「II-P」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The provision includes two distinct subsections, Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(i) and Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(ii), regarding the information required in that Conflict Minerals Report.例文帳に追加

この規定にはその紛争鉱物報告書において義務付けられる情報に関して、証取法第13(p)(1)(A)(i)条と同法第13(p)(1)(A)(ii)条という、はっきりと分かれた2つの項目が含まれている。 - 経済産業省

A semiconductor laser section I, an optical modulator section II, and an isolation section III that separates the semiconductor laser section I from the optical modular section II are provided on a p-type InP substrate 2.例文帳に追加

ｐ型InP基板２の上に、半導体レーザ部I、光変調器部II、およびこれらを分離するアイソレーション部IIIが設けられている。 - 特許庁

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

ｐ型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるｐｎヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層１３を介したｐｎ接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁

(ii) A person is described in this clause if (I) the person is not required to file reports with the Securities and Exchange Commission pursuant to section 13(p)(1)(A) of the Securities Exchange Act of 1934, as added by subsection (b); and (II) conflict minerals are necessary to the functionality or production of a product manufactured by such person.例文帳に追加

(ii) 発行人は、下記の場合に本クローズ(ii)において対象となる。(I) 発行人が、1934年証券取引所法第13条(p)項(1)(A)に従い証券取引委員会に報告書を提出することを求められず、かつ、(II) 紛争鉱物が、当該者の製造する製品の機能または生産に必要である場合。 - 経済産業省

The p-type contact electrode device in the ZnSe based II-VI compound semiconductors is provided.例文帳に追加

ＺｎＳｅ系ＩＩ−ＶＩ化合物半導体におけるｐ型コンタクト電極装置を提供する。 - 特許庁

A main menu 23 is displayed on the liquid crystal screen 6 (b-i), and if the adjustment wheel 5 is rotation-operated around the upper case 2 in the direction of an arrow P (a-ii), a specified menu can be selected from the main menu 23 through a cursor 24 (b-ii).例文帳に追加

液晶画面６でメインメニュー２３が表示され（ｂ−i）、調整ホイール５を上ケース２の周りを矢印Ｐ方向に回動操作すると（ａ−ii）、メインメニュー２３からカーソル２４で所定のメニューを選択できる（ｂ−ii）。 - 特許庁

This new mutant DNA polymerase has, in a nucleotide labeling interaction domain, a mutation at a part of the loop between the (i) O-helix, (ii) K-helix and (iii) O-P helix of Taq DNA polymerase, or at a similar position on another DNA polymerase.例文帳に追加

ヌクレオチド標識相互作用領域は、TaqDNAポリメラーゼの（ｉ）O-ヘリックス、(ii)K-ヘリックス、および(iii)O-Pヘリックス間ループの部分、または他のDNAポリメラーゼにおける類似の位置に変異を有する新規の変異体DNAポリメラーゼ。 - 特許庁

A p-type semiconductor distribution Bragg reflector I and a p-type semiconductor distribution Bragg reflector II which are successively laminated in the lamination direction are different in thicknesses at intermediate layers (linear composition inclination layer).例文帳に追加

積層方向に順次に積層されているｐ型半導体分布ブラッグ反射器Ｉとｐ型半導体分布ブラッグ反射器IIとで、中間層（線形組成傾斜層）の厚さが異なっている。 - 特許庁

A p-phenylenediamine derivative of the general formula II and a 4,4'-biphenylenediamine derivative of the general formula III.例文帳に追加

一般式ＩＩのｐ−フェニレンジアミン誘導体及び一般式ＩＩＩの４，４’−ビフェニレンジアミン誘導体。 - 特許庁

P-TYPE II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, ITS GROWING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ｐ型ＩＩ—ＶＩ族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置 - 特許庁

In the formulae, A^1 to A^3 are each a cation; X is a halogen; and p^1-p^3 are each a numeral of 0-3 required to neutralize the electric charges of each of the whole complexes with each of the cations A^1 to A^3.例文帳に追加

