back gate structureとは 意味・読み方・使い方

To provide a fabrication process of a semiconductor device in which an SOI structure having a back gate electrode, and an ordinary SOI structure are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

バックゲート電極を有するＳＯＩ構造と、通常のＳＯＩ構造とを同一の半導体基板に形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an epitaxial wafer for field effect transistors with a semi-insulating GaAs substrate structure in which the back-gate effect of a GaAs FET is suppressed.例文帳に追加

ＧａＡｓＦＥＴのバックゲート効果を抑制した半絶縁性ＧａＡｓ基板構造の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを得る。 - 特許庁

The gate regions 13 protrude in front/back directions of the ridge-type multilayer film laminated structure 20, are coupled and electrically connected to each other.例文帳に追加

ゲート領域１３は、リッジ型多層膜積層構造２０の前後方向に突出し、互いに結合されて、電気的に接続されている。 - 特許庁

The magnet structure includes a back yoke 1, which is formed in an annular shape and on the circumferential surface of which a gate hole 11 penetrating the yoke is formed, and the bond magnet 2 of the predetermined thickness molded by injection on the inside circumferential surface of the back yoke 1 via the gate hole 11.例文帳に追加

リング状に成形されてその周面にゲート孔１１を貫通形成したバックヨーク１と、バックヨーク１の内周面上にゲート孔１１を経て射出成形された所定厚のボンド磁石２とを備える。 - 特許庁

To sufficiently narrow the interval of a cell pitch while securing an insulation breakdown voltage between a gate and a source in a semiconductor device of an interlayer insulating film etch-back structure.例文帳に追加

層間絶縁膜エッチバック構造の半導体装置において、ゲート−ソース間の絶縁耐圧を確保しつつ、セルピッチの間隔を十分に狭めること。 - 特許庁

Furthermore, the parasitic capacity of the structure is further reduced, by enabling substantial oxidization to occur at a back gate, which is made possible by coating a silicon contained channel 18.例文帳に追加

また、本発明では、シリコン含有チャネル層１８を被覆しバック・ゲートが大いに酸化されうるようにして、構造体の寄生容量をさらに低減している。 - 特許庁

To provide a plan by which the number of manufacturing processes of an MTCMOS structure constituted of a completely depleted transistor having a back gate electrode can be reduced sufficiently.例文帳に追加

バックゲート電極を有する完全空乏化トランジスタで構成されるMTCMOS構造の製造工程の増加に対し、十分な工程数削減策を提供する。 - 特許庁

The back gate electrode 21 and the gate electrode 22 are formed by conductive films 18 of a three-layer structure where an n-type silicon layer 15, a metal silicide layer 16 and a p-type silicon layer 17 are laminated in order from lower layer side.例文帳に追加

バックゲート電極２１及びゲート電極２２は、下層側から順に、ｎ型シリコン層１５、金属シリサイド層１６、ｐ型シリコン層１７が積層された３層構造の導電膜１８により形成する。 - 特許庁