PN-3とは 意味・読み方・使い方

Thus, a pn junction between the n well 1 and the p^+ diffusion region 2 and that between the n well 1 and the p^+ diffusion region 3 operate as the pn varactor whose capacitance changes by the control voltage VT.例文帳に追加

これにより，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域２との間のｐｎ接合と，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域３との間のｐｎ接合とがともに，制御電圧ＶＴによりキャパシティが変化するｐｎバラクタとして動作する。 - 特許庁

A selection circuit 12 of its own station side outputs data from its own station terminal 3, when a control signal is set and outputs a PN pattern generated by a PN pattern generating circuit 11, when the control signal is reset.例文帳に追加

自局側の選択回路１２は制御信号がオンの時に自局端末装置３からのデータを出力し、制御信号がオフの時にＰＮパターン生成回路１１が生成するＰＮパターンを出力する。 - 特許庁

Similarly, an ocean current speed vector <VTn-1> at a position <Pn-1> is read out of the data base part 3, and a position <Pn> at an optional elapsed time tn is found one by one by a general formula <Pn>=<Pn-1>+<VTn-1>×(tn-tn-1).例文帳に追加

以下同様に、位置＜Ｐn-1＞における海流速度ベクトル＜ＶＴn-1＞をデータベース部３から読み出し、一般式＜Ｐn＞＝＜Ｐn-1＞＋＜ＶＴn-1＞×（ｔn−ｔn-1）により任意の経過時刻ｔnにおける位置＜Ｐn＞を順次求める。 - 特許庁

A plurality of photodiodes 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1 by using pn junction, and a microlens 7 is arranged on each photodiode 3 for condensing incident light to a depletion layer region 4 formed at the pn junction of the photodiode 3.例文帳に追加

ＰＮ接合を用いてＰ型半導体基板１上に複数のフォトダイオード３を形成し、入射光をフォトダイオード３のＰＮ接合部に形成されている空乏層領域４に集光するマイクロレンズ７をフォトダイオード３の上にそれぞれ配置する。 - 特許庁

The manufacturing method of the pn homojunction comprises a step for forming a dielectric element 3 for burying the nanostructure across a height (h).例文帳に追加

ｐｎ接合を製造する方法はこのナノ構造体を高さｈに渡って埋め込む誘電素子３を形成するステップを含む。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

A pseudo-random pattern generating circuit 3 receives data by using a latch signal and generates a reference PN pattern by using the data for an initial value.例文帳に追加

疑似ランダムパターン発生回路３は、ラッチ信号により受信データを取り込み、その値を初期値として基準のＰＮパターンを発生する。 - 特許庁

A part of the cathode layer 1 located at the pn-junction between the cathode layer 1 and the anode layer 2 serves as a light receiving region 3.例文帳に追加

カソード層１とアノード層２とのｐｎ接合間に位置するカソード層１の部分が受光領域３である。 - 特許庁