一般式（Ｉ） A^1_p^1[Ir^IVX_6] 一般式（III） A^3_p^3[Ir^IIIX_6] 一般式（II） A^2_p^2[Ir^IIIX_5(H_2O)] （式中、A^1、A^2及びA^3はそれぞれカチオンを表す。Xはハロゲン原子を表す。p^1、p^2及びp^3はそれぞれ錯体全体の電荷をカチオンA^1、A^2及びA^3によって中和するために必要な０〜３の数を表す。） - 特許庁

i) the software uses a central server and acts as an intermediary in the exchange of file information between users (this is the "hybrid type P-to-P file sharing") and; ii) the software does not use such central server ("genuine P-to-P file sharing"). 例文帳に追加

ⅰ）中央サーバを有し、ユーザー間のファイル情報の交換を仲介する場合（これを「ハイブリッド型のＰ２Ｐファイル交換」という。）と、ⅱ）そのような中央サーバを有しない場合（これを「純粋型のＰ２Ｐファイル交換」という。）である。 - 経済産業省

The use of the term “contain” indicates that the disclosures required under Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(ii) are limited to issuers with conflict minerals actually contained in their products.例文帳に追加

「含有する」という語が使用されていることは、証取法第13(p)(1)(A)(ii)条に基づいて義務付けられる開示が、製品に実際に紛争鉱物が含有されている発行人に限定されていることを示している。 - 経済産業省

Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(ii) also requires an issuer with conflict minerals originating in the Covered Countries to submit a Conflict Minerals Report that includes a description of the issuer’s products “that are not DRC conflict free.”例文帳に追加

また、証取法第13(p)(1)(A)(ii)条は、対象国を原産国とする紛争鉱物を有する発行人に対し、「DRCコンフリクト・フリーではない」製品の説明を含む紛争鉱物報告書を提出することを求めている。 - 経済産業省

Products are considered “DRC conflict free” under Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(ii) if they “do not contain minerals that directly or indirectly finance or benefit armed groups in the” Covered Countries.例文帳に追加

製品は、対象国「における武装集団の直接間接の資金源となっている、またはこれらに利益をもたらす鉱物を含まない」ならば、証取法第13(p)(1)(A)(ii)条の下で「DRCコンフリクト・フリー」であると考えられる。 - 経済産業省

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

Generally, Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(i) deals with an issuer’s description of its due diligence measures on the source and chain of custody of its conflict minerals, including the independent private sector audit, and Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(ii) requires the issuer’s description of its products that have not been found to be “DRC conflict free.”例文帳に追加

一般論として、証取法第13(p)(1)(A)(i)条は、独立した民間部門による監査を含めて、発行人がその紛争鉱物の起源と加工・流通過程に関するデュー・ディリジェンスの方法について記述を扱うものであり、第13(p)(1)(A)(ii)条は「DRCコンフリクト・フリー」であることが判明しなかった製品について記述することをその発行人に義務付けるものである。 - 経済産業省

(II) Act of Provider of P-to-P File Sharing Software With regard to the use of P-to-P file sharing software, if a majority of the exchanged files infringes copyrights, if the provider of P-to-P file sharing software is deeply involved in the users. act of infringement, such provider may also be regarded as infringing copyrights or related rights. 例文帳に追加

（２）Ｐ２Ｐファイル交換ソフトウェア提供者の行為Ｐ２Ｐファイル交換ソフトウェアの利用に関しては、交換されるファイルの大多数が著作権侵害のファイルである場合、ユーザーの違法行為に対するＰ２Ｐファイル交換ソフトウェア提供者の関与の仕方によっては、著作権又は著作隣接権の侵害に当たる可能性がある。 - 経済産業省

A group II element or a group III element (or a group V or a group VI element material) is introduced into the site of the silicon atom of the iron silicide film for forming a p-type (or an n-type) iron silicide semiconductor film.例文帳に追加

鉄シリサイド膜のシリコン原子のサイトにII族元素又は III族元素（又はＶ族又はＶI族元素原料）を導入してｐ型（又はｎ型）鉄シリサイド半導体膜を形成する。 - 特許庁

