melting point than that of the constituent oxide superconducting single crystal or polycrystal of the oxide superconducting crystal substrate 3. - 特許庁

シリコン単結晶成長装置および低融点ドーパントの注入方法例文帳に追加

SILICON SINGLE CRYSTAL GROWTH EQUIPMENT AND INJECTION METHOD OF LOW MELTING POINT DOPANT - 特許庁

高強度・高再結晶温度の高融点金属系合金材料とその製造方法例文帳に追加

ALLOY MATERIAL OF HIGH MELTING-POINT METAL HAVING HIGH STRENGTH AND HIGH RECRYSTALLIZATION TEMPERATURE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

多結晶シリコン膜４０６上に高融点金属膜４０７を堆積する。例文帳に追加

A high-melting metal membrane 407 is stacked on the polycrystal silicon film 406. - 特許庁

Ｘ＝ΔＨｃ１／ΔＨｍ１ ０≦Ｘ≦０．７ （４）（Ｂ）の結晶性樹脂成分の融点が１５０℃を超える。例文帳に追加

(4) The melting point of the crystalline resin component (B) is higher than 150°C. - 特許庁

この単結晶Ｓｉ基板１０と低融点ガラス基板２０を貼り合わせる。例文帳に追加

The single crystal Si substrate 10 and a low melting point glass substrate 20 are stuck. - 特許庁

レーザ結晶８を低融点の充填材２６を介してホルダ１５に保持した。例文帳に追加

The semiconductor laser device is equipped with a holder 15 which holds the laser crystal 8 through the intermediary of a filler 26 of low-melting point. - 特許庁

低い融点と高い結晶化温度、および広い結晶性分布を持つプロピレン−環状オレフィン共重合体を提供すること。例文帳に追加

To obtain a propylene-cyclic olefin copolymer having a low melting point and a high crystallization temperature, and a wide distribution of crystalline. - 特許庁

高融点金属膜付シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法並びにシリコン単結晶中の不純物ゲッタリング方法例文帳に追加

SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER WITH HIGH-MELTING-POINT METALLIC FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR IMPURITY GETTERING IN SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

特に、高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal growing apparatus capable of easily and stably growing, especially, a large diameter single crystal composed of a high melting point raw material. - 特許庁

そして、この無定形の高融点金属シリサイド膜等を結晶化し結晶化したチタンシリサイド膜８等を形成する。例文帳に追加

The method further comprises the step of forming a titanium silicide film 8 or the like which is crystallized by crystallizing the amorphous high melting point metal silicide film or the like. - 特許庁

スクロース体の過飽和溶液からスクロース結晶を成長させる結晶化工程を有する砂糖の製造方法であって、スクロース結晶は、融点の異なる３種以上の結晶形からなり、結晶化工程の結晶化条件を調整することにより、結晶形を制御し、得られる砂糖の融点を制御する。例文帳に追加

This method for producing the sugar, having a crystallization process for growing sucrose crystals from the supersaturated solution of the sucrose, is characterized in that the sucrose crystals comprise three or more crystal forms having different melting points and that the crystal forms and the melting points of the sugar are controlled by adjusting the crystallization conditions of the crystallization process. - 特許庁

結晶の原料を融解して前処理品を作製し、前処理品を融解及び結晶化してインゴットを作製する工程、インゴットを融点以下で熱処理して結晶を生成する工程の後に結晶の結晶軸のばらつきを検査し、結晶の選別を行う。例文帳に追加

The method for producing a single crystal comprises the steps of preparing a pretreated product by melting a crystal raw material, and preparing ingot by melting and crystallizing the pretreated product, producing a crystal by heat-treating the ingot at a temperature of the melting point or lower, and after that, inspecting fluctuation of crystal axes of the crystal and screening the crystal. - 特許庁

得られた構造の表面に高融点金属膜２５を形成した後、前記高融点金属膜２５を介してＳｉ又はＧｅを導入して前記結晶化半導体膜１５の表面近傍を非結晶化する。例文帳に追加

After forming a high-melting-point metal film 25 in the surface of the obtained structure, near the surface of the crystallized semiconductor film 15 is made amorphous by introducing Si or Ge through the high-melting-point metal film 25. - 特許庁

ポリ乳酸１００質量部と、結晶核剤２〜２０質量部とを含み、前記結晶核剤の融点が前記ポリ乳酸の融点よりも低いことを特徴とする、ポリ乳酸樹脂組成物。例文帳に追加

The polylactic acid resin composition includes 100 pts.mass of polylactic acid and 2-20 pts.mass of a crystal nucleating agent, wherein the melting point of the crystal nucleating agent is lower than that of the polylactic acid. - 特許庁

