gate equivalent circuitとは 意味・読み方・使い方

Equivalent circuits to a gate drive circuit 12 and the state detector 13 are respectively provided in the IGBT1, and the IGBTs3 to 6, and the same operations as that in the above circuit are conducted.例文帳に追加

また、ＩＧＢＴ１，ＩＧＢＴ３〜６それぞれについても、ゲート駆動回路１２および状態検出回路１３と同等回路をそれぞれ設けて、上記と同様な動作を行わせる。 - 特許庁

In the equivalent circuit model of a field effect transistor used for a power converting circuit, the capacitance Cgs between the gate and the source, the capacitance Cgd between the gate and the drain, and the channel current source Ich are extracted from the switching waveform in the inductive load of the field effect transistor.例文帳に追加

電力変換回路に用いられる電界効果型トランジスタの等価回路モデルにおいて、ゲート−ソース間容量Ｃｇｓ、ゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄ、及びチャネル電流源Ｉｃｈを、電界効果型トランジスタの誘導性負荷におけるスイッチング波形から抽出する。 - 特許庁

To obtain high driving currents equivalent to those of a DTMOS configured to electrically short-circuit a gate electrode and a board electrode, and to reduce leakage currents to those of a conventional MOS transistor or less.例文帳に追加

ゲート電極と基板電極とを電気的に短絡した構造を有するＤＴＭＯＳと同等の高い駆動電流を持ちさらに漏れ電流を従来のＭＯＳトランジスタ以下に低減する。 - 特許庁

It is possible to adjust a potential range where equivalent capacitance Cg occurring between a gate 42g of the NMOS 42 and a ground terminal GND can be varied and change inclination in an electrical/circuit designing manner.例文帳に追加

ＮＭＯＳ４２のゲート４２ｇと接地端子ＧＮＤとの間に発生する等価容量Ｃｇを可変できる電位範囲や、変化の傾きを電気的・回路設計的に調整することが可能となる。 - 特許庁

In the circuit simulation method for calculating the frequency characteristics of a field effect transistor using an equivalent circuit, resistance of gate electrode is calculated while taking account of effective decrease of cross-sectional area of a gate electrode due to skin effect in high frequency region and then the frequency characteristics of the field effect transistor are calculated using the resistance of gate electrode.例文帳に追加

電界効果トランジスタの周波数特性を等価回路を用いて算出する電界効果トランジスタの回路シミュレーション方法において、高周波領域における表皮効果によるゲート電極の実効的な断面積の減少を考慮してゲート電極の抵抗値を算出し、このゲート電極の抵抗値を用いて電界効果トランジスタの周波数特性を計算する。 - 特許庁

The inside of an LSI is replaced with one of inverter circuits 3 and 4, output terminal 77, gate circuit 2 composed of wiring capacitance between first and second power sources 7 and 8, and equivalent internal capacitors 9-11 having serial resistors.例文帳に追加

ＬＳＩ内部を、１個のインバータ回路３，４と、出力端子７７と第一、第二の電源７，８間の配線容量より構成されるゲート回路２と、直列抵抗をもった等価内部容量９〜１１で置き換える。 - 特許庁

A P-channel MOS transistor(TR) 51 is connected in parallel with a resistive component 50 of the low pass filter 19, and a gate control voltage generating circuit 53 applies gradually and temporally smoothly changing voltage to the gate 56 of the P-channel MOS TR 51 so as to smoothly increase the equivalent resistance between the source 52 and the drain 54 of the TR 51.例文帳に追加

ローパスフィルター１９を構成する抵抗素子５０と並列にＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１を接続し、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１のゲート５６へ、ゲート制御電圧発生回路５３から時間的に滑らかに漸次変化する電圧を供給して、ソース５２とドレイン５４の間の等価抵抗値を滑らかに増加させる。 - 特許庁

A protective circuit against electrostatic breakdown composed of an insulated gate field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, a current flowing at least from a collector to a substrate between a current flowing from the collector to the substrate and a current flowing from an emitter to a substrate is expressed by two current sources, and the protective resistance to electrostatic breakdown is simulated by circuit simulation.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、コレクタから基板に流れる電流とエミッタから基板に流れる電流の内の少なくともコレクタから基板に流れる電流を２つの電流電源によって表し、静電破壊保護耐性を回路シミュレーションする。 - 特許庁