critical defectとは 意味・読み方・使い方

To provide a defect inspection apparatus and its method capable of high-sensitively detecting a critical defect existing in the vicinity of a direct peripheral circuit part in a chip formed on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a defect distinguishing apparatus for automatically distinguishing the type of defects on a sheet and quickly taking an emergency measure if the defect on the sheet is critical.例文帳に追加

シート上欠点の欠点種類を自動的に判別することができ、シート上の欠点が重大なものである場合に緊急措置を迅速に行うことができる欠点判別装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a single crystal silicon ingot having homogeneous vacancy defect density and distribution in a radial direction by removing minute vacancy defects not larger than a critical size that adversely affects the voltage-resistance characteristics of an oxide film.例文帳に追加

酸化膜耐圧特性に悪影響を及ぼす臨界サイズ以下の微細なベイカンシ欠陥を除去し、半径方向に均一なベイカンシ欠陥密度及び分布を有するシリコン単結晶インゴットを製造すること。 - 特許庁

A threshold B1 for assuring sufficient output density with respect to the input of 100% density is provided in density that is higher than a threshold A1 for preventing a critical defect such as beads-carry-over.例文帳に追加

ビーズ・キャリー・オーバー等の重大な欠陥を防止するために設けたしきい値Ａ１よりも高濃度側に、濃度１００％の入力に対して十分な出力濃度を確保するためのしきい値Ｂ１を設ける。 - 特許庁

The effective critical area value therefor, defect density in the production line of the target product, and a specified yield model are used to calculate yield of the target product.例文帳に追加

前記対象製品の回路要素別の実効クリティカルエリア値と、前記対象製品の製造ラインにおける欠陥密度と、所定の歩留まりモデルとを用いて、前記対象製品の歩留まりを算出する。 - 特許庁

More particularly, in the case that the presence of scanning wiring 130A within the effective range of the critical defect 181 is discriminated, the reading out of at least the connection procedures as the correction procedure A1 is preferable.例文帳に追加

特に、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別された場合には、修正手順Ａ１として少なくとも結線手順を読み出すことが好ましい。 - 特許庁

The results of an electricity inspection of a first inspection step and an optical inspection of a second inspection step are collated in a collation step and the critical defect 181 of electric shorting or disconnection is specified.例文帳に追加

第１検査工程の電気検査と第２検査工程の光学検査との結果を照合工程において照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥１８１を特定する。 - 特許庁

A critical area of one via is calculated on the basis of sizes of a plurality of vias, sizes of defects causing random defect failures of the plural vias and a distance from the one via to another adjacent via.例文帳に追加

複数のビアのサイズ、複数のビアのランダム欠陥不良の原因となる欠陥のサイズ、及び複数のビアのうちの一のビアと該一のビアに隣接する他のビアとの間の距離に基づいて、一のビアのクリティカルエリアを算出する。 - 特許庁