In the formula II, A is a 1-20C r-valent hydrocarbon combining group, (r) is an integer of 3-20 and (p) is an integer of 2-3.例文帳に追加

Ａは、炭素数１〜２０のｒ価の炭化水素連結基を示し、ｒは３〜２０の整数を、ｐは２〜３の整数を示す。 - 特許庁

(iii) The high functional polyisocyanate is obtained by reacting the product A and/or the product P with a diisocyanate or a polyisocyanate II.例文帳に追加

（ｉｉｉ）Ａ及び／又はＰをジイソシアネート又はポリイソシアネートＩＩと反応させる事により高官能性ポリイソシアネートが得られる。 - 特許庁

The fourth region has one of either (i) a p-type semiconductor which is formed between the first region and the third region which is highly doped, or (ii) an n-type semiconductor which is formed between the first region and second region which is highly doped.例文帳に追加

前記第4領域は、(i)前記第1領域と前記第3領域との間に形成される高濃度ドーピングされたp型半導体、又は(ii)前記第1領域と前記第2領域との間に形成される高濃度ドーピングされたn型半導体のうちの1つを有する。 - 特許庁

Nonetheless, Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(ii) requires issuers that must file a Conflict Minerals Report to describe their “products manufactured or contracted to be manufactured that are not DRC conflict free” (emphasis added).例文帳に追加

とは言っても、証取法第13(p)(1)(A)(ii)条は紛争鉱物報告書を提出しなければならない発行人に対して、「製造されている、または製造委託契約が結ばれている、DRCコンフリクト・フリーでない製品」（下線は追加）について記述することを義務付けている。 - 経済産業省

The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.例文帳に追加

ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁

As a result, it is possible to interpret the Conflict Minerals Statutory Provision such that the term “contain” in Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(ii) does not mean that a conflict mineral must be included in the product for it to be “necessary to the functionality or production” of the product.例文帳に追加

その結果、証取法第13(p)(1)(A)(ii)条の「含有」という語は、紛争鉱物がその製品の「機能または生産に必要」であるためには、製品に含まれていなければならないことを意味しないというように紛争鉱物法律規定を解釈することが可能である。 - 経済産業省

The compound of formula I is obtained, for example, by reacting a compound of formula II obtained from p-acetylphenol as starting material with a compound of formula IV.例文帳に追加

本発明は式（Ｉ）のシアニン色素を含有するカラー写真材料及び分光増感剤としての式（Ｉ）の化合物の使用にも関する。 - 特許庁

To provide a group II-VI compound semiconductor element which has a p-type clad layer having large electric conductivity, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

電気伝導度の大きなｐ型クラッド層を備えたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte contains an organic solvent (II) containing 0.5-30 vol.% fluorine-containing phosphate (I) represented by O=P(CH_2Rf)_3, and an electrolyte salt (III).例文帳に追加

Ｏ＝Ｐ（ＣＨ_2Ｒｆ）_3で示される含フッ素リン酸エステル（Ｉ）を０．５〜３０体積％含む有機溶媒（ＩＩ）と電解質塩（ＩＩＩ）を含む非水系電解液。 - 特許庁

When the position I is switched to a position II, communication between the port B and the port RB is continued; other ports P, A, RA are closed to stop supply of air to the air cylinder, and the piston is moved by expansion of air while decelerating to relaxedely stop.例文帳に追加

位置Ｉから位置IIへ切り換えると、ポートＢとポートＲＢとの連通が継続され、他のポートＰ・Ａ・ＲＡが閉鎖され、エアシリンダへのエアの供給が停止し、エアの膨張によりピストンは減速しつつ移動し、緩衝停止する。 - 特許庁

A reactive gas with a halogenated group II metal gas containing at least zinc and an oxygen-containing gas mixed with each other is introduced onto a substrate 1, and a group V hydrogenated gas is introduced onto the substrate 1 as a p-type impurity material gas.例文帳に追加

