Trb.とは 意味・読み方・使い方

And a constant current circuit of current mirror by a transistor Trb and a transistor Trc is connected to an LED block Da.例文帳に追加

また、トランジスタＴｒｂとトランジスタＴｒｃによるカレントミラ−の定電流回路をＬＥＤブロックＤａに接続する。 - 特許庁

The first, second, third and fourth MOS transistors TrA, TrB, TrC and TrD are composed of the MOS transistors of low breakdown voltage.例文帳に追加

これらの第１、第２，第３及び第４のＭＯＳトランジスタＴｒＡ，ＴｒＢ，ＴｒＣ，ＴｒＤは、低耐圧のＭＯＳトランジスタで構成されている。 - 特許庁

Moreover, the source electrode Tras of the thin film transistor TrA and the source electrode Trbs of the thin film transistor TrB are connected through a connection wiring LNs, a drain electrode Trad of the thin film transistor TrA and a drain electrode Trbd of the thin film transistor TrB are connected through a connection wiring LNd.例文帳に追加

また、薄膜トランジスタＴｒＡのソース電極Ｔｒasと薄膜トランジスタＴｒＢのソース電極Ｔｒbsが接続配線ＬＮｓを介して接続され、薄膜トランジスタＴｒＡのドレイン電極Ｔｒadと薄膜トランジスタＴｒＢのドレイン電極Ｔｒbdは、接続配線ＬＮｄを介して接続されている。 - 特許庁

When a basic reaction force command value Trb is computed through the multiplication of a steering actuator command value Ts by a predetermined proportional constant K1 (Step S1), if a steering wheel 1 is operated at a rotational speed allowing an operation of the steering actuator with sufficient responsiveness, the basic reaction force command value Trb is set intact as a reaction force actuator command value Tr (Step S3).例文帳に追加

操舵アクチュエータ指令値Ｔsに予め定める比例定数Ｋ１を乗じることにより基本反力指令値Ｔrbが演算され（ステップＳ１）、操舵アクチュエータが十分な応答性で動作できるような回転速度でステアリングホイール１が操作された場合には、その基本反力指令値Ｔrbがそのまま反力アクチュエータ指令値Ｔrに設定される（ステップＳ３）。 - 特許庁

The torque computer 52 computes a basic torque command TRb, based on the power Pm that a motor generator MG can output and the number of revolutions MRN of a motor.例文帳に追加

トルク算出部５２は、モータジェネレータＭＧの出力可能なパワーＰｍとモータ回転数ＭＲＮとに基づいて基本トルク指令値ＴＲｂを算出する。 - 特許庁

The primary delay filter 54 outputs a torque command TR, by eliminating the frequency components generated in the basic torque command TRb by the fluctuations of the motor revolution MRN.例文帳に追加

１次遅れフィルタ５４は、モータ回転数ＭＲＮの変動によって基本トルク指令値ＴＲｂに生じる周波数成分を除去して、トルク指令値ＴＲを出力する。 - 特許庁

The transistor TFT is provided with thin film transistors TrA, TrB which doubly use a single gate electrode Trg in each of transistor formation regions Rta, Rtb adjacently established on a substrate 11.例文帳に追加

トランジスタＴＦＴは、基板１１上に隣接して設定されたトランジスタ形成領域Ｒta、Ｒtbの各々に、単一のゲート電極Ｔｒｇを兼用した薄膜トランジスタＴｒＡ、ＴｒＢが設けられている。 - 特許庁

This can be realized by forming a CVD oxidized film 11 covering the transistor TrB and then forming the high-concentration impurity diffusion layer 106 in the transistor TrA prior to formation of the silicide layer 108.例文帳に追加

これは、トランジスタＴｒＢを覆うＣＶＤ酸化膜１１の形成後で、かつ、シリサイド層１０８を形成する前にトランジスタＴｒＡに高濃度不純物拡散層１０６を形成することで実現できる。 - 特許庁