density temperature coefficientとは 意味・読み方・使い方

According to this invention, there can be realized such properties that an absolute value of the temperature coefficient of the dielectric constant is less than 600 ppm/°C, the dielectric constant at 25°C is ≥200, and a leakage current density at 25°C is ≤1×10^-6A/cm^2.例文帳に追加

この発明により、比誘電率温度係数の絶対値が６００ｐｐｍ／℃以内、２５℃における比誘電率が２００以上、２５℃におけるリーク電流密度が１×１０^−６Ａ／ｃｍ^２以下という特性が実現される。 - 特許庁

Further, the glass ceramic material has an elastic modulus in addition to a thermal resistance, a low density, and a low coefficient of expansion, and the temperature dependency of the elastic modulus is lower than that of the CFC material and therefore the warpage is less during the period of heating.例文帳に追加

また、ガラス−セラミック材は、耐熱性があり、低密度、低熱膨張を兼備した高い弾性係数を有し、弾性係数の温度依存性は、ＣＦＣ材料より低いので、加熱中の反りが少ない。 - 特許庁

An environmental correction amount calculator 106 calculates an air density correction coefficient γ using the temperature AT of intake air based on an electric signal from an intake air temperature sensor 13 and an atmospheric pressure BP based on an electric signal from an atmospheric pressure sensor 16.例文帳に追加

環境補正量算出部１０６は、吸入空気温センサ１３からの電気信号に基づく吸入空気温ＡＴと、大気圧センサ１６からの電気信号に基づく大気圧ＢＰとを用いて、空気密度補正係数γを算出する。 - 特許庁

The obtain composite material has relative density of 70% or more, thermal conductivity of 220 W/m.K or more at room temperature and mean coefficient of thermal expansion from room temperature to 200°C is 5-15×10-6/°C, and is suitable for heat sink for semiconductor.例文帳に追加

得られた複合材料は、相対密度が７０％以上、室温での熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、及び室温から２００℃までの平均熱膨張係数が５〜１５×１０^−６／℃であり、半導体用シートシンクとして好適である。 - 特許庁

To provide a heat dissipation substrate being used in a substrate for mounting a semiconductor in which high density can be attained at a relatively low sintering temperature while ensuring required thermal expansion coefficient and thermal conductivity using a relatively simple production process.例文帳に追加

半導体搭載用基板に使用される放熱基板に関するもので、比較的低い燒結温度で高密度を得ることができ、しかも必要な熱膨張係数と熱伝導度を備え、製法が比較的簡単な放熱基板材料を提供すること。 - 特許庁

The electrostatic chuck has a dielectric part composed of a material which is substantially a single-phase material and has the absolute value of the thermal expansion coefficient at room temperature of 6×10^-7/K or lower, bulk density of 95% or higher, and volume resistivity of 1×10^12 Ωcm or higher and lower than 1×10^14 Ωcm.例文帳に追加

室温での熱膨張係数の絶対値が６×１０^-7／Ｋ以下、嵩密度９５％以上、体積抵抗率が１×１０^12Ωｃｍ以上１×１０^14Ωｃｍ未満であり、実質的に単相からなる材料を誘電体部とすることを特徴とする静電チャックである。 - 特許庁

The crucible for pulling the single crystal has the double-layer structure where the inside layer is the graphite material having a bulk specific density of 2.1 or more, a porosity of 20-25% and a thermal expansion coefficient of 1.0×10^-6 /°C (at room temperature to 400°C) or less and the outside layer is the C/C material.例文帳に追加

嵩比重が２．１以上、気孔率が２０〜２５％、熱膨張係数が１．０×１０^-6／℃（室温〜４００℃）以下の特性を有する黒鉛材を内層とし、Ｃ／Ｃ材を外層とする２層構造からなることを特徴とする単結晶引き上げ用ルツボ。 - 特許庁

To provide a silicon substrate for diamond thin film formation used for forming a dense diamond thin film on the silicon substrate, preventing change of a hole form even at high temperature above 1,000°C, capable of keeping nucleus generation density, and having a relaxing mechanism of stress associated with a thermal expansion coefficient difference; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