基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。 - 特許庁

The liquid composition comprises a first diacrylate I represented by formula I, (wherein, m and n are integers; k=0-2; and the molecular weight is in the range of 1000-4000 Da) and a second diacrylate II represented by formula II, (wherein, p=2-6).例文帳に追加

１番目のジアクリレートＩ［ここで、ｍおよびｎは整数であり、ｋ＝０−２であり、そして分子量は１０００−４０００Ｄａの範囲内である］および２番目のジアクリレートＩＩ［ここで、ｐ＝２−６］を含んで成る液状組成物。 - 特許庁

The photoacid generator is expressed by either of formulae (I) and (II), wherein each of p, q and r independently indicates a length of a carbon chain linking between two bridgehead position carbons, and p, q, and r are respective integers of 1-3, 0-3 and 1-2.例文帳に追加

下記式（Ｉ）および（ＩＩ）のいずれかで示される光酸発生剤:ｐ、ｑ、ｒは２つの橋頭位炭素間を結ぶ炭素鎖の長さをそれぞれ独立に示し、ｐは１〜３、ｑは０〜３、ｒは１〜２の整数である。 - 特許庁

An active layer 14 has the type II super-lattice structure of an A layer having the upper end of a valence band higher than the p-type clad layer 13 and a B layer consisting of a mixed crystal having an element configuration equal to the p-type clad layer 13.例文帳に追加

活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。 - 特許庁

For example, 4-(N,N-diethylamino)toluene is obtained by reaction between p-chlorotoluene and diethylamine in the presence of trans-diμ-acetatobis{2-[bis(1,1-dimethylethyl) phosphino]-2-methylpropyl-C, P}dipalladium (II) and KotBu.例文帳に追加

具体例として、Ｐ−クロロトルエンとジエチルアミンとを、トランス−ジμ−アセタートビス［２−［ビス（１，１−ジメチルエチル）ホスフィノ］−２−メチルプロピル−Ｃ，Ｐ］ジパラジウム（ＩＩ）とＫＯｔＢｕの存在下で反応させて４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）トルエンを製造する。 - 特許庁

METHOD FOR PREPARING II-TYPE CRYSTAL OF (1R,5R,6S)-P-NITROBENZYL-2-(DIPHENYLPHOSPHORYLOXY)-6-[(R)-1-HYDROXYETHYL]-1-METHYL-CARBAPENEM-3-CARBOXYLATE (MAP)例文帳に追加

（１Ｒ，５Ｒ，６Ｓ）−ｐ−ニトロベンジル−２−（ジフェニルホスホリルオキシ）−６−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−１−メチル−カルバペネム−３−カルボキシラート（ＭＡＰ）のＩＩ型結晶の調製方法 - 特許庁

(ii) A polyaddition product P containing an average of one group having reactivity to the isocyanate and an average of more than two isocyanate groups is formed by an intermolecular addition product.例文帳に追加

（ｉｉ）Ａの分子間付加反応により、イソシアネートに対し反応性のある基を平均１個及びイソシアネート基を平均２個以上含む重付加生成物Ｐを形成する。 - 特許庁

The p-type clad layer 13 and the active layer 14 are composed of group III-V compound semiconductor and the n-type clad layer 15 is composed of group II-VI compound semiconductor.例文帳に追加

そして、ｐ型クラッド層１３と活性層１４とはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなっており、ｎ型クラッド層１５はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなっている。 - 特許庁

The element M is at least one kind of element selected from the group consisting of B, Na, Mg, Al, Si, S, P, K, Ca, Mo, W, Cr, Mn, Co, Ni, and Fe.例文帳に追加

０＜ M/Ti ≦０．５ (I) １≦ Nb/Ti ≦５ (II) 前記元素Ｍは、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから成る群から選択される少なくとも１つである。 - 特許庁

The vinyl ether copolymer includes, as structural units: a vinyl ether monomer (I) in which the ether part of vinyl ether is -(CH2-CH2-O-)p-H (p is an integer of 1 to 2); and a vinyl ether monomer (II) in which the ether part of vinyl ether is composed of an ethyl group.例文帳に追加

