less-than markとは 意味・読み方・使い方

The film for a flip chip type semiconductor back surface has a multilayer structure including a wafer adhesive layer 22 and a laser mark layer 21, where a modulus of elasticity (at 50°C) of the wafer adhesive layer 22 is not more than 10 MPa and a modulus of elasticity (at 50°C) of the laser mark layer 21 is not less than 100 MPa.例文帳に追加

ウエハ接着層２２とレーザーマーク層２１とを含む多層構造を有しており、且つ前記ウエハ接着層２２の弾性率（５０℃）が１０ＭＰａ以下であるとともに、前記レーザーマーク層２１の弾性率（５０℃）が１００ＭＰａ以上であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 - 特許庁

When the match security level of the identification mark is not less than the security level of the television conference terminal at the reception side, any portion other than the distribution determination region of the distributed materials is displayed at the display part 102.例文帳に追加

受信側のテレビ会議端末のセキュリティレベル以下でないと、表示部１０２に、配付資料の配付判定領域以外を表示する。 - 特許庁

At any time not less than three months before the expiration of the last registration of a trade mark, the registered proprietor or his authorized agent may submit FormTM12 together with the prescribed fee for the renewal of the mark.例文帳に追加

各商標について最新の登録の期間満了日の 3月以前のいつでも，登録所有者又はその権限ある代理人は，所定の手数料を納付しかつ様式 TM12の書面を提出することにより商標登録の更新を申請することができる。 - 特許庁

To improve signal quality by preventing a signal quality from being detriorated when a laser beam for reading is shifted from a large recording mark of resolution limit or more to a small recording mark being less than resolution limit in reproducing a super resonance optical recording medium.例文帳に追加

超解像光記録媒体の再生時に、読み取り用のレーザビームが解像限界以上の大きな記録マークから解像限界よりも小さな記録マークに移る際に、信号品質が悪化してしまうことを防ぎ、該信号品質を向上させる。 - 特許庁

In the <1-100> direction where the growth speed of the crystal is slow at a portion, where the interval D_1 of the alignment mark 15A is larger than the interval D_2 at the seed crystal section 15, an interval D_3 of the pattern of the alignment mark 15A should be 4 μm or less.例文帳に追加

なお、アライメントマーク１５Ａのパターンの間隔Ｄ_1 が、種結晶部１５の間隔Ｄ_2 より大きいところでは、結晶の成長速度が遅い＜１—１００＞方向において、アライメントマーク１５Ａのパターンの間隔Ｄ_3 を４μｍ以下とする。 - 特許庁

Further, the pattern width W of the resist pattern 3a for the mark for exposure position confirmation is less than the thickness of the conductor layer, and when the conductor layer is processed by the wet etching, the conductor layer 3a positioned below the resist pattern 4a for the mark for exposure position confirmation is removed.例文帳に追加

また、露光位置確認マーク用レジストパターン３ａのパターン幅Ｗは導電体層の厚さ以下であり、導電体層をウェットエッチングした際に、露光位置確認マーク用レジストパターン４ａの下に位置する導電体層３ａが除去されることを特徴とする。 - 特許庁

Requests for forfeiture shall not be considered if the use of the mark was proven or failure to use it was justified in a prior proceeding requested less than 5 (five) years previously.発音を聞く 例文帳に追加

過去5年以内に請求された先の手続において，標章の使用が証明されているか，又はその不使用の正当性が証明されている場合は，剥奪請求は考慮されない。 - 特許庁

on the date of its filing the use of the mark is proved, or the lack of its use for legitimate reasons is justified, in a previous forfeiture proceeding that was requested less than five (5) years ago;発音を聞く 例文帳に追加

その提出日に標章の使用が証明された場合，又は5年以内に請求された従前の抹消手続において合法的な理由でその使用がないことが正当化された場合 - 特許庁