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クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「MSQ」の意味

MSQ


「MSQ」を含む例文一覧

該当件数 : 16



例文

The porous MSQ film 14 and the non-porous MSQ film 17 consist of the same film material including Si, O, and C.例文帳に追加

多孔質MSQ膜14および非多孔質MSQ膜17を、Si、O、Cを含む共通の膜材料により構成する。 - 特許庁

In a semiconductor device and a manufacturing method therefor, a MSQ film 14 is formed on a semiconductor substrate, and a non-porous MSQ film 17 is further formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に多孔質MSQ膜14を設け、この上に非多孔質MSQ膜17を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming a porous MSQ(2) on a silicon substrate 1, and forming an SiC mask 3 on the porous MSQ(2).例文帳に追加

シリコン基板1上にポーラスMSQ(2)を形成し、その上にSiCマスク3を形成する。 - 特許庁

A porous MSQ(2) is formed on a silicon substrate 1 and an SiC mask 3 is then formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板1上にポーラスMSQ(2)を形成し、その上にSiCマスク3を形成する。 - 特許庁

Moreover, the low refractive index region of the protective film comprises MSQ(Methyl Silsesquioxane), and the high refractive index region has silazane coupling.例文帳に追加

また、保護膜の低屈折率領域がMSQ(Methyl Silsesquioxane)からなり、高屈折率領域がシラザン結合を有している。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes forming of a porous MSQ as a low permittivity film 4 on a silicon substrate 2, and forming of a hard mask 6 on a low permittivity film 4.例文帳に追加

シリコン基板2上に低誘電率膜4としてのポーラスMSQを形成し、低誘電率膜4上にハードマスク6を形成する。 - 特許庁

例文

An interlayer insulating film 13 composed of a SiOC-based film such as MSQ is formed on a semiconductor substrate 12.例文帳に追加

半導体基板12上に、MSQ等のSiOC系膜から構成される層間絶縁膜13を形成する。 - 特許庁

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Weblio例文辞書での「MSQ」に類似した例文

msq

Weblio例文辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「MSQ」を含む例文一覧

該当件数 : 16



例文

The method further includes the steps of forming a wiring groove 5 on the porous MSQ(2) by plasma etching with this SiC mask 3 as a mask.例文帳に追加

このSiCマスク3をマスクとしたプラズマエッチングにより、ポーラスMSQ(2)に配線溝5を形成する。 - 特許庁

This forms the second layer polymethylsilsesquioxane (MSQ) film 11b, including hardly little dangling bond or Si-OH base.例文帳に追加

これにより、ダングリングボンドやSi−OH基が殆ど無い、第2層ポリメチルシルセスキオキサン(MSQ)膜11bを成膜する。 - 特許庁

A SOG (Spin on Glass) 201 composed of one material selected from silica glass, alkyl siloxane polymer, alkyl silsesqui oxysan polymer (MSQ), hydrogenation silsesqui oxysan polymer (HSQ), hydrogenation alkyl siloxane polymer (HOSP) is provided at protrusions of a magnetic layer 103, the SOG 201 is transformed to a SiO_2 102 by performing an ion milling, thereby being functioned as an etching mask of the magnetic layer 103.例文帳に追加

シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー(MSQ)、水素化シルセスキオキサンポリマー(HSQ)、水素化アルキルシロキサンポリマー(HOSP)から選ばれる1つの材料からなるSOG201を磁性層103の凸部に設け、イオンミリングを行うことにより、SOG201がSiO2102に変質し、磁性層103のエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁

A different type identifier data IDs is given to various storage media (SDq, MSq, HDDq or the like) capable of acquiring data from a license center apparatus 40, and a type identifier database 42 stores the data.例文帳に追加

ライセンスセンタ装置40からデータを取得することが可能な各種の記憶媒体(SDq、MSq、HDDq等)は、異なる種別識別子データIDsを与えられ、このデータは、種別識別子データベース42に格納される。 - 特許庁

A SiCN film 108, a BCB film 110 and an MSQ film 112 are laminated on copper wiring formed of a barrier metal film 104 and a copper film 106 in this order.例文帳に追加

バリアメタル膜104および銅膜106からなる銅配線の上に、SiCN膜108、BCB膜110およびMSQ膜112をこの順で積層する。 - 特許庁

Parts where the upper wire 223 and connection wire 222 are positioned are formed of two layers of a CH-based organic polymer layer 203 and a low dielectric-constant layer 204 of porous MSQ, etc.例文帳に追加

上部配線223と接続配線222とが位置する部分を、CH系の有機ポリマ層203と、ポーラスMSQ等の低誘電率層204と、の二層で形成する。 - 特許庁

Thereafter, by removing the organic film and finally forming an MSQ film as a low-k film to fill up the side of the copper interconnection, a semiconductor device is obtained with the copper interconnection and the via plug.例文帳に追加

次に、有機膜を除去して最終的に銅配線の側方を充填するようにLow−k膜としてのMSQ膜を形成することによって、銅配線とビアプラグを備えた半導体装置が得られる。 - 特許庁

例文

In wiring structure where a copper film 6 is buried in a wiring layer insulating film, the wiring layer insulating film is in structure where an MSQ(methyl silsesquioxane) film 2, an MHSQ(methylated hydrogen silsesquioxane) film 3, and a silicon oxide film 4 are laminated.例文帳に追加

配線層絶縁膜中に銅膜6が埋め込まれた配線構造において、配線層絶縁膜を、MSQ(メチルシルセスキオキサン)膜2、MHSQ(メチル化ハイドロジェンシルセスキオキサン)膜3、およびシリコン酸化膜4が積層した構造とする。 - 特許庁

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「MSQ」の意味に関連した用語
1
Carbon profiling 百科事典



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