ビニルエーテルのエーテル部分が、−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−）ｐ−Ｈ、（ｐは１〜２の整数）、であるビニルエーエーテル単量体（Ｉ）、及びビニルエーテルのエーテル部分がエチル基からなるビニルエーテル単量体（ＩＩ）を構成単位として含むビニルエーテル共重合体。 - 特許庁

To prevent oxidation in air while a BeTe layer wherein P-type doping property is high and lattice mismatching to a GaAs substrate is low is used as a contact layer, regarding a p-type contact electrode device in ZnSe based II-VI compound semiconductors.例文帳に追加

ＺｎＳｅ系ＩＩ−ＶＩ化合物半導体におけるｐ型コンタクト電極装置であって、ｐ型ドープ性が高く、ＧａＡｓ基板に対する格子不整合が低いＢｅＴｅ層をコンタクト層として使用しつつ、大気中での酸化を防止すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a solar cell comprises (i) a step for forming a multilayer film 10 including a compound layer containing Zn, Mg and O and a p-type semiconductor layer 12 functioning as a light absorbing layer, and (ii) a step for heat-treating the multilayer film 10 at a temperature in a range of 150°C-250°C.例文帳に追加

（ｉ）ＺｎとＭｇとＯとを含む化合物相１３と、光吸収層として機能するｐ形半導体層１２とを含む多層膜１０を基板２０上に形成する工程と、（ii）多層膜１０を１５０℃〜２５０℃の範囲内の温度で熱処理する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

Here, αis the angle that the midline C between a lighting optical axis I and a projection optical axis II and the line of intersection of the plane containing the lighting optical axis I and projection optical axis P and the dichroic lane R or B of the dichroic prism DP contains and the angle that the lighting optical axis I and projection optical axis P taken is 2θ.例文帳に追加

但し、αは照明光軸Ｉと投影光軸Ｐの中線Ｃと、照明光軸Ｉと投影光軸Ｐを含む平面とダイクロイックプリズムＤＰのダイクロイック面Ｒ或いはＢとの交線の成す角であり、照明光軸Ｉと投影光軸Ｐの成す角を２θとする。 - 特許庁

The hypoallergenic immunogenic combination of molecules derived from the Phl p 6 allergen comprises: (i) a Phl p 6 molecule having an N-terminal deletion which makes the molecule at least substantially lack IgE binding capacity; and (ii) a Phl p 6 molecule having a C-terminal deletion which makes the molecule at least substantially lack IgE binding capacity, which two molecules together encompass the complete sequence of Phl p 6.例文帳に追加

また、（ｉ）Ｎ末端が欠失することによりＩｇＥ結合能を少なくとも実質的に欠如しているＰｈｌ ｐ ６分子、及び（ｉｉ）Ｃ末端が欠失することによりＩｇＥ結合能を少なくとも実質的に欠如しているＰｈｌ ｐ ６分子を含み、かかる２つの分子が共同してＰｈｌ ｐ ６の完全な配列を含む、Ｐｈｌ ｐ ６アレルゲンから誘導される低刺激性免疫原性分子の組合せに関する。 - 特許庁

There is provided the compound of formula I or formula II or a pharmaceutically acceptable salts thereof {wherein, each R is independently 1-8C alkyl; and each P is independently an electron withdrawing group or hydrogen, wherein when each R is methyl, and P is hydrogen, the compound is complexed with a metal selected from the group consisting of manganese, iron, copper, cobalt, nickel or zinc}.例文帳に追加

本発明は、式Ｉ若しくはＩＩの化合物またはその薬学的に許容される塩［ここで、各Rは独立してＣ_1−Ｃ_8アルキル基であり、および各々のPは独立して電子離脱基または水素であり、ここで、各Ｒはメチルであり、且つＰが水素であるとき、前記化合物は、マンガン、鉄、銅、コバルト、ニッケルまたは亜鉛からなる群より選択された金属との複合体である］である。 - 特許庁