RTNとは 意味・読み方・使い方

An error-correcting resistance element Rldn and setting resistance element RTn are connected in series each other, m+1 piece (m is a positive integer) of unit resistances SBn, in which fuses RLn are connected in parallel to the setting resistance element RTn and the error-correcting resistance element Rldn, are connected in series between a resistance element Rbottom and a resistance element Rtop.例文帳に追加

誤差補正抵抗素子Ｒｌｄｎと設定抵抗素子ＲＴｎが直列に接続され、設定抵抗素子ＲＴｎ及び誤差補正抵抗素子ＲｌｄｎにヒューズＲＬｎが並列に接続されてなるｍ＋１個（ｍは正の整数）の単位抵抗ＳＢｎが抵抗素子Ｒbottomと抵抗素子Ｒtopの間に直列に接続されている。 - 特許庁

Nitriding can be selectively carried out by rapid thermal nitridation (RTN), furnace nitriding, remote plasma nitriding (RPN), decoupled plasma nitriding (DPN), and wale implantation or polysilicon implantation, or by various techniques, including combinations of these methods.例文帳に追加

窒化は、急速熱窒化（ＲＴＮ）、炉窒化、リモート・プラズマ窒化（ＲＰＮ）、デカップルド・プラズマ窒化（ＤＰＮ）、ウェル注入またはポリシリコン注入、あるいはこれらの組合せを含むさまざまな技法によって選択的に実施することができる。 - 特許庁

A gate insulating film 5 is formed in an active region composed of a silicon substrate 1 including an n-type MIS transistor formation region RTn and a p-type MIS transistor formation region RTp.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタ形成領域ＲＴｎ及びｐ型ＭＩＳトランジスタ形成領域ＲＴｐのシリコン基板１からなる活性領域上にゲート絶縁膜５を形成する。 - 特許庁

In an N well 2 of the semiconductor circuit device, active regions Rtp for PMIS are formed as surrounded by the trench isolation Ris, while in a P well 3, active regions Rtn for NMIS are formed, also being surrounded by the trench isolation Ris.例文帳に追加

半導体回路装置のＮウェル２には、ＰＭＩＳ用活性領域Ｒｔｐが、Ｐウェル３には、ＮＭＩＳ用活性領域Ｒｔｎがそれぞれトレンチ分離Ｒｉｓで囲まれて設けられている。 - 特許庁

In the (n + 1) time (or hereinafter) machining, the wire moves in accordance with the machining path RTn +1, but substitutes a linear part in the front and rear of the corner for a circular arc path and changes the machining path into a path changing from a straight line into a circular arc and a straight line.例文帳に追加

ｎ＋１回目（またはそれ以降）の加工では、加工経路ＲＴn+1に従ってワイヤは移動するが、コーナ前後にかけての直線部分を、円弧経路で置換し、直線→円弧→直線と推移する経路に変更する。 - 特許庁

In the n-th (the standard number) machining, a wire moves in accordance with a machining path RTn and passes through the reentrant corner part at a wire position WMn to form an end face Hn of a workpiece.例文帳に追加

ｎ回目（基準回数）の加工では加工経路ＲＴnに従ってワイヤは移動し、ワイヤ位置ＷＭnで凹角コーナ部を通過し、被加工物端面Ｈnを形成する。 - 特許庁

In the evaluation method of a semiconductor device comprising an MISFET having a gate insulating film, RTN of a plurality of MISFETs is measured, at least two parameters out of the position of a trap in the gate insulating film, energy of a trap, time constant of the RTN, and the RTM amplitude are extracted and then correlation of two parameters is determined.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の評価方法は、ゲート絶縁膜を有するＭＩＳ型ＦＥＴを備える半導体装置の評価方法であって、複数のＭＩＳ型ＦＥＴのＲＴＮを測定し、ＲＴＮの測定結果に基づいて、ゲート絶縁膜中のトラップの位置、トラップのエネルギー、ＲＴＮの時定数、及びＲＴＮ振幅のうち少なくとも２つパラメータを抽出し、当該２つのパラメータの相関関係を求めるものである。 - 特許庁

To provide an RTN-based alloy powder having water resistance and oxidation resistance for a permanent magnet, the alloy powder which has increased water resistance and oxidation resistance and is thereby prevented from being contaminated by moisture and oxygen as much as possible.例文帳に追加

Ｒ・Ｔ・Ｎ系永久磁石用合金粉末の耐水性又は耐酸化性を改良し、水分或いは酸素による汚染を極力抑える事ができる耐水性、耐酸化性を有するＲ・Ｔ・Ｎ系の合金粉末を提供する。 - 特許庁