M:I-2の英語

According to the coefficient m_i of each value from 0 to 2, a PHICH removal part 22 removes a PHICH mapped according to the coefficient m_i of any value from 0 to 2 from the data modulated after demapping.例文帳に追加

PHICH取り除き部２２は、０〜２のそれぞれの値の係数m_iに応じて、デマッピングされて復調された復調データから０〜２のいずれかの値の係数m_iに応じてマッピングされているPHICHを取り除く。 - 特許庁

(I) R^1-{L^1-(Ar^1)_l}_s-C≡C-(Ar^2)_m-C≡C-(Ar^3)_n-C≡C-{(Ar^4)_p-L^2}_t-R^2.例文帳に追加

（Ｉ）Ｒ^1 −｛Ｌ^1 −（Ａｒ^1 ）_l ｝_s −Ｃ≡Ｃ−（Ａｒ^2 ）_m −Ｃ≡Ｃ−（Ａｒ^3 ）_n −Ｃ≡Ｃ−｛（Ａｒ^4 ）_p −Ｌ^2 ｝_t −Ｒ^2 - 特許庁

A character segmentation unit 2 divides an input character string into m-pieces of characters C_1, C_2, ..., C_i, ..., C_m, where m is an integer of 2 or larger.例文帳に追加

文字分割部２が、ｍを２以上の整数として、入力された文字列をｍ個の文字Ｃ_１，Ｃ_２，…，Ｃ_ｉ，…，Ｃ_ｍに分割する。 - 特許庁

The composition includes a compound of formula (I): M^1-A-M^2-B-M^3 (I) (wherein, M^1 and M^3 are each independently a monovalent or divalent metal; M^2 is a polyvalent metal or metal oxide; A and B are independently selected from the group consisting of 2 to 6C dibasic acids, tribasic acids and tetrabasic acids).例文帳に追加

組成物は式Ｉの化合物 Ｍ^１−Ａ−Ｍ^２−Ｂ−Ｍ^３ （Ｉ） ［式中、Ｍ^１及びＭ^３は独立して、一価又は二価の金属であり、Ｍ^２は多価金属又は金属酸化物であり、Ａ及びＢは、独立して、Ｃ_２〜Ｃ_６の二塩基酸、三塩基酸及び四塩基酸からなる群から選択される］を含む。 - 特許庁

Then, when (m) is 3 or more, in 2≤i≤m-1, (α_i+β_i) is made constant independently of (i).例文帳に追加

そして、ｍが３以上の場合には、２≦ｉ≦ｍ−１において、ｉによらず（α_i＋β_i）を一定とする等を行う。 - 特許庁

Demodulation means 1-4 performs single demodulation when M_i=1 (1≤i≤K) and perform M_i(1≤i≤K) branch-receiving diversity demodulation for M_i≥2 (1≤i≤K), with respect to signal sequence of combination of respective M_1, M_2, ..., M_K units of signals.例文帳に追加

復調手段１−４は、各Ｍ_１、Ｍ_２、…、Ｍ_Ｋ個の信号の組み合わせの信号系列に対して、Ｍ_ｉ＝１（１≦ｉ≦Ｋ）の場合には、シングル復調を行い、Ｍ_ｉ≧２（１≦ｉ≦Ｋ）の場合には、Ｍ_ｉ（１≦ｉ≦Ｋ）ブランチ受信ダイバーシチ復調を行う。 - 特許庁

An input signal S(i) is sequentially captured by M (M=8) stages of shift registers 2 by a clock signal CLK1, in synchronism with its symbol rate.例文帳に追加

入力信号Ｓ(i) は、そのシンボルレートと同期したクロック信号ＣＬＫ_1 でＭ（Ｍ＝８）段のシフトレジスタ２に順次取り込まれる。 - 特許庁

If the life time of the hot carrier of an MOS transistor are respectively represented by τ, its substrate current by Isub, its drain current by Id, and a fitting parameter by m, the life time of its hot carriers is estimated, based on the life time model with equation τ∝Isub-m.Idm-2.例文帳に追加

τを寿命、I_subを基板電流、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ ∝ I_sub^-m・I_d^m-2 の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ＭＯＳトランジスタのホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