電離性放射線が照射されて改質された部分の結晶融点が照射前の結晶融点よりも低下するように、該電離性放射線の線量率及び照射線量が設定されている。例文帳に追加

The dosage rate and radiation dose of the ionizing radiation are set so that the crystal melting point of the part modified by the ionizing radiation is lowered than that before the radiation. - 特許庁

融点が１８０〜２８０℃の結晶性ポリマー成分とガラス転移点温度が５０〜８０℃の非結晶性ポリエステル成分とを含有するトナー用樹脂組成物と、融点が７０〜１２０℃である低融点化合物とを含有するトナー。例文帳に追加

The toner comprises a resin composition for toner containing a crystalline polymer component having 180 to 280°C melting point and a noncrystalline polyester component having 50 to 80°C glass transition temperature, and a low melting point compound having 70 to 120°C melting point. - 特許庁

多結晶シリコン層３上に第１の高融点金属シリサイド膜４を形成し、高融点金属シリサイド膜４上にシリコン濃度が高融点金属シリサイド膜４よりも高い高シリコン高融点金属シリサイド膜８、９を形成する。例文帳に追加

A first high fusing point metal silicide film 4 is formed on a polycrystalline silicon film 3 and high silicon high melting point metal silicide films 8 and 9 whose silicon density is higher than the high melting point metal silicide film 4 are formed on the high fusing point metal silicide film 4. - 特許庁

感圧性接着剤および側鎖結晶性ポリマーを含有し、該側鎖結晶性ポリマーの融点以上の温度で粘着力が低下する感温性粘着剤であって、前記側鎖結晶性ポリマーの融点を６０℃以上１００℃未満にした。例文帳に追加

The temperature-sensitive adhesive containing a pressure-sensitive adhesive and a side chain-crystallizable polymer, and reducing the adhesive strength at a temperature not lower than the melting point of the side chain-crystalline polymer is regulated so that the melting point of the side chain-crystalline polymer may be ≥60°C and <100°C. - 特許庁

粘着性を有するポリマーと側鎖結晶化可能ポリマーとを含み側鎖結晶化可能ポリマーの融点以上の温度で粘着性が低下する粘着剤であって、前記側鎖結晶化可能ポリマーの融点が、頭皮の表面温度より高いことを特徴とする。例文帳に追加

The pressure-sensitive adhesive for fixing the wig is characterized in that the pressure-sensitive adhesive comprises a polymer having pressure-sensitive adhesiveness and a side-chain crystallizable polymer and reduces the pressure-sensitive adhesiveness at a temperature not lower than the melting point of the side-chain crystallizable polymer and the melting point of the side-chain crystallizable polymer is higher than the surface temperature of the scalp. - 特許庁

加熱溶解したカカオ脂を、カカオ脂の最安定結晶の融点より１５℃以上低い温度に冷却し、不安定結晶を析出させた後、カカオ脂の最安定結晶の融点より１〜１３℃低い温度に保持し、粒状の最安定形結晶を析出させ、結晶部と液状部に分離することを特徴とするカカオ脂の分別方法。例文帳に追加

Molten hot cacao butter is cooled to a temperature lower than the melting point of the most stable crystal of the cacao butter by ≥15°C to precipitate unstable crystals and maintained at a temperature lower than the melting point of the most stable crystal of the cacao butter by 1-13°C to precipitate the most-stable crystals in granular form and separate the butter into a crystalline part and a liquid part. - 特許庁

本発明の繊維シートは、異方性ポリマー繊維と結晶性樹脂とを含み、結晶性樹脂は結晶性樹脂が本来有する溶融点よりも５℃以上高い融解ピーク温度を有する。例文帳に追加

The fiber sheet contains an anisotropic polymer fiber and a crystalline resin, and the crystalline resin has a melting peak temperature higher than the characteristic melting point of the crystalline resin by ≥5°C. - 特許庁

シリコン単結晶中の不純物に対するゲッタリング能力を付与したシリコン単結晶ウェーハであって、シリコン単結晶ウェーハの裏面に高融点金属膜を形成するようにした。例文帳に追加

This silicon single crystal wafer is given gettering capacity for impurities in a silicon single crystal, and a high-melting-point metallic film is formed on the rear surface of the silicon singe crystal wafer. - 特許庁

このため、半導体膜５の融点近傍で、半導体膜５と光触媒層４の界面に結晶核を発生させることができ、これにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成することができる。例文帳に追加

Consequently, crystal nucleuses can be generated almost at the fusion point of the semiconductor film 5 on the interface between the semiconductor film 5 and photocatalyst layer 4 and then the polycrystalline semiconductor film can be formed which has the uniform crystal grain size. - 特許庁

二ホウ化ジルコニウム単結晶よりも融点が低く、それ故、低コストで供給でき、且つ、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する新規な二ホウ化物単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a new diboride single crystal which can be supplied at a low cost because its melting point is lower than that of a zirconium diboride single crystal and has a lattice constant and a coefficient of thermal expansion equivalent to the zirconium diboride single crystal. - 特許庁

