P-SiONとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for fabricating a gate electrode in which a step for removing a P-SiON film can be simplified or eliminated.例文帳に追加

Ｐ−ＳｉＯＮ膜除去工程を簡略化または不要とできるゲート電極の製造方法をを提供する。 - 特許庁

An adhesive layer 4, constituted of, for example, a P-SiO film, a P-SiON film or PE-SiO film, is formed between the fluorinated silicate glass film 3 and the silicon nitride film 5.例文帳に追加

そして、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜３とシリコン窒化膜５との間に、例えばＰ−ＳｉＯ膜、Ｐ−ＳｉＯＮ膜、またはＰＥ−ＳｉＯ膜からなる接着層４が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which a p-SiON film can be removed without damaging or reducing an underlying film.例文帳に追加

下地に損傷あるいは膜減りを与えることなく、ｐ−ＳｉＯＮ膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrode substrate 2 comprises a recess forming film 12 where an SiN film 13, an SiO2 film 14, an SiON film 15 and a phosphorus doped P-Si film 16 are deposited sequentially on a basic material 11 from the low etching rate side and a recess 17 having an inclining face 17a is made therein.例文帳に追加

電極基板２は、基材１１上にエッチレイトの低い側からＳｉＮ膜１３、ＳｉＯ_2膜１４、ＳｉＯＮ膜１５及びリンドープＰ−Ｓｉ膜１６を順次積層した凹部形成膜１２を設けて、傾斜面１７ａを有する凹部１７を形成した。 - 特許庁