impurity segregationとは 意味・読み方・使い方

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

The pocket impurity diffusion layer 16 is possessed of a segregation part formed of segregated P-type impurities of large mass such as indium.例文帳に追加

ポケット不純物拡散層１６は、質量の大きいｐ型不純物例えばインジウムが偏析してなる偏析部を有している。 - 特許庁

To provide an impurity concentration analysis method of an interface for accurately analyzing the impurity concentration at the interface, by suppressing the increase in a secondary ionization probability due to the segregation of a primary ion in the impurity concentration analysis method of the interface of different kinds of materials due to the secondary ion mass spectrometry method.例文帳に追加

二次イオン質量分析法による異種材料の界面の不純物濃度分析方法において、一次イオンの偏析による二次イオン化確率の増大を抑制し、界面における不純物濃度を精度良く分析する界面の不純物濃度分析方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁

The activated layer 16 contains carbon (C) as an impurity and the segregation of indium is suppressed in the well layer by the carbon as an impurity whereby the local variability of density in the well layer is suppressed even when the lattice inconsistency with respective to the substrate 11 of activated layer 16 is large.例文帳に追加

活性層１６は不純物として炭素（Ｃ）を含有しており、この不純物としての炭素により、井戸層においてインジウムの偏析が抑えられ、活性層１６の基板１１に対する格子不整合性が大きくても、井戸層内で濃度が局所的にばらつくことが抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a semiconductor element capable of preventing the occurrence of leakage current between a drain region and a depletion layer due to the segregation of impurity.例文帳に追加

不純物の偏析に起因する、ドレイン領域と空乏層との間のリーク電流の発生を抑制することが可能な半導体素子を含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suitable for restraining a diffusion layer from increasing in sheet resistance due to segregation of impurities and forming an impurity diffusion layer of shallow junction depth without contaminating a substrate.例文帳に追加

基板の汚染を発生させることなく、不純物の偏析に起因する拡散層のシート抵抗値の増大を抑制することができ、浅い接合深さの不純物拡散層を形成するのに好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, etching damage, impurity segregation or the like produced in the surface layer of the diffraction grating are removed, and the buried layer is formed on an appropriate re-growth boundary, resulting in improving the luminous efficiency of the active layer.例文帳に追加

これにより、回折格子の表層部に生じたエッチングダメージや不純物偏析などが除去され、良好な再成長界面上に埋め込み層が形成されるため、活性層の発光効率を向上させることができる。 - 特許庁