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マイクロソフト用語集での「bla」の意味

BLA

対訳 BLA

解説

A telephony feature that makes two or more phones behave as if they are linked; that is, that a call to one number causes all phones to ring.



「bla」を含む例文一覧

該当件数 : 13



例文

Common mode noise caused on the bit line couples BLA, BLB is also removed.例文帳に追加

また、ビット線対BLA,BLBに発生した同相ノイズを除去できる。 - 特許庁

The bit line BL includes a silicon material region BLa in contact with the diffusion layer 11, and a low-resistance region BLb made of a material having a lower electric resistance than that of the silicon material region BLa.例文帳に追加

ビット線BLは、拡散層11と接するシリコン材料領域BLaと、シリコン材料領域BLbよりも電気抵抗の低い材料からなる低抵抗領域BLbとを含む。 - 特許庁

The potential on a high level side of the bit line pairs BLA, /BLA coincides nearly with a power source potential VDD and therefore only the potential on a low level side is pulled up.例文帳に追加

ビット線対BLA,/BLAのうち、ハイレベル側の電位は電源電位VDDとほぼ一致するので、ローレベル側の電位のみがプルアップされる。 - 特許庁

In writing data from bit line pairs BLA, /BLA for an A port to memory cells 110-1 to 110-n, nMOS trsnsistors 161 and 162 turn on.例文帳に追加

Aポート用ビット線対BLA,/BLAからメモリセル110−1〜110−nにデータを書き込むとき、nMOSトランジスタ161,162がオンする。 - 特許庁

例文

Two pairs of bit lines (BLa and BLa) and (BLb and BLb) for an A port and a B port are disposed on P wells 2a and 2b respectively with an N well 1 interposed between the P wells 2a and 2b, with the bit lines in each pair separated from each other.例文帳に追加

Aポート用、Bポート用2対のビット線対である(BLa、/BLa)と(BLb、/BLb)とは、それぞれNウェル1を挟んだ左右のPウェル2aおよび2b上にそれぞれビット線対毎に分離されて配置されている。 - 特許庁

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遺伝子名称シソーラスでの「bla」の意味

Bla

fly遺伝子名Bla
同義語(エイリアス)Bla: Blade; narrow; Blade; lance; nw
SWISS-PROTのID---
EntrezGeneのIDEntrezGene:43942
その他のDBのIDFlyBase:FBgn0002974
fly遺伝子名bla
同義語(エイリアス)bladderwing
SWISS-PROTのID---
EntrezGeneのIDEntrezGene:247875
その他のDBのIDFlyBase:FBgn0000194

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT
スイスバイオインフォマティクス研究所欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発運営されているタンパク質アミノ酸配列データベース
EntrezGene
NCBIによって運営されている遺伝子データベース染色体上の位置配列発現構造機能、ホモロジーデータなどが含まれている
FlyBase
米英大学のショウジョウバエ研究者などにより運営されるショウジョウバエ生態遺伝子情報に関するデータベース

「bla」を含む例文一覧

該当件数 : 13



例文

One side electrodes of the resistor memory elements 1 of the adjacent two memory cells MC are connected to the bit lines BLA, BLB respectively.例文帳に追加

隣接する2つのメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の一方電極をそれぞれビット線BLA,BLBに接続する。 - 特許庁

In such a case, correct information can be read out because offset voltage generated between bit lines BLa and BLb becomes 0.例文帳に追加

このとき、ビット線BLaとBLb間に生じるオフセット電圧が0となるので、正しい情報を読出すことができる。 - 特許庁

A first write driver 19a, when activated, applies a voltage corresponding to a first write data to a first bit line BLA.例文帳に追加

第1のライトドライバ19aは、活性化されたときに第1のビット線BLAに第1のライトデータに応じた電圧を印加する。 - 特許庁

Accordingly, the potential difference when either of the adjacent bit lines (BLA, and BLB or/BLA, /BLB) is a high level and the other turns to a low level is made smaller by the pull up and the generation time of the coupling noise is thereby made shorter.例文帳に追加

したがって、隣接するビット線(BLA,BLBまたは/BLA,/BLB)の一方がハイレベルで他方がローレベルになったときの電位差がこのプルアップによって小さくなり、これによりカップリングノイズの発生時間が短くなる。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor memory, memory cells MC including resistor memory elements 1 and transistors 2, 3 are arranged on each intersecting part of a plurality of word line couples WLA, WLB and a plurality of bit line couples BLA, BLB.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置では、複数のワード線対WLA,WLBと複数のビット線対BLA,BLBとの各交差部に、抵抗体記憶素子1とトランジスタ2,3を含むメモリセルMCを配置する。 - 特許庁

Word lines (WLA, WLB) and bit lines (BLA, BLB) are arranged with arrangement directions replaced so that data array is orthogonally transformed to the access transistors (ATA, ATB).例文帳に追加

アクセストランジスタ(ATA,ATB)に対しては、データ配列を直交変換するように、ワード線(WLA、WLB)とビット線(BLA、BLB)とを配置方向を交換して配置する。 - 特許庁

During data reading, the source line potential of the selected row is changed, a differential potential is generated in the pair of a selected bit line (BLa) with which the selected memory cell is connected and a reference bit line (BLb) with which the dummy cell is connected, and the differential potential is detected to read data.例文帳に追加

データ読出時、選択列のソース線電位を変化させ、選択メモリセルが接続する選択ビット線(BLa)およびダミーセルが接続するリファレンスビット線(BLb)の対に差動電位が生じ、この差動電位を検出してデータ読出を行なう。 - 特許庁

例文

The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.例文帳に追加

半導体メモリは、(A)選択用トランジスタTR_Aと、(B)第1の電極21とキャパシタ層22と第2の電極23とから成るメモリセルMC_AMから構成され、第1の電極21は選択用トランジスタTR_Aを介してビット線BL_Aに接続され、メモリセルMC_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層25が形成されている。 - 特許庁

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