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ion sheathとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 イオンさや
「ion sheath」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 28件
To provide an ion beam device equipped with a plasma sheath controller capable of adjusting plasma sheath forming.例文帳に追加
プラズマシースの形成を調節可能なプラズマシース制御器を備えるイオンビーム装置を提供する。 - 特許庁
LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND SHEATH FOR SYNTHESIZING COMPOUND OXIDE CONTAINING LITHIUM例文帳に追加
リチウムイオン二次電池、正極活物質及びリチウム含有複合酸化物合成用鞘 - 特許庁
The plasma sheath controllers 41, 41' are provided with a second ion extraction aperture 41H smaller than the first ion extraction aperture 49H.例文帳に追加
プラズマシース制御器４１及び４１‘は、第１イオン抽出口４９Ｈよりも小さい大きさの第２イオン抽出口４１Ｈを備える。 - 特許庁
An ion sheath is formed on the inner wall of the reaction tube 14 through capacitive coupling and almost all ions in plasma move toward a sample 22 and etch the sample.例文帳に追加
反応管１４内壁には、容量結合によりイオンシース（ion sheath）が形成され、プラズマ中のイオンのほとんどは試料２２に向かい、それをエッチングする。 - 特許庁
By covering the plasma electrode surface of the negative ion source with carbon nanotubes, electrons are emitted from the carbon nanotubes at a sheath voltage of source plasma for ion generation and the electrode surface is brought into a state that the work function is equivalently lowered to intensify a negative ion generation reaction.例文帳に追加
負イオン源のプラズマ電極表面をカーボンナノチューブで覆うことにより、イオン生成用のソースプラズマのシース電圧でカーボンナノチューブから電子が放出されて等価的に仕事関数が低下した電極表面状態となり負イオン生成反応が増強された負イオン源。 - 特許庁
Since the formation of an ion sheath in the wafer outer circumferential part can be controlled, it is possible to control the ion energy injected into a wafer 9 and the distribution of ion amount on a wafer surface, and as a result, distribution on a surface of etching treatment of the wafer 9 can be corrected.例文帳に追加
ウェハ外周部におけるイオンシースの形成を制御することができるため、ウェハに入射するイオンエネルギーおよびイオン量のウェハ面内分布を制御することができ、その結果ウェハのエッチング処理の面内分布を補正することができる。 - 特許庁
As a result, secondary electrons e^-, emitted from an electrode plate 62 by γ discharge are accelerated, in a direction which is opposite to that of the ions in the electric field of an upper ion sheath SH_U and passes through the plasma PR, and further traverses a lower ion sheath SH_L, and is injected into a resist pattern 100 on the surface of a semiconductor wafer W on a susceptor 12.例文帳に追加
そうすると、γ放電によって電極板６２より放出された２次電子ｅ^-は、上部イオンシースＳＨ_Uの電界でイオンとは逆方向に加速されてプラズマＰＲを通り抜け、さらに下部イオンシースＳＨ_Lを横断して、サセプタ１２上の半導体ウエハＷ表面のレジストパターン１００に所定の高エネルギーで打ち込まれる。 - 特許庁
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「ion sheath」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 28件
The PTC 20 has a lead 21 made of aluminum extended out from one side face of a resin mold, and the lead 21 is attached to the lithium ion battery 10 by being directly welded to a sheath can 12 of the lithium ion battery 10.例文帳に追加
ＰＴＣ２０は、樹脂モールドの一方の側面から延出されたアルミニウム製のリード２１を有しており、このリード２１がリチウムイオン電池１０の外装缶１２に直接溶接されることによりリチウムイオン電池１０に取り付けられている。 - 特許庁
A high density plasma is formed by setting a pressure 15-100 Torr and an electrode interval 6 mm or less, and an ion sheath is formed on the anode side.例文帳に追加
１５〜１００Ｔｏｒｒの圧力で、かつ電極間隔を６ｍｍ以下とすることにより、高密度のプラズマを形成し、アノード側にイオンシースを形成する。 - 特許庁
Ions flying from a directly facing ion sheath corner SC slantly upward with an angle of approximately 45° enter the gap 64, as they are, from an entrance of the gap 64 into the inner part.例文帳に追加
この隙間６４には、真向かいのイオンシースコーナーＳＣから略４５°の角度で斜め上方に飛んできたイオンがそのまま隙間６４の入口から内奥へ入る。 - 特許庁
Ions accelerated by the ion sheath formed through capacitive coupling of the coil antenna 23 collide against etching products trying to adhere to the inner wall of the reaction tube 14 thus diffusing the etching products.例文帳に追加
コイルアンテナ２３の容量結合によるイオンシースで加速されたイオンと反応管１４内壁に付着しようとしているエッチング生成物は衝突し、エッチング生成物は拡散される。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for classifying ions and an ion measuring apparatus which does not cause disturbance in the flow of a sheath gas, when a sample gas is introduced and provides superior separation efficiency.例文帳に追加
試料ガスが導入される際にシースガスとの流れに乱れがない、分離効率の優れたイオン分級方法とその装置及びイオン測定装置の提供をする - 特許庁
Accumulated coating thickness is controllable by a sputter etching reaction using the ion sheath on the front surface of divided wall 8 to which high frequency electricity is applied.例文帳に追加
高周波電力が印加されている分割壁８前面では、イオン・シースを用いたスパッタ・エッチング反応によって堆積膜厚を制御することができる。 - 特許庁
A boundary surface 31 of a plasma 30 and an ion sheath 21 is made smoother than the saw-like surface shape of the sputtering target formed with the slopes 2a and made nearly plane.例文帳に追加
プラズマ３０とイオンシース２１の境界面３１は、傾斜面２ａが形成されたスパッタリングターゲット２の鋸状の表面形状と比較して滑らかになり平面に近くなる。 - 特許庁
Flakes, etc., existing in the space (e.g., ion sheath) near under the upper electrode, are driven out outside the edge of the upper electrode by the irradiating pressure of the laser beam.例文帳に追加
上部電極の下側近傍空間（例えばイオンシース）に存在する例えばフレークを、レーザビームによる放射圧によって上部電極の縁外側に追いやる。 - 特許庁
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