Ｓｉ系結晶体、Ｇｅ系結晶体、及び化合物・酸化物半導体結晶体から選択された結晶体を、融点直下の温度乃至上記半導体結晶体が塑性変形能を有する温度に加熱する工程と、この温度範囲で上記結晶体を加工して所望の形状とする工程とを具備する半導体結晶体の加工方法。例文帳に追加

The method of working a semiconductor crystalline is provided with a process of heating a crystalline selected from among the silicon-based crystalline, a germanium-based crystalline and a compound/oxide semiconductor crystalline to a temperature just under a melting point or a temperature where the semiconductor crystalline has plastic deforming ability, and a process of working the crystalline in this temperature range to make a desired shape. - 特許庁

エチレンと酢酸ビニルなどのコモノマーとの直接の水性系遊離基乳化重合により調製される半結晶性水性系ポリマーエマルジョンであって、該半結晶性水性系ポリマーエマルジョンは結晶溶融点と、５〜１００Ｊ／ｇの範囲の結晶融解熱とを有する。例文帳に追加

The semi-crystalline water-based polymer emulsions are prepared by direct water-based free radical emulsion polymerization of ethylene with a comonomer such as vinyl acetate and have a crystalline melting point and heat of crystal fusion ranging from 5 to 100 J/g. - 特許庁

本発明の結晶性Ｓｉ層含有基板は、プラスチック基板上に結晶性Ｓｉ層を有する結晶性Ｓｉ層含有基板において、前記プラスチック基板と前記結晶性Ｓｉ層との間に融点が４０〜１２００℃の材料を含む層を少なくとも一層有することを特徴とする。例文帳に追加

The crystalline Si layer containing substrate has at least one layer comprising a material whose melting point is 40 to 1,200°C between a plastic substrate and a crystalline Si layer in the crystalline Si layer-containing substrate with the crystalline Si layer on the plastic substrate. - 特許庁

側鎖結晶性ポリマーを含有し、該側鎖結晶性ポリマーの融点未満の温度で粘着力が低下する感温性粘着剤であって、前記側鎖結晶性ポリマーが、紫外線硬化性官能基を有する紫外線硬化型側鎖結晶性ポリマーである。例文帳に追加

The thermosensitive pressure-sensitive adhesive comprises a side-chain crystalline polymer and exhibits lowered pressure-sensitive adhesive force at a temperature lower than the melting point of the side-chain crystalline polymer, where the side-chain crystalline polymer is an ultraviolet-curable side-chain crystalline polymer bearing an ultraviolet-curable functional group. - 特許庁

結晶成長の際に融液内に存在するガス体や高融点のパーティクルを効率的に系外に排出し、成長した結晶が高純度であり、気泡等を含まない結晶成長方法およびそのための結晶製造装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a crystal for efficiently discharging a gaseous material or particles having a high melting point present in a melt during growing a crystal to the outside of the system and for obtaining a grown crystal with high purity and no bubble or the like, and to provide a crystal manufacturing apparatus for the method. - 特許庁

希土類磁石組成の合金溶湯の急冷凝固により作製した平均結晶粒径１０〜２００ｎｍの薄片状の多結晶相と、該多結晶相の表面に形成され、該多結晶相より融点が低い低融点相とから成る原料を焼結することを特徴とする焼結希土類磁石の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the sintered rare earth magnet, sintering is performed to a material composed of: a flake-shaped polycrystal phase that is produced by rapidly solidifying alloy melt of a rare earth magnet composition, and whose average crystal grain size is 10-200 nm; and a low melting point phase that is formed on a surface of the polycrystal phase and whose melting point is lower than that of the polycrystal phase. - 特許庁

温度勾配をもたせた炉内で、種結晶と単結晶原料を入れたるつぼを回転させつつ、るつぼ内の単結晶原料を、炉内上部のランガサイトの融点以上の温度領域の位置から炉内下部の融点より低い温度領域の位置まで降下させることにより単結晶を育成する。例文帳に追加

The single crystal is grown in a furnace having a temperature gradient in it by lowering the raw material for the single crystal in the crucible from the upper position of the furnace whose temperature region is higher than the melting point of langasite to the lower position of the furnace whose temperature region is lower than the melting point while keeping the rotation of the crucible containing a seed crystal and the raw material. - 特許庁

フッ素樹脂を、その結晶融点以上の温度まで加熱することなく改質させ、耐放射線性に優れたフッ素樹脂部材を製造する。例文帳に追加

To obtain a fluororesin member having excellent radiation resistance by modifying a fluororesin without heating it to its crystal melting point or above. - 特許庁