higher-grownとは 意味・読み方・使い方

Then, a crystal 103 of the nitride-based compound semiconductor is grown at a temperature higher than the temperature mentioned above on the ground layer 102.例文帳に追加

下地層１０２上に、上記温度より高い温度において窒化物系化合物半導体の結晶１０３を成長させる。 - 特許庁

When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended.例文帳に追加

エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。 - 特許庁

An infant pet image when the degree of view interest is low or a grown pet image as the degree of view interest gets higher is extracted from a pet image list 32.例文帳に追加

視聴関心度が低い場合は幼いペット、視聴関心度が高まるにつれ成長したペット画像をペット画像リスト３２から抜き出す。 - 特許庁

A second growth layer 22 is then grown in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is not higher than 10 μm/h.例文帳に追加

次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。 - 特許庁

In particular, when sintering temperature is controlled to a γ transformation point or higher, a metallic structure in which crystal grains are preferentially grown in a pressurizing direction on a compacting stage can be obtained.例文帳に追加

特に、焼結温度をγ変態点以上とすると、成形工程時の加圧方向に結晶粒が優先的に成長した金属組織が得られた。 - 特許庁

At a central part 15 of the first protective film, first nitride semiconductors 26 which have grown laterally, from left and right, joint each other, for higher defective density.例文帳に追加

第１保護膜の中央部１５は、左右から横方向に成長してきた第１窒化物半導体２６が互いに接合するため、欠陥密度が高くなる。 - 特許庁

When a pulling-up speed at which OSF begins to occur at the center part of the crystal is defined as Vo, the crystal is grown at a stationary speed higher than the speed Vo.例文帳に追加

結晶中心部にＯＳＦが生じはじめる結晶引上げ速度をＶ_0 として、Ｖ_0 を超える定常速度で結晶育成を行う。 - 特許庁

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE.例文帳に追加

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。 - 特許庁