A multilayer film composed of an SiO_2 deposited film 42 having a thickness of 600 Å and an amorphous Si deposited film 44 having a thickness of 300 Å layered on the SiO_2 deposited film 42 is provided on both sides of the ridge 26 and on a p-AlGaN cladding layer 22 on both sides of the ridge 26.例文帳に追加

本素子では、膜厚６００ÅのＳｉＯ_2蒸着膜４２と、ＳｉＯ_2 蒸着膜４２上に積層された膜厚３００ÅのアモルファスＳｉ蒸着膜４４との積層膜が、リッジ２６の両側面及びリッジ両脇のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２上に設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device having a positive electrode formed on a p-type semiconductor layer via a p-type contact layer, the p-type contact layer is 250 Å or smaller in film thickness, and Mg concentration is 1.5×10^20/cm^3 or higher.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記ｐ型コンタクト層が、膜厚２５０Å以下の膜厚で、Ｍｇ濃度１．５×１０^２０／ｃｍ^３以上に設定されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

The friction material includes a thermoplastic resin having a polymer chain structure, wherein a density (N_chain) of the polymer chains is ≥6 and a persistence length (l_p) of the polymer chains is ≥75 Å.例文帳に追加

ポリマー鎖構造を有する熱可塑性樹脂を有する摩擦材であって、前記ポリマー鎖の密度（Ｎ_ｃｈａｉｎ）が６以上であり、且つ、前記ポリマー鎖の持続長（ｌ_ｐ）が７５Å以上であることを特徴とする、摩擦材。 - 特許庁

Then, by forming the groove part of 1,300 Å depth, the height of the top surface of the upper electrode 18 is made substantially equal to that of the top surface of the LOCOS oxide film 9 on a P-well region 8.例文帳に追加

そこで、溝部１２の深さを１３００Åとすることにより、上部電極１８の上面とＰウエル領域８上のＬＯＣＯＳ酸化膜９の上面とを実質的に同じ高さにすることができる。 - 特許庁

On a p-type silicon substrate, the high-withstand voltage MISFET and low-withstand voltage MISFET respectively having gate oxide films having a thicknesses of 100-200 Å and formed in the same step are formed.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上の同一工程で形成される１００〜２００ナのゲート酸化膜を各々有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴと低低圧ＭＩＳＦＥＴとが形成される。 - 特許庁

Between a transmissive conductive film (SnO2) 2 and a p-type- SiC:H layer 4, an amorphous film (a-Si film) 3 (thickness of about 50 Å) containing Si as a main component whose amount of hydrogen is 5 at.% or lower and which contains many defectives.例文帳に追加

透光性導電膜（ＳｎＯ_2 ）２とｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層４との間に、水素量が５ａｔ％以下であって欠陥を多く含むＳｉを主成分とする非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３（厚さ：５０Å程度）を設ける。 - 特許庁

The 2nd upper guide layer 126 is allowed to grow at 650°C to be a growth temperature suitable for a P group layer to reduce the separation of P from the barrier layer and reduce the roughness of an interface between the barrier layer and the guide layer 126 down to 20 Å and less.例文帳に追加

この第二上ガイド層１２６はＰ系層に適した成長温度である６５０℃のままで成長させて、上記バリア層からのＰの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層１２６との界面の粗さの大きさを２０Å以下にまで下げる。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

In the catalyst comprising hematite (α-Fe_2O_3) particles and used for removing the particle substance in an exhaust gas from diesel engine, the content of P in the hematite particles is 0.005 wt.% or below and the crystal size of the crystal face (104) of the hematite particles at the time of X-ray diffraction measurement using CuKα radiation is set to 150 Å or below.例文帳に追加

ヘマタイト（α−Ｆｅ_２Ｏ_３）粒子からなるディーゼルエンジン排ガス中の粒子状物質除去触媒において、該ヘマタイト粒子のＰ含有量が０．００５重量％以下であって、ＣｕＫαでＸ線回折測定した際の結晶面（１０４）の結晶子サイズが１５０Å以下であることを特徴とするディーゼルエンジン排ガス中の粒子状物質除去触媒。 - 特許庁

The crude polyoxyalkylene polyol is produced by using a compound having P=N bond as the catalyst and carrying out an addition polymerization of an active hydrogen compound with an epoxide compound and then brought into contact with a solid acid having 450-1,200 m2/g specific surface area and 40-1,000 Å mean pore diameter to control the remaining content of the catalyst in the polyoxyalkylene polyol to ≤150 ppm.例文帳に追加

Ｐ＝Ｎ結合を有する化合物を触媒として、活性水素化合物にエポキサイド化合物を付加重合して粗製ポリオキシアルキレンポリオールを製造し、次いで、粗製ポリオキシアルキレンポリオールと、比表面積が４５０〜１２００ｍ^2／ｇ、平均細孔直径が４０〜１００Åである固体酸とを接触させ、ポリオキシアルキレンポリオール中の触媒残存量を１５０ｐｐｍ以下に制御することを特徴とするポリオキシアルキレンポリオールの製造方法、及び、該ポリオール誘導体の製造方法。 - 特許庁