V on aとは 意味・読み方・使い方

A negative DC voltage applied on the target 7 is made between ≥250 V and ≤450 V.例文帳に追加

ターゲット７に印下する負の直流電圧は250V以上、450V以下とする。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 106 is formed on the surface part 105.例文帳に追加

表面部１０５上にIII-V族の化合物半導体層１０６を成膜する。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

The current control operation unit 10 outputs voltage command values V_dc^* and V_qc^* to a coordinate conversion unit 11, based on current detected values I_dc, I_qc.例文帳に追加

電流制御演算部１０は、電流検出値I_dc，I_qcに基づいて電圧指令値V_dc^*，V_qc^*を座標変換部１１へ出力する。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

Then, when determined to be out thereof, a noise is regarded to be superimposed on the value V(i) related to the intensity of light, and the value V(i) related to the intensity of the light is replaced with a value V'(i) which is closer to a reference value T(i).例文帳に追加

続いて、外れると判定した場合は、光の強弱に関する値V(i)にノイズが重畳しているとみなして、光の強弱に関する値V(i)を基準値T(i)により近い値V'(i)に置換する。 - 特許庁

A signal restoration processing unit 4a restores a signal, from the signal potential on the transmission line 7, by determining "L" at 0.2 V or lower, determining "L" at 0.4 V to 0.6 V, determining "H" at 0.9 V to 1.1 V and determining "H" at 1.3 V or higher.例文帳に追加

信号復元処理部４ａは伝送路７上の信号電位から０．２Ｖ以下で“Ｌ”、０．４Ｖ〜０．６Ｖで“Ｌ”、０．９Ｖ〜１．１Ｖで“Ｈ”、１．３Ｖ以上で“Ｈ”と判定し信号を復元する。 - 特許庁

In the optical pulse generating device, a visible laser light V made incident on a BK-7 prism 1 is incident on a gold layer 2, at an incidence angle θ.例文帳に追加

BK-7プリズム１に入射された可視レーザ光Vは金層２に入射角θで入射する。 - 特許庁