back gate structureとは 意味・読み方・使い方

In this case, the side wall 11 is formed to become lower than the gate structure 5 by conducting excessive etching back.例文帳に追加

このとき、エッチバックを多めに行うことにより、ゲート構造５よりも低くなるようにサイドウォール１１を形成する。 - 特許庁

To obtain an epitaxial wafer for field effect transistors with a semi-insulating GaAs substrate structure in which the back-gate effect of a GaAs FET is suppressed.例文帳に追加

ＧａＡｓＦＥＴのバックゲート効果を抑制した半絶縁性ＧａＡｓ基板構造の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを得る。 - 特許庁

The back gate electrode 21 and the gate electrode 22 are formed by conductive films 18 of a three-layer structure where an n-type silicon layer 15, a metal silicide layer 16 and a p-type silicon layer 17 are laminated in order from lower layer side.例文帳に追加

バックゲート電極２１及びゲート電極２２は、下層側から順に、ｎ型シリコン層１５、金属シリサイド層１６、ｐ型シリコン層１７が積層された３層構造の導電膜１８により形成する。 - 特許庁

To provide a floating gate memory structure suitable to the latest device where a buried floating gate led from a back plane is used.例文帳に追加

バックプレーンから引き出した埋込みフローティング・ゲートを用いる最新のデバイスに適合したフローティング・ゲート・メモリ構造を提供すること。 - 特許庁

When heating the back of the wafer 26 to activate an impurity, the laser irradiation 44 at a lowered heating temperature is carried out for an unit of FET structure 40 whose gate threshold voltage is low, and the laser irradiation 54 at an elevated temperature is carried out for an unit of FET structure 50 whose gate threshold voltage is high.例文帳に追加

ウェーハ２６の裏面を加熱して不純物活性化を行う際に、ゲート閾値電圧が低い単位ＦＥＴ構造４０では加熱温度を下げたレーザ照射４４を実行し、ゲート閾値電圧が高い単位ＦＥＴ構造５０では加熱温度を上げたレーザ照射５４を実行する。 - 特許庁

With the structure explained above, the MOS transistor having a threshold voltage and a yielding voltage which are higher than the rated power supply voltage can be formed without provision of an exclusive impurity diffusing layer, by adequately setting the impurity concentration of the impurity diffusing layer forming the back gate and by providing an adequate interval between the impurity diffusing layer forming the back gate and the wiring layer forming the gate.例文帳に追加

この構成により、専用の不純物拡散層を設けることなく、バックゲートを構成する不純物拡散層の不純物濃度、及び、バックゲートを構成する不純物拡散層とゲートを構成する配線層との間隔を適当に設定することより、定格電源電圧より高いしきい値電圧及び降伏電圧をもつMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device in which an SOI structure having a back gate electrode, and an ordinary SOI structure are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

バックゲート電極を有するＳＯＩ構造と、通常のＳＯＩ構造とを同一の半導体基板に形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The TFT element has a top gate structure in which a gate electrode layer 17 is arranged on a channel region, a TFT channel is protected by the gate electrode, and the TFT element is never turned ON by a back gate effect even if a potential varies corresponding to the output of the sensor discrete electrode so that the TFT element can be set stable in characteristics.例文帳に追加

ＴＦＴ素子のゲート電極層１７をチャネル領域の上に配置するトップゲート構造として、ＴＦＴチャネル部をゲート電極で保護し、センサ個別電極の出力に応じた電位変動があっても、ＴＦＴ素子がバックゲート効果によりＯＮすることなく、安定したＴＦＴ特性を得る。 - 特許庁