II-Pとは 意味・読み方・使い方

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

ｐ型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるｐｎヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層１３を介したｐｎ接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁

(ii) A person is described in this clause if (I) the person is not required to file reports with the Securities and Exchange Commission pursuant to section 13(p)(1)(A) of the Securities Exchange Act of 1934, as added by subsection (b); and (II) conflict minerals are necessary to the functionality or production of a product manufactured by such person.例文帳に追加

(ii) 発行人は、下記の場合に本クローズ(ii)において対象となる。(I) 発行人が、1934年証券取引所法第13条(p)項(1)(A)に従い証券取引委員会に報告書を提出することを求められず、かつ、(II) 紛争鉱物が、当該者の製造する製品の機能または生産に必要である場合。 - 経済産業省

The p-type contact electrode device in the ZnSe based II-VI compound semiconductors is provided.例文帳に追加

ＺｎＳｅ系ＩＩ−ＶＩ化合物半導体におけるｐ型コンタクト電極装置を提供する。 - 特許庁

A main menu 23 is displayed on the liquid crystal screen 6 (b-i), and if the adjustment wheel 5 is rotation-operated around the upper case 2 in the direction of an arrow P (a-ii), a specified menu can be selected from the main menu 23 through a cursor 24 (b-ii).例文帳に追加

液晶画面６でメインメニュー２３が表示され（ｂ−i）、調整ホイール５を上ケース２の周りを矢印Ｐ方向に回動操作すると（ａ−ii）、メインメニュー２３からカーソル２４で所定のメニューを選択できる（ｂ−ii）。 - 特許庁

This new mutant DNA polymerase has, in a nucleotide labeling interaction domain, a mutation at a part of the loop between the (i) O-helix, (ii) K-helix and (iii) O-P helix of Taq DNA polymerase, or at a similar position on another DNA polymerase.例文帳に追加

ヌクレオチド標識相互作用領域は、TaqDNAポリメラーゼの（ｉ）O-ヘリックス、(ii)K-ヘリックス、および(iii)O-Pヘリックス間ループの部分、または他のDNAポリメラーゼにおける類似の位置に変異を有する新規の変異体DNAポリメラーゼ。 - 特許庁

A p-type semiconductor distribution Bragg reflector I and a p-type semiconductor distribution Bragg reflector II which are successively laminated in the lamination direction are different in thicknesses at intermediate layers (linear composition inclination layer).例文帳に追加

積層方向に順次に積層されているｐ型半導体分布ブラッグ反射器Ｉとｐ型半導体分布ブラッグ反射器IIとで、中間層（線形組成傾斜層）の厚さが異なっている。 - 特許庁

A p-phenylenediamine derivative of the general formula II and a 4,4'-biphenylenediamine derivative of the general formula III.例文帳に追加

一般式ＩＩのｐ−フェニレンジアミン誘導体及び一般式ＩＩＩの４，４’−ビフェニレンジアミン誘導体。 - 特許庁

P-TYPE II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, ITS GROWING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ｐ型ＩＩ—ＶＩ族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置 - 